美科学家研制出体光伏材料

<正>据报道,美国科学家研制出了一种体光伏材料,用其制造的太阳能电池板成本低、效率高。40多年来,科学家们一直希望能研制出体光伏材料,其除了能利用紫外线的能量外,还能利用可见光和红外线的能量,新材料的问世终于让他们如愿以偿。新材料由宾夕法尼亚大学和德雷克赛尔大学的科学家携手研制而成,其有三大突出优势。首先,它制造出的太阳能电池板比目前占据市场主流的硅基太阳能电池板更薄。第二,其原材料比目前高端薄膜太阳能电池所用材料更便宜。第三,这种材料是铁电材料,这意味着其极性可打开也能关闭,有助于太阳能电池材料超越目前光电转化效率的理论限制。     

基于铁电材料的强脉冲核辐射探测器性能模拟研究

通过分析铁电核辐射探测工作原理及电路响应过程,建立电学信号与材料性能及辐射场波形的理论关系,利用程序GEANT4模拟了CFBR-Ⅱ堆泄漏中子和伽马在具有代表性的锆钛酸铅镧(PLZT)铅基陶瓷、钽酸锂单晶以及聚偏氟乙烯(PVDF)典型铁电材料中的能量沉积状况,获得了3种典型铁电材料用于核辐射探测的性能。3种探测器的探测灵敏度约为10~(-25)~10~(-27)C·m~(-2),其中PVDF探测器灵敏度最低,但其信号98%是由脉冲中子场贡献,因此PVDF探测器可用于高强度快中子脉冲波形测量。     

新技术揭示铁电纳米材料亚原子结构

正据物理学家组织网7月9日(北京时间)报道,最近,美国能源部布鲁克海文国家实验室、劳伦斯.伯克利国家实验室等利用电子全息摄影技术,拍下铁电纳米材料亚原子结构,并揭示了它的性质。研究人员指出,这是迄今拍下铁电亚原子结构最小     

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3单晶紫外可见近红外光学性质

通过温度依赖的透射和反射光谱研究了在准同型相界附近的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3(PMN-0.3PT)单晶光学性质.这种禁带宽度随温度范围不同变化规律不同现象,揭示了PMN-PT单晶温度依赖的复杂相结构.禁带宽度Eg在303 K是3.25 e V,临界点Ea是3.93 e V,临界点Eb是4.65 e V,它们随着温度的上升而下降,在453 K禁带宽度Eg是3.05 eV,临界点Ea是3.57 eV,临界点Eb是4.56 eV.这三个跃迁能量Eg、Ea、Eb分别对应从O 2p到Ti d、Ni d、Pb 6p轨道跃迁.它们随温度上升而下降的变化规律可以用晶格热膨胀和电子声子相互作用理论来解释.通过Tauc-Lorentz色散模型拟合得到了303 K到453 K温度范围的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O3-0.3PbTiO_3单晶光学常数及其随温度的变化规律,发现折射率n随着温度的升高而升高.     

铁电薄膜光生伏特效应的研究与应用进展

铁电薄膜材料不仅具备优良的铁电、介电性能,还具有反常光生伏特效应。尽管铁电薄膜理论上有较高的光电转换效率,但目前的效率仍然较低,还不宜用作太阳能转换器。综述了国内外锆酸盐系、铋系以及双钙钛矿等铁电薄膜光生伏效应的最新研究进展,并对其在光学检测设备、铁电光伏器件以及电铸无阻开关方面的最新应用进展进行了归纳总结。铁电薄膜光伏效应的产生机理、影响因素以及应用开拓等方面将是未来研究的重点。     

车辆底盘集中润滑系统智能控制器的设计

针对底盘润滑系统的传统控制器的缺点,提出了智能控制器的设计。该智能控制器能实现对底盘定时定量润滑,电机休止时间、工作时间可由用户根据车型和车况设定。通过使用铁电存储器,系统具有存储功能,存储时间可达100年,大大提高了润滑系统的可靠性。介绍了该控制器的硬件设计和软件设计。     

B2O3掺杂对Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO陶瓷介电性能的影响

采用XRD和SEM对B2O3掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO(简称为BSTM)陶瓷致密化行为和介电性能进行了研究。结果表明:掺杂适量B2O3可明显降低BSTM陶瓷的烧结温度,在1480℃时即可烧结致密化,比未掺杂的BSTM陶瓷烧结温度降低70℃;掺杂量不同,则B2O3在陶瓷体中的存在形式不同,引起其介电性能相应变化;1480℃下烧结,B2O3掺杂量为0.8%(质量分数)时,10kHz下测得试样的εr为138,tanδ为0.0034,εr可调率达12.6%(3MV/m),性能有所提高。     

La掺杂对BLT薄膜微观结构与性能的影响

采用sol-gel工艺低温制备了Si基Bi4–xLaxTi3O12(BLT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,600～650℃退火处理的BLT薄膜表面平整无裂纹,晶粒均匀,无焦绿石相或其它杂相,薄膜为多晶生长;La掺杂量x在0.5～0.85的BLT薄膜介电与铁电性能优良,其εr和tanδ分别介于284～289和(1.57～1.63)×10–2,4V偏压下薄膜的漏电流密度低于10–8A/cm2,Pr可达(13.0～17.5)×10–6C/cm2,Ec低至(102.5～127.8)×103V/cm。