Ramtron最新产品规划

作为铁电存储器（F-RAM）的积极倡导者,Ramtron公司一直致力于铁电存储器产品的开发。随着目标应用的不断拓展,其产品已不仅仅局限于标准存储器。Ramtron公司在09年10月宣布最新的无线存储器产品,并在今年5月份硅谷的嵌入式系统大会上展示了这一系列产品的最新进展。     

PbTiO_3/SrTiO_3(001)复杂畴组态和缺陷的研究北大核心CSCD

用透射电子显微镜对PbTiO_3/SrTiO_3(001)薄膜内部所形成的复杂畴组态以及畴壁处的位错进行了系统的研究。透射电镜结果和几何相位分析(GPA)表明,薄膜内部两个交叉的a畴内部出现了180°畴壁,导致在局部区域形成了全闭合畴结构,在铁电畴壁处观察到高密度位错。高分辨HAADF-STEM像分析显示,在90°畴壁处容易形成a<011>型位错,在180°畴壁处容易形成a<100>型位错,表明位错的形成与铁电畴壁类型存在强耦合关系。     

Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征

采用新颖的化学溶液淀积方法,配制出可长时间稳定的先体溶液,采用红外分析和热分析等手段,对成膜过程中发生的反应变化进行了分析,结果表明采用新的方法可以增加先体的稳定性,并且确定了薄膜的析晶温度.XRD测试表明薄膜在不到500℃即开始析晶,并且析晶情况与Bi含量有关.对薄膜的电学性能研究表明随着Bi含量的增加,薄膜的漏电性能和抗疲劳特性变差,矫顽场变大,而2Pr在Bi过量10%的情况下达到最大31.6 μ C/cm2.     

Bi4Ti3O12栅Si基铁电场效应晶体管特性研究

采用溶胶 -凝胶工艺制备了 Si基 Ag/Bi4 Ti3O1 2 栅铁电场效应晶体管。研究了 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜厚度、栅宽 /长比等器件结构参数对性能的影响。研究表明 :铁电场效应晶体管的阈值电压、击穿场强和剩余极化等并不随 Bi4 Ti3O1 2 薄膜厚度的增加而线性变化 ,跨导和漏 -源电流在不同的栅宽 /长比范围变化趋势不同 ,当Bi4 Ti3O1 2 厚度为 2 0 0～ 40 0 nm、Wg/Lg 取 1～ 2时 ,器件可获得较好的综合性能 ,不同栅压变化过程的 Isd-Vsd特性曲线并不重合 ,表明该器件具有源于铁电薄膜极化的场效应特性。     

铁电存储器制备中关键工艺的改进

传统铁电存储器制备工艺中,存在着Ｐｔ／Ｔｉ下电极刻蚀难、制作的铁电薄 貌不好和上电极容易起壳等问题。文章对铁电存储器制备中的一些关键工艺进行改进,降低了工艺复杂性,解决了上述问题。     

铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究

采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关，对应500nmPZT，记忆窗口约3V．实验表明Au／PZT／SiO2／Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能．     

热释电系数的测量方法

描述热释电系数的两种测量方法。其一为电荷积分法，测试系统简单，测量数据准确，且能满足零电场条件下的测量。其二为动态电流法，采用调制热源技术，研究在特定温度条件下热释电材料的动态热释电响应。     

La掺杂PZST反铁电陶瓷电场诱导热释电现象

研究了Ｌａ掺杂ＰＺＳＴ反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在０～１２０°Ｃ温度范围内，热释电的峰值和峰位可以用电场的大小来控制，热释电系数达到１０－７Ｃ／ｃｍ２·Ｋ。     

铁电液晶及其应用

某些碟状近晶相液晶具有铁电和热电性质。最简单的铁电液晶是近晶 C相(碟状近晶 c 相)。文章综述了铁电液晶的电光效应、器件结构、取向方法和主要应用。报道了作者对复合铁电液晶材料的最新研究成果。