掺镁铌酸锂晶体的光学均匀怀和抗光作性研究

研究了不同Ｌｉ／Ｎｂ克分子比，掺镁铌酸锂（ｍｇＯ：ＬｉＮｂＯ３）晶体的光学均匀性和我伤特性，以二地同成分配比为基础。掺入约５ｍｏｌ％ＭｇＯ的ＬｉＮｂＯ３晶体显示出高的抗光损伤特性，但光学均匀性较差，根据ＭｇＯ－Ｌｉ２Ｏ－Ｎｂ２Ｏ５三元相关系研究寻找到的三元同成分配比，生长出的ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体具有优良的光学均匀性。但其抗光伤能力低。     

铁电存储器FM1808

铁电存储器是Ramtron公司近年来推出的一款掉电不挥发存储器，它结合了高性能和低功耗的操作，能在没有电源的情况下保存数据。FRAM克服了EEPROM和Flash写入时间长、擦写次数少的缺点。其价格又比相同容量的不挥发锂电SRAM低很多。已在工控仪表、办公复印机、高档服务器等系统中应用，具有广阔的应用前景。     

Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究

采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关，对应500nmPZT，记忆窗口约3V．实验表明Au／PZT／SiO2／Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能．     

钛酸钡基铁电材料的介电非线性研究

通过A位或B位掺杂改性得到的钛酸钡基铁电材料,在外加直流偏置电场作用下,具有介电常数非线性可调的优异介电性能,可以广泛地应用于压控可调陶瓷电容器和微波可调器件领域。针对钛酸钡基铁电材料的介电非线性特性,讨论了BaTiO_3基铁电材料分别在铁电相、顺电相以及相转变温度场附近的介电非线性机理和相关理论;结合笔者近年来有关介电非线性研究的实验结果和相关文献报道,综述了不同A位离子(如Sr~(2-)和Ca~(2-)等)或B位离子(如Zr~(4 )和Sn~(4-)等)掺杂的BaTiO_3基铁电材料体系的介电非线性研究现状,分别对不同物质形态(陶瓷块体、薄膜和厚膜)的BaTiO_3基铁电材料的介电非线性研究及其应用进行了对比分析;并对钛酸钡基铁电材料今后的发展趋势和研究方向进行了展望。     

BST/MgO系铁电移相材料微波电性能的研究

采用正交设计实验方法分析了SnO2、MnCO3、B i2O3和A l2O3添加量对BST/MgO系铁电移相材料微波电性能影响。实验结果表明:SnO2的引入促进样品烧结,有助于降低低频和微波损耗,但过多的加入会产生第二相,会使微波损耗上升。Mn受主取代Ti产生空穴等缺陷,不利于微波损耗的降低,而等价取代类似SnO2的情况,有助于降低微波损耗,但过多的加入会产生第二相,也会使微波损耗上升。B i2O3对材料微波电性能有显著的影响,从离子半径匹配角度,B i2O3一般出现在晶粒间,形成玻璃相,一方面促进烧结,使致密化提高,低频损耗变小;另一方面低熔点的玻璃相引起微波损耗急剧上升。A l2O3对材料电性能影响不显著。     

Effect of SiO2 addition on the dielectric properties and microstructure of BaTiO3-based ceramics in reducing sintering

The effect of SiO2 doping on the sintering behavior,microstructure,and dielectric properties of BaTiO3-based ceramics has been investigated.Silica was added to the BaTiO3-based powder prepared by the solid state method with 0.075mo1%,0.15mo1%,and 0.3mo1%,respectively.The SiO2-doped BaTiO3-based ceramic with high density and uniform grain size were obtained,which were sintered in reducing atmosphere.A scanning electron microscope,X-ray diffraction,and LCR meter were used to determine the microstructure as well as the dielectric properties.SiO2 can form a liquid phase belonging to the ternary system of BaO-TiO2-SiO2,leading to the formation of BaTiO3 ceramics with high density at a lower sintering temperature.The SiO2-doped BaTiO3-based ce-ramics can be sintered to a theoretical density higher than 95% at 1220℃ with a soaking time of 2 h.The dielectric constants of the sample with 0.15mo1% SiO2 addition sintered at 1220℃ is about 9000.Doping with a small amount of silica can improve the sinter-ing and dielectric properties of BaTiO3-based ceramics.     

铌酸锂铁电薄膜的制备与表征

采用柠檬酸盐法制备铌酸锂铁电薄膜。探讨了柠檬酸（CA）和乙二醇（EG）的用量、pH和水浴温度等工艺参数对溶胶性能的影响。采用XRD和TG—DTA研究了铌酸锂（LiNbO3）晶相的形成过程，用XRD和AFM对所制得薄膜的物相组成和表面形貌进行了表征。结果表明，当前驱体溶胶的pH为7．5，水浴温度大于80℃，n（CA）：n（Li＋Nb）=3：1，n（CA）：n（EG）=1：2时，可以获得稳定性好的溶胶。薄膜经缓慢升温至800℃热处理，可以获得单相、表面光滑、晶粒大小均匀、晶粒大小为70nm的LiNbO3铁电薄膜。     

铁电薄膜平均极化性质的研究

是在热力学唯象理论的框架下,研究由两种铁电材料组成的铁电双层膜系统的极化性质.通过引入的两个参量:参量(描述铁电双层膜系统中两种铁电体的物理性能差异)和参量(描述铁电双层膜系统两种铁电体相变温度的差异),研究了不同温度和不同界面耦合系数条件下,铁电双层膜系统平均极化随这两个参量的变化情况.研究表明:参量增大时,铁电双层膜系统的平均极化随之增大.当取固定值时,平均极化随界面耦合系数增大而增大;随着温度t、参量的增大而减小.参量增大时,铁电双层膜系统的平均极化减小.当参量取固定值时,平均极化随着温度t的增大而减小;随着参量、界面耦合系数的增大而增大.