非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

低掺杂浓度Nd:YVO4激光器的输出特性研究

在对Nd:YVO_4晶体的掺杂浓度和晶体长度对激光器性能的影响进行了分析后,报道了利用掺杂浓度为0.3at％,通光长度为10mm的Nd:YVO_4晶体作为增益介质,带光纤耦合的激光二极管端面抽运的Nd:YVO_4激光器。在抽运功率为27.365W时,获得了14.85W的TEM_(00)模输出,光一光转换效率为60.49％,斜效率达64.5％。     

Bi3+对纳米MnO2水热合成的影响研究

在中性和酸性条件下，以MnO2作为锰源，通过水热合成了纳米MnO2，通过XRD和TEM对产物进行的观察表明，在酸性条件下，向溶液中添加一定量的Bi^3 ，产物的晶型由α型向γ型转化，产物形貌由针状、丝状向颗粒状转变。     

用φ20mm离心萃取器两步法制取高纯钇

本文研究了中钇富镧稀土的氧化物溶液在环烷酸中的萃取行为，测定了镧钇组成、温度变化与分离系数的关系；在Ｐ＿（５０７）体系中研究了ｐＨ值与分配比的关系；提出用环烷酸、Ｐ＿（５０７）两种萃取剂制备高纯钇的工艺流程。用８４台φ２０ｍｍ离心萃取器进行了一个月的台架试验，结果证明两种萃取剂有很好的互补性，在满足钇的纯度要求下有较高收率。离心萃取器具有易分相、体系存留量少、液流密闭性好等优点，它更适宜于粘度大、级数多、产品纯度要求高的体系。     

Nd^3＋：NaY（WO4）2晶体的激光性能研究

本文报种新型的激光晶体Ｎｄ＾３＋：ＮａＹ（ＷＯ４）２．测定了它的结构、荧光光谱、吸收光谱。     

ZrO2基固体电解质型燃料电池的研究现状及发展趋势

综述了ＺｒＯ２基因民解质型燃料电池的研究现状与发展趋势，介绍了现有ＺｒＯ２基固体电解质型燃料电池的构成及常用材料，并展望了市场前景。     

钇铁石榴石薄膜材料的光吸收谱及Bi,Al掺入对谱的影响研究

采用单离子晶场跃迁模型，拟合出钇铁石榴石（ＹＩＧ）薄膜材料的光吸收谱，与实验谱吻合得较好。从实验和理论上分析了（ＢＩＡＩ）ＹＩＧ 薄膜材料的光吸收谱，结果表明，Ａｌ３＋离子的作用如同稀释剂一样，减小了光吸收，Ｂｉ３＋离子由于其强的自旋轨道耦合作用，增大了跃迁振子强度和跃迁线宽，从而增大了光吸收损耗，在此基础上所作的（ＢｉＡｌ）ＹＩＧ的理论谱与实验谱符合得较好。