单台固定的激光晶体发射出红、绿、蓝色光

含有单个活性增益材料的固体激光器同步产生了红、绿、蓝色光，这种器件对于全彩色成像系统是非常有价值的．具有特色的是，该RGB激光是由激光棒和非线性晶体的复杂组合而实现的．单晶RGB激光器的一个样机已由法国Claude Bernard-Lyon大学和中国科学院开发出来，它是由基于钕掺杂的四硼酸钆铝晶体(NGAB)制作的．     

用于甲烷气体传感的1.67μm掺Tm^3＋光纤荧光光源的实验研究

从甲烷气体相关光谱检测法对光源的要求出发，试制了几种不同参数的Ｔｍ＾３＋掺杂光纤，在实验上用７８８ｎｍ半导体激光器泵浦，测量了泵浦端出射的荧光光谱及总功率。在１．６７μｍ处荧光功率密度达到０．２５μＷ／ｎｍ，比用白炽灯作光源耦合多模光纤所得的结果高出８倍多，是一种较为理想的适用于甲烷气体检测的宽带光源。     

Sm^＋2／Sm^＋3掺杂铝基玻璃光纤的光敏特性研究

用２Ｗ爽线输出功率的氩离子激光器照射Ｓｍ＾＋２／Ｓｍ＾＋３掺杂铝硅基玻璃光纤能产生０．００５１％的永久性折射率变化，通过测量ＬＰ１１模截止波长偏移能检测该光纤的光敏特性，同时在可见光区域能观察到宽消感应吸收带，钐掺杂光纤光敏特征是由多光子增强的Ｓｍ＾＋２离子消感应吸收过程所致。     

纳米级掺杂超晶格的生长及其性质研究

评术字制备纳米级掺杂结超晶格材料的ＭＢＥ技术，给出了材料性能和器件研制结果，从微结构设计出发，研究了平面掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ（Ｇａ）Ａｓ超晶格结构二维电子气有关性质，实验研究取得了重要的进展。     

光致发光测定6H—SiC中的氮掺杂浓度

杂质和本征发光强度可反映出掺杂浓度。本文介绍了一种测量６Ｈ－ＳｉＣ中氮杂质的校准方法，该方法对于１０＾１４～１０＾１６ｃｍ＾－３浓度范围内的ｎ型掺杂都是有效的。并对光致发光实验过程中的激励强度，温度的影响以及与受主有关光谱的观测进行了研究。     

HVPE法制备碳掺杂半绝缘氮化镓晶圆片

利用氢化物气相外延法(HVPE)生长,以甲烷为掺杂源,成功制备获得四英寸自支撑半绝缘氮化镓(GaN)晶圆片。所使用掺杂气体为浓度为5%的甲烷气体,混合于N2载气中。所制备晶圆片厚度可达800μm以上,表面无裂纹,表明粗糙度在0.6 nm以下。(002)和(102)晶面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽均小于100 arcsec,普遍在为40～60 arcsec,曲率半径可达20 m及以上,位错密度低于106/cm2,测得电阻率大于109?-cm。