铁磁材料表面硬度无损测量方法的研究

通过实验研究了巴克豪森噪声强度与铁磁材料表面硬度之间的关系,结果表明,随材料硬度的降低巴克豪森器材怕的强度逐渐升高,因此可以利用巴克豪森噪声强度对材料的表面硬度进行无损测量。     

Kondo effect on electrical properties of TmIn3

We presented results of electrical resistivity, magnetoresistivity and Seebek effect measurements done in the paramagnetic state of an antiferromagnetically ordering intermetallic compound TmIn₃. It was found that the magnetic part of the electrical resistivity showed maximum at 18 K and the lgT dependence in temperature range 20<T<100 K. The magnetoresistivity was negative. The transversal magnetoresistivity fulfilled the single-ion Kondo scaling for temperatures 2<(T+0.5 K)<28 K. Thermoelectricpower displayed a sharp minimum at 10 K. Electrical properties indicated that TmIn₃ is likely a dense Kondo system.     

一种检测金属电导率的新方法

针对目前国内外金属电导率检测仪器必须由标准试块标定,且检测对象限制在所给标准试块的电导率范围内的状况,从理论上提出了一种检测金属电导率的新方法,即根据已知的散射场阻抗值,采用数值计算法反推出金属的电导率,以克服现有金属电导率检测仪器必须采用标准试块标定的局限性,扩大了被检测材料的范围,研制出实验性的电导率检测仪器.使用该仪器进行的实验表明,该检测方法可行,检测仪器可靠.     

具有宽过冷液相区的Fe73NbxAl5—xGe2P10C6B4非晶态合金的热稳定性和磁性

本文选择了成发为Fe73NbxAl5-xGe2P10C6B4（x＝0,1,5,原子百分比）的合金系。利用单辊急冷法制备出宽约5mm、厚度不同的条带,通过DSC、XRD以及Faraday磁天平、静态磁性测量仪等手段研究了合金的热稳定性、非晶结构和磁性能。发现含1％（原子）Nb的Fe73NbxAl5-xGe2P10C6B4合金的过冷液相区△Tx最宽,达到66K,且能制备出厚度大小100μm的完全非晶。整个合金都具有很高的饱和强化强度σs。经973K退火900s后,由于α－Fe等晶相的析出,使得各金的σs和Hc都迅速升高。     

基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga,Mn)As

介绍了一种基于 Ga As的新型稀磁半导体材料 ( Ga,Mn) As,包括 ( Ga,Mn) As的制备方法、结构特性、磁性质及磁输运性质。最后 ,展望了 ( Ga,Mn) As的应用前景     

低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响

利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜. 双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构，晶格参数为0.5683nm，据此推导出其Mn含量为7%. 磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K. 观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响，发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度，可以达到115K.     

用溶胶-凝胶法制备的Cu2Bi2Cr2O8薄膜 及其光学和铁磁性能研究

以硝酸铜Cu(NO₃)₂·3H₂O、硝酸铬Cr(NO₃)₃·9H₂O、硝酸铋Bi(NO₃)₃·3H₂O和乙二醇为原料,利用溶胶-凝胶工艺在石英衬底上制备了纳米Cu₂Bi₂Cr₂O₈薄膜。通过X射线衍射(X-Ray Diffraction, XRD)和拉曼测试对样品进行了表征。结果表明,Cu₂Bi₂Cr₂O₈薄膜具有良好的光学特性,其禁带宽度为1.49 eV;在磁性测试方面,Cu₂Bi₂Cr₂O₈薄膜呈现出了良好的铁磁性。     

Mn、Co掺杂ZnO稀磁半导体的研究进展

ZnO稀磁半导体是目前最有希望集成到传统半导体中的一种新型材料,具有室温铁磁性能的ZnO稀磁半导体不仅可以大幅减小电子元器件的体积、提高集成密度,而且在传输效率上也有非常大的提升。目前,具有室温铁磁性能的ZnO稀磁半导体的制备方法可重复性差,且其磁性来源尚无统一理论解释。为了梳理不同实验方法制备出的ZnO稀磁半导体磁性能及其来源,本文对近10年来纯ZnO和Mn、Co单元素掺杂ZnO以及Mn、Co双元素共掺杂ZnO的制备方法、磁性能及磁性来源研究进行了综述,并认为:在制备过程中掺杂过渡金属离子对提升ZnO稀磁半导体室温铁磁性能有明显效果;在较低含量的Mn、Co掺杂ZnO体系中,可实现较稳定的室温铁磁性;要更好地理解磁性来源,必须从原子尺度通过理论计算与实验相结合的方式进行探索。     

多晶Ca1+xB6陶瓷制备及其弱磁性能分析

分别采用常规烧结技术和热压烧结技术，根据固相氧化还原反应原理在不同温度制度下制备了多晶Ca1＋xB6（x〈0．04）陶瓷材料。物相分析发现，在烧结温度较低时，样品中含有较多CaB2O4相，随烧结温度升高，CaB2O4相逐渐减少；样品的铁磁性能分析表明，所制备多晶Ca1＋xB6陶瓷在室温下均呈铁磁态，这种现象与报道的CaB6单晶铁磁性行为存在差异.