松下NV—M7型摄录机故障检修实例

例1.故障现象:工作时磁带突然不能出盒,按出盒键无任何反应。分析检修:打开机壳,用手动方式取出磁带,仔细观察,发现加载电机驱动集成块IC6003供电限流电阻已烧断,说明该路负载电流过大。更换该电阻后试机。仍不工作,估计IC6003也已损坏。更换一只M54543L后开机,该机能工作。然后进一步查找负载电流过大的原因。检查发现带仓变形,从而使磁带运行阻力增大,引起电流过载,致使加载电机驱动块IC6003损     

化学-电解氧化法制备高铁酸钾的研究

本文用化学－电解氧化法制备高铁酸钾，克服了纯化学氧化法产品需要提纯和纯电解氧化法制备周期长的缺点，得到了高纯度的高铁酸钾晶体。     

在无铅环境中的热风整平

当电子工业走向无铅焊接的时候,热风焊料整平仍然是继续可焊性保护的优选方法。     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

ADIC iPlatform智能磁带库体系结构

本文介绍了ADIC iPlatform智能磁带库体系结构。     

High Temperature Property Development of Bauxite Based Bricks

Physical properties and microstructural evolution on firing of 3 types of bauxite based refractory bricks were carried out using techniques such as porosimetry,XRD and SEM.The groups differed from each other by progressive refining of the matrix or bond phase.It is revealed that such a refinement of the matrix can improve the high temperature properties of the bricks made from poor grade materials.     

浇筑式沥青混凝土心墙型式改进的建议

本文根据浇筑式沥青混凝土主、副心墙材料的性能，分折了沥青混凝土心墙施工或运行中破坏的原因，建议用编织一无纺复合布取代预制块，以避免主、副心墙材料变形性能相差悬残对心墙运行的不利影响，从而发挥浇筑式沥青混凝土心墙的优越性。