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61.
铋过量对CaBi4Ti4O15铁电薄膜性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用溶胶凝胶法制备CaBi4 xTi4O15(CBT-x)铁电薄膜,探索了不同铋含量对CBT-x铁电薄膜样品的相结构、微观形貌和电学性能的影响,研究表明,当x为0.3时,样品的剩余极化强度达到最大值,2Pr= 8.7μC/cm2,矫顽场强2Ec=7.6kV/mm,相对介电常数的大小在(160±6)%范围内,损耗因子在0.05~0.08之间,适量的铋含量可以较好地抑制过多的氧空位、焦虑石相和其它杂相的产生.  相似文献   
62.
国内外已研究的网格化技术包括离子束刻蚀和激光化学辅助刻蚀。由于铁电体材料不易减薄至20μm以下,而且像元中心距也在逐步减小,采用离子束刻蚀技术实施网格化很困难。因此,为实现热释电非制冷焦平面探测器的网格化,减小热串音,提高器件的空间分辨率,采用了一套基于PID微机控制技术的激光化学辅助刻蚀系统对铁电材料进行了网格化刻蚀,较好地解决了大列阵铁电材料探测器的网状技术这一难题。  相似文献   
63.
车辆底盘集中润滑系统智能控制器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对底盘润滑系统的传统控制器的缺点,提出了智能控制器的设计。该智能控制器能实现对底盘定时定量润滑,电机休止时间、工作时间可由用户根据车型和车况设定。通过使用铁电存储器,系统具有存储功能,存储时间可达100年,大大提高了润滑系统的可靠性。介绍了该控制器的硬件设计和软件设计。  相似文献   
64.
B2O3掺杂对Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO陶瓷介电性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用XRD和SEM对B2O3掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO(简称为BSTM)陶瓷致密化行为和介电性能进行了研究。结果表明:掺杂适量B2O3可明显降低BSTM陶瓷的烧结温度,在1480℃时即可烧结致密化,比未掺杂的BSTM陶瓷烧结温度降低70℃;掺杂量不同,则B2O3在陶瓷体中的存在形式不同,引起其介电性能相应变化;1480℃下烧结,B2O3掺杂量为0.8%(质量分数)时,10kHz下测得试样的εr为138,tanδ为0.0034,εr可调率达12.6%(3MV/m),性能有所提高。  相似文献   
65.
La掺杂对BLT薄膜微观结构与性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用sol-gel工艺低温制备了Si基Bi4–xLaxTi3O12(BLT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,600~650℃退火处理的BLT薄膜表面平整无裂纹,晶粒均匀,无焦绿石相或其它杂相,薄膜为多晶生长;La掺杂量x在0.5~0.85的BLT薄膜介电与铁电性能优良,其εr和tanδ分别介于284~289和(1.57~1.63)×10–2,4V偏压下薄膜的漏电流密度低于10–8A/cm2,Pr可达(13.0~17.5)×10–6C/cm2,Ec低至(102.5~127.8)×103V/cm。  相似文献   
66.
分析了对铁电薄膜Bi4Ti3O12进行A位、B位掺杂时,Bi4Ti3O12铁电性及疲劳特性的改善及相应的理论解释,并指出Bi4Ti3O12值得进一步深入研究的领域。  相似文献   
67.
张勤勇  李言荣  蒋书文 《功能材料》2006,37(7):1067-1069,1072
从经典的成核长大理论出发,建立了STO铁电薄膜的晶化动力学模型,根据模型模拟了热处理温度以及升温速率对STO铁电薄膜微结构的影响.模拟计算结果表明,在热处理温度较低的情况下,薄膜的晶粒较大,晶粒尺寸分布也较宽.随着晶化温度的升高,晶粒生长受到抑制,晶粒较小.当升温速率较小时,晶粒生长充分、晶粒较大,但晶粒大小分布不均匀.当升温速率较大时,薄膜晶粒大小分布均匀,晶粒较小.模拟计算结果与实际情况一致.  相似文献   
68.
中温烧结PSBN系统铁电陶瓷结构和性能的研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
本文研究了中温烧结PbO-SrO-BaO-Nb2O5(PSBN)系统铁电陶瓷介电性能.通过XRD分析确定了主晶相为具有钨青铜结构的Pb0.7Ba0.3Nb2O6(PBN)、Ba0.27Sr0.75Nb2O5.78(BSN);分析了添加剂MnCO3、TiO2、Fe2O3、(MgCO3)4.Mg(OH)2.5H2O对PSBN系统铁电陶瓷介电性能的影响.由于这些添加剂的作用使该系统铁电陶瓷介电系数提高,居里区拓宽并向低温方向移动,绝缘电阻提高,损耗降低,制得高介(ε=4300±200)X7R瓷料.  相似文献   
69.
Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3系无铅压电陶瓷的制备工艺研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
利用XRD、SEM等分析技术 ,研究了Na0 .5Bi0 .5TiO3 -K0 .5Bi0 .5TiO3 系无铅压电陶瓷的合成温度 ,烧成工艺条件对陶瓷晶体结构、压电性能的影响。结果表明 ,合成温度提高有利于主晶相的形成 ,适当延长保温时间有利于材料的压电性能。该体系随着KBT含量的增加 ,烧结温度提高 ,烧结温度范围变窄。同时研究了极化工艺条件对材料压电性能的影响表明 ,提高极化电场和适当提高极化温度有利于压电性能的提高 ,但过高的温度由于受到材料高温下退极化的影响而导致材料压电性能变差  相似文献   
70.
当晶粒尺寸降到纳米量级时,材料会体现出许多有用性能,因此制备形貌规整,单分散性适于纳米自组装的铁电纳米晶成为研究重点。在总结铁电纳米晶制备与改性方法的基础上,选择了Glycothermal法制备Bax Sr1-x Ti O3纳米晶,并对产物进行测试与表征。  相似文献   
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