纳米级掺杂超晶格的生长及其性质研究

评术字制备纳米级掺杂结超晶格材料的ＭＢＥ技术，给出了材料性能和器件研制结果，从微结构设计出发，研究了平面掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ（Ｇａ）Ａｓ超晶格结构二维电子气有关性质，实验研究取得了重要的进展。     

光致发光测定6H—SiC中的氮掺杂浓度

杂质和本征发光强度可反映出掺杂浓度。本文介绍了一种测量６Ｈ－ＳｉＣ中氮杂质的校准方法，该方法对于１０＾１４～１０＾１６ｃｍ＾－３浓度范围内的ｎ型掺杂都是有效的。并对光致发光实验过程中的激励强度，温度的影响以及与受主有关光谱的观测进行了研究。     

MOCVD法生长（Al,Ga）As碳掺杂机理研究

分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3~-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。在碳掺杂理论模型的基础上讨论了温度、压力、Ⅴ/Ⅲ比、有机源种类对碳掺杂的影响。指出了在引入和不引入掺杂源的情况下,控制碳掺杂的途径。     

钇、钪分离工艺的新进展

本文简要介绍中国科学院长春应用化学研究所近年来在钇、钪分离工艺研究方面的新进展。     

离子注入硅的线源非相干光瞬时退火温度计算

本文利用高温模型,计算了在我们的实验条件下对离子注入硅进行线源非相干光瞬时退火的退火温度,并与实验结果比较,两者符合得较好。     

HVPE法制备碳掺杂半绝缘氮化镓晶圆片

利用氢化物气相外延法(HVPE)生长,以甲烷为掺杂源,成功制备获得四英寸自支撑半绝缘氮化镓(GaN)晶圆片。所使用掺杂气体为浓度为5%的甲烷气体,混合于N2载气中。所制备晶圆片厚度可达800μm以上,表面无裂纹,表明粗糙度在0.6 nm以下。(002)和(102)晶面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽均小于100 arcsec,普遍在为40～60 arcsec,曲率半径可达20 m及以上,位错密度低于106/cm2,测得电阻率大于109?-cm。     

离子注入回火与Mo的抑制作用

轴承钢对回火十分敏感。离子注入强化轴承表面的效果取于注入掺杂强和注入回火的竞争。运用电子能谱，ＲＢＳ，ＸＲＤ，显微硬度，粗糙度，摩擦系数，接触疲劳寿命的ｗｅｉｂｕｌｌ分布等研究了大剂量Ｎ＋注入轴承表面的掺杂强化及注入回火和Ｍｏ对注入回火的抑制作用。结果表明；Ｍ＾＋ｏ＋Ｎ＋重叠注入是强化轴承表面的有效方法。     

掺杂对PZT压电陶瓷的影响及研究进展

在介绍掺杂PZT压电陶瓷材料制备的基础上,总结出生产掺杂PZT材料的最佳掺杂条件,以及配方对压电陶瓷性能的影响,只要工艺合适,性能完全能再提高,对压电陶瓷材料的发展趋势进行了展望。     

铜铬黑的制备

铜铬黑(Copper C. Black)是混相颜料中应用最为广泛的黑色颜料,化学式为Cu Cr2O4,是由Cu O与Cr2O3合成的新型尖晶石型颜料。它具有很好的黑色色调,优异的耐久性,高达1000℃的耐高温性,化学性质非常稳定,耐晒、耐候、耐酸碱、耐溶剂、不迁移、易分散,此外其具有尖晶石型结构,而该结构往往具有很高的红外辐射率。本实验通过固相法制备铜铬黑,探讨不同条件下所制备的铜铬黑的性质及其红外发射率情况。     

阴离子F掺杂SOFCs阴极La1?xSrxCo1?yFeyO3?δ的氧还原性能

固体氧化物燃料电池(SOFC)因其高效、清洁及便携性等优点被认为是当前最具应用前景的新能源技术之一。传统SOFC较高的工作温度（>800 ℃）限制了其商业推广,降低其工作温度成为当前研究的热点。钙钛矿阴极材料La_1?xSr_xCo_1?yFe_yO_3?δ(LSCF)因具有较高的电子离子混合导电性而成为中温SOFC阴极材料的较佳选择,同时实验证明F替代O位能有效提升SOFC稳定性。基于已有实验报道,本文采用第一性原理计算了F掺杂对LSCF电子结构影响、氧气分子在(100)表面吸附能的变化、阴极体内氧空位形成能及氧离子迁移活化能的影响。通过与未掺杂材料性能的比较,证明:适量F掺杂LSCF在有效提升阴极表面对氧气分子吸附能力同时能进一步提高体内氧离子迁移效率,从而提升阴极氧化还原反应能力。