退火处理对0.5PZN-0.5PZT陶瓷弛豫性的影响

采用常规陶瓷工艺制备了Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.5)(Zr_(0.5)Ti_(0.5))_(0.5)O_3 (0.5PZN-0.5PZT)铁电陶瓷,并在氧气氛下进行退火.运用XRD、直流电导率和介电温度谱测试氧气氛退火前后陶瓷相结构与电性能的变化,并对弛豫性与微结构的关系进行探讨.结果表明,氧气氛退火可有效补偿体系中的氧空位,降低四方相含量,材料的弛豫性显著增强.     

Sr_(1-x)Ba_xBi_4Ti_4O_(15)铁电陶瓷性能研究

采用传统固相反应法制备了Sr1–xBaxBi4Ti4O15(x=0～1.0)铁电陶瓷,研究了Ba取代量对其烧结性能和介电性能的影响。结果表明,适量Ba取代促使陶瓷样品烧结温度由1240℃降至1130℃左右,tanδ降至20×10–4,体积电阻率ρv提高一个数量级,同时居里峰显著展宽,居里温度tC下降。当x=0.7时,在1130℃烧结6h获得的陶瓷样品综合介电性能较好:εr≈150,tanδ=53×10–4,ρv=1.7×109Ω·m,tC≈430℃。     

新型铁电玻璃陶瓷的研究进展

综述了铌酸盐、钛酸盐、铋层钙钛矿结构三种类型的铁电玻璃陶瓷的性能及应用,分析比较了熔融法、烧结法、sol-gel法和激光诱导法四种制备方法的优缺点,基于铁电玻璃陶瓷材料研究和应用现状,探讨了此类材料的研究方向与发展前景。     

Ramtron最新产品规划

作为铁电存储器（F-RAM）的积极倡导者,Ramtron公司一直致力于铁电存储器产品的开发。随着目标应用的不断拓展,其产品已不仅仅局限于标准存储器。Ramtron公司在09年10月宣布最新的无线存储器产品,并在今年5月份硅谷的嵌入式系统大会上展示了这一系列产品的最新进展。     

下期部分目次预告

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超薄、连续PVDF铁电薄膜的制备与表征

为了改善旋涂法制备纳米级超薄PVDF铁电薄膜的致密性和连续性,研究基体的表面处理对PVDF成膜性的影响,进行了对基体表面处理、改变PVDF溶剂成分、旋涂后的退火温度等对超薄PVDF铁电薄膜的连续性、表面形貌及其成分结构的影响研究。研究对硅和玻璃基底表面处理,紫外(UV)和氧等离子体辐照,改变基底的表面能后PVDF在基底上铺展特性。薄膜的表面形貌通过KEYENCE VHX-600超景深三维视频显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察,采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)对薄膜结构进行表征。结果表明:基底经过氧等离子处理可使质量分数为0.2%的PVDF溶液在硅和玻璃基体上形成超薄、连续的PVDF铁电薄膜。     

微弧氧化SrTiO_3铁电薄膜的微观结构及性能

以0.2 mol/L Sr(OH)2+0.2 mol/L NaOH溶液为电解液,工艺参数分别设置为电流密度2 A/cm2、电流频率100 Hz、反应时间30 min及占空比85%,采用微弧氧化法在工业纯Ti板(99.5%)表面原位生长SrTiO3薄膜,并对薄膜的物相组成,元素分布情况及薄膜介电、铁电性能进行表征。结果表明:所得薄膜主要由四方相SrTiO3构成。薄膜介电常数随频率升高而降低,其在1 kHz条件下的介电常数为317。薄膜中除Sr、Ti、O元素外,还存在Na元素,且Na元素在薄膜与基体结合处出现富集,元素分布的微小波动可能是由微弧氧化孔洞造成。     

微弧氧化制备BaTiO_3铁电薄膜的添加剂优选

以纳米BaTiO3、纳米TiO2、乙二醇、甘油和三乙醇胺分别作为添加剂,在0.5 mol/L Ba(OH)2基础溶液中,采用微弧氧化在钛板表面原位生长铁电薄膜,利用XRD、SEM、EDS和HP4284型电容探测仪等对薄膜的物相构成、厚度、表面粗糙度、元素分布及介电性能进行表征。结果表明,所得薄膜的物相组成均主要是四方相BaTiO3,添加剂的加入对物相无影响。甘油可显著改善薄膜的表面形貌,降低表面粗糙度值,所得薄膜介电性能优越,100 Hz条件下其介电常数和介质损耗值分别为200.7和0.055。纳米TiO2和乙二醇也可降低薄膜表面粗糙度且使薄膜生长速度升高,但两者对薄膜介电性能的优化不及甘油。故欲获得表面形貌良好、生长速度较快且介电性能优越的BaTiO3铁电薄膜,可选择甘油作为添加剂。     

多铁性材料BiFeO_3的高温铁电相转变研究进展

多铁性材料BiFeO3的高温铁电相转变研究中,无论是对于基础理论研究,还是对于BiFeO3材料的实际应用都具有重要的研究意义。本文系统论述了BiFeO3高温铁电相转变研究的历史、现状和最新进展。分析指出了目前该研究方向存在的关键性难题:由于BiFeO3陶瓷材料较差的高温稳定性,导致BiFeO3高温顺电β相和γ相的晶体结构类型难以确定。最后展望了该研究方向新的发展趋势:高质量BiFeO3单晶的出现有望解决目前存在的研究难题。     

Ramtron增强管理团队

2011年4月20日,世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布,任命萧颖担任客户满意度部门副总裁。在此新设立的职位上,萧颖负责Ramtron公司的