Sol-Gel法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究进展

综述了溶胶—凝胶法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究现状,主要介绍了制备过程中衬底材料、热处理工艺、前驱体以及掺杂等因素对铁电陶瓷薄膜择优取向的影响以及铁电陶瓷薄膜的择优取向与铁电性能的关系。     

MFSM结构铁电薄膜系统Ⅰ—Ⅴ特性研究

为制备符合铁电场效应晶体管及铁电存储二极管要求的高质量铁电薄腹,采用激光脉冲沉积方法制备了Ａｕ／ＰＺＴ－ｐ－Ｓｉ／Ａｕ和Ａｕ和Ａｕ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ多层结构的两种铁电薄膜系统,。     

铁电材料的发展历史和现状

铁电材料是一类重要的功能材料,是近年来高新技术研究的前沿和热点之一。通过罗息盐时期—发现铁电性、KDP时期—铁电热力学理论、钙钛矿时期—铁电软模理论、铁电薄膜及器件时期—小型化四个阶段阐述了铁电材料的发展历史,提出了研究中需要解决的一些问题。     

PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征

提出了一种制备纳米量级铁电聚合物PVDF/PDDA超薄膜的新方法。聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)和极化处理后的聚偏氟乙烯(PVDF)复合超薄膜是通过层与层的静电自组装(LbL-SA)方法制备的,厚度约30~150 nm,每层膜厚度约为9 nm。PVDF/PDDA多层膜通过石英晶振微天平(QCM)、红外频谱仪、原子力显微镜(AFM)进行了测试与表征。QCM表征结果表明,PVDF与PDDA超薄膜能较好地交替组装;AFM表明PVDF/PDDA聚合物超薄膜的表面均匀、薄膜致密。与PVDF厚膜的电阻性能相比,PVDF/PDDA复合超薄膜的电阻性能有了很大提高。     

稀土离子掺杂对钛酸钡铁电记忆的影响

少量稀土离子并入钛酸钡晶格时降低晶粒尺寸和提高电绝缘性能的优势适于电子器件微小型化的开发,尤其是对于基于钛酸钡的铁电记忆功能的评价具有研究价值．由冷压陶瓷技术制备了镧系稀土中两个特殊元素铈和铕掺杂的钛酸钡陶瓷,电滞回线被测量,评价了稀土铈和铕在钛酸钡晶格并入对钛酸钡铁电记忆功能的影响．     

在LaNiO_3衬底上（Pb,La）TiO_3铁电薄膜的制备和研究

首先通过金属有机化合物热分解（MOD）法在Si（100）基片上制备出LaNiO3（LNO）薄膜,再通过溶胶-凝胶（sol-gel）法,在LNO/Si（100）衬底上制备出（PbxLa1-x）TiO3（PLT）铁电薄膜。经XRD分析表明,LNO薄膜具有（100）择优取向的类钙钛矿结构,PLT/LNO/Si薄膜具有四方相钙钛矿结构,同时以（100）择优取向。最后对薄膜的介电性和铁电性进行了测试,发现薄膜介电常数适中,铁电性良好。     

铁电薄膜钛酸铋掺杂改善铁电性及疲劳特性的研究

分析了对铁电薄膜Bi4Ti3O12进行A位、B位掺杂时,Bi4Ti3O12铁电性及疲劳特性的改善及相应的理论解释,并指出Bi4Ti3O12值得进一步深入研究的领域。     

锆钛酸铅95/5薄膜的介电性能与弛豫特征

采用溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅95/5（PZT95/5）薄膜,通过分析介电温度谱、介电频谱研究薄膜的介电性能.研究结果表明：介电常数-温度曲线ε（T）的相变峰随着频率的增加而逐渐变得平坦.同时,介电常数倒数与温度曲线ε-1（T）在高频不符合居里外斯定律;采用普适弛豫定律公式,对不同温度下的介电频谱曲线ε（f）进行拟合,得到弥散系数随着温度的变化曲线,该曲线在铁电-顺电转变以及反铁电-铁电转变这两个特征温度附近出现异常,结合材料反铁电-铁电-顺电相变的微观结构变化规律对此现象进行了讨论.     

Effect of SiO2 addition on the dielectric properties and microstructure of BaTiO3-based ceramics in reducing sintering

The effect of SiO2 doping on the sintering behavior,microstructure,and dielectric properties of BaTiO3-based ceramics has been investigated.Silica was added to the BaTiO3-based powder prepared by the solid state method with 0.075mo1%,0.15mo1%,and 0.3mo1%,respectively.The SiO2-doped BaTiO3-based ceramic with high density and uniform grain size were obtained,which were sintered in reducing atmosphere.A scanning electron microscope,X-ray diffraction,and LCR meter were used to determine the microstructure as well as the dielectric properties.SiO2 can form a liquid phase belonging to the ternary system of BaO-TiO2-SiO2,leading to the formation of BaTiO3 ceramics with high density at a lower sintering temperature.The SiO2-doped BaTiO3-based ce-ramics can be sintered to a theoretical density higher than 95% at 1220℃ with a soaking time of 2 h.The dielectric constants of the sample with 0.15mo1% SiO2 addition sintered at 1220℃ is about 9000.Doping with a small amount of silica can improve the sinter-ing and dielectric properties of BaTiO3-based ceramics.