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11.
12.
13.
腐蚀磨损过程中材料的环境脆性   总被引:8,自引:0,他引:8  
从腐蚀磨损的交互作用、腐蚀磨损与应力腐蚀及氢脆的异同出发,论述了磨损加速腐蚀及腐蚀加速磨损的微观机制,指出材料的环境脆性与腐蚀对磨损的加速作用程度有关.从腐蚀对磨损的加速作用、比能耗、磨痕硬度等方面分析了不锈钢 Cl^-体系、Ni-P镀层 NaOH溶液、H4340钢与Ti6A14V合金 稀硫酸溶液体系、铜合金 NH4^ (NH3)或S^2-溶液中的环境脆化行为和规律,总结出材料环境脆性的力学判据,展望了今后腐蚀磨损的研究方向.  相似文献   
14.
在研制天然气水合物一维开采实验模拟系统的基础上,中国科学院广州能源研究所天然气水合物开采技术团队成功研制出国内第一套天然气水合物二维开采实验模拟系统。初步测试结果表明,该系统能有效模拟海底天然气水合物的生成及分解过程,可以对现有的开采技术进行系统的模拟评价。较之一维开采模拟系统,该系统采用更加先进的手段测量多孔介质中气、液、固(水合物)的含量及分布,并能够更加真实的模拟实际水合物地层特征。  相似文献   
15.
SO4^2-/ZrO2固体超强酸的制备及其催化合成ETBE的研究   总被引:5,自引:2,他引:3  
采用沉淀一浸渍法制备了负载型SO4^2-/ZrO2固体超强酸催化剂,运用IR、XRD等方法表征所制备催化剂的物化性质。结果表明,所制备的催化剂具有固体超强酸催化剂的特征,酸性与焙烧温度有关,适当提高焙烧温度有利于样品酸强度的提高,但焙烧温度过高会导致脱硫;浸渍液H2SO4浓度高有利于提高催化剂的硫含量,但是浓度过高,会在催化剂上形成硫酸盐,从而降低催化剂的比表面积和酸性。采用制备的催化剂气相催化乙醇与叔丁醇合成乙基叔丁基醚反应,乙基叔丁基醚的选择性为54.71%。  相似文献   
16.
由于不同环境条件下,不同化探测试指标受到不同的因素干扰,所以不同介质样品的应用条件存在一定的差异。针对不同介质样品特点,分别采集海底沉积物、底部海水和低空大气3种介质样品,并采用在海底沉积物柱状样不同深度部位取样的立体取样方法,通过多指标综合分析,对不同介质和深度样品的多项化探指标互相进行了验证和补充,可以抑制干扰因素的影响,为油气资源远景评价提供依据。运用该方法在北黄海盆地油气勘查中进行初步尝试,并据此划分了三级化探异常区,提出了有利的含油气远景区,均与已知油气区和区域地质分析的结果相符合,取得了很好的效果。   相似文献   
17.
三重介质油藏干扰试井压力动态特征   总被引:7,自引:6,他引:1  
在建立三重介质油藏试井解释模型的基础上,对该类油藏的干扰试井压力动态变化进行了研究;分析了井筒储存、表皮系数、窜流系数以及弹性储容比对观测井井底压力的影响。结果表明,表皮系数对观测井的井底压力没有影响,而井筒储存是否会对观测井井底压力造成影响取决于井筒储存系数的大小以及激动井和观测井之间的距离,窜流系数和弹性储容比对观测井井底压力的影响与单井试井的结果相类似。  相似文献   
18.
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.  相似文献   
19.
欧文  李明  钱鹤 《半导体学报》2003,24(5):516-519
对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.  相似文献   
20.
基于FPGA技术的以太网远程网桥的实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
如何适应以太网 (FTTB +LAN)接入网的发展是宽带城域网建设中迫切需要解决的问题。文章介绍了采用Altera公司的ACEX系列器件 ,配以异步SRAM ,完成了具有可变比特率特性的以太网数据流和适合传统电信链路传输的具有固定比特率特性的E1数据流之间的相互转换 ,实现了以太网至城域骨干网的接入 ,并给出了转换模块中 4 / 16位变换器和SRAM接口模块的算法设计流程图  相似文献   
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