钨青铜(TB)型晶体材料的分子设计及其新进展

在TB型晶体结构讨论的基础上，着重阐述分子设计的方法在TB型晶体材料研究中的具体运用，以及近年来所取得的新进展；指出了国内在TB型晶体材料研究方面与国外存在的差距和今后的努力方向。     

钨钼活化烧结机理

主要介绍了添加少量Ｎｉ－Ｃｏ时钨，钼的低温烧结特性，对比了纯钨，Ｗ－Ｃｏ，Ｗ－Ｎｉ，Ｗ－Ｎｉ－Ｃｏ，纯钼，Ｍｏ－Ｃｏ，Ｍｏ－Ｎｉ，Ｍｏ－Ｎｉ－Ｃｏ烧结体系，测算了这些体系的烧结活化能，研究了其低温烧结机理，发现Ｎｉ－Ｃｏ对钨，钼的烧结具有最好的活化效果，说明镍与钴的共同加入对钨，钼的烧结具有协同活化作用。     

单台固定的激光晶体发射出红、绿、蓝色光

含有单个活性增益材料的固体激光器同步产生了红、绿、蓝色光，这种器件对于全彩色成像系统是非常有价值的．具有特色的是，该RGB激光是由激光棒和非线性晶体的复杂组合而实现的．单晶RGB激光器的一个样机已由法国Claude Bernard-Lyon大学和中国科学院开发出来，它是由基于钕掺杂的四硼酸钆铝晶体(NGAB)制作的．     

外延工艺在集成电路制造产业中的应用

外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），超高真空化学气相沉积（UHV／CVD），常压及减压外延（ATM＆RP Epi）等等。