BSTO/MgO铁电移相材料的研究

采用固相反应法制备了钛酸锶钡/氧化镁(BSTO/MgO)铁电移相材料。研究了材料的相组成、显微结构和介电性能。经测试分析表明:MgO 与 BSTO 复合后,并没有出现二次相,且晶粒形状分布均一,粒度均匀;w(MgO)为 50%时,材料的低频(10 kHz)εr为 157,tgδ 为 0.000 6,高频(约 2.5 GHz)εr为 120,tgδ 为 0.008;4 000 V/mm偏压下的调谐性为 17.5%,基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求。     

LaAlO3单晶基片上制备Ba0．5Sr0．5TiO3薄膜的透射电镜研究

铁电钛酸锶钡(Ba1-xSrx)TiO3(BSTO)薄膜材料具有很好的可调性，在微电子工业有广阔的应用前景。本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(001)LaAlO3单晶基片上外延生长了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜。利用透射电子显微镜对薄膜的截面样品进行了微结构和界面行为的研究。     

铁电薄膜研究中的几个重要问题

近十多年来，铁电薄膜及集成铁电器件一直是材料科学工作者和电介质物理工作者关注和研究的热点之一。要使集成铁电器件得到更广泛的应用，还应针对铁电薄膜本身和铁电薄膜异质结构开展更深入的研究。本文针对铁电薄膜的疲劳、老化和电压漂移、电阻等特性退变，以及薄膜异质结构的表面和界面等问题，结合作者的研究工作。进行比较概括的分析，并提出一些解决问题的方法。     

并关于O—3型铁电复合材料的热极化机构

制备了以PVDF为母体的TGS、BaTiO3、LiNbO3及PZT的O—3型复合材料．研究了这些材料的长时间极化弛豫，发现存在三种带有不同弛豫时间的驰豫机构，这些机构分别由晶粒、母体及晶粒边界产生，晶粒边界产生的极化较稳定．     

Pt／PZT／Pt电容的γ射线辐照积累剂量效应

研究了辐照积累剂量对ＰＺＴ铁电电容的电滞回线和Ｃ－Ｖ特性的影响，结果表明，在积累剂量辐照过程中，由于辐照感生缺陷的影响，剩余极化和矫顽场增加。介电常数下降。根据实验结果和铁电材料的有关辐照理论，提出了剩余极化随积累剂量变化的缺陷相关模型。     

爆电换能用反铁电材料

采用爆炸冲击波作用于贮存有电极化能量的铁电体，迫使其转变成反铁电体，可释放出巨大电能量，用于一次性的高压、大功率脉冲电源。本工作研究了锆钛酸铅反铁电材料在电场、压力、温度作用下的反铁电一铁电相变性质，介绍了在爆炸冲击波作用下铁电向反铁电转变过程中电量的输出特性。     

铁电复合材料TGS—PVDF的介电和热释电性能的研究

制备了TGS-PVDF铁电复合材料,测量了该材料的介电常数、介质损耗和热释电系数,计算了该材料的热释电优值因子,并初步测试了由该材料制成的热释电探测器的性能。