利用“废镍皮”制取结晶硫酸镍

在镀镍溶液中采用低电流密度电解处理金属杂质时,常用薄铁片制成瓦楞形板,做为假阴极,电解处理过程中,与Cu~(2+)杂质被还原成金属铜沉积在瓦楞板上的同时,还有相当一部分Ni~(2+)还原成     

镀镍云母导电复合材料的研究

对云母粒子化学镀镍及以LDPE为基材,镀镍云母粒子为填料制备的导电复合材料进行研究。认为此种导电复合材料只有质量轻、强度大及良好的导电等性能。     

半导体制冷晶体直接镀镍的研究

1　前言我公司是一个生产半导体制冷器的企业 ,在半导体N型、P型基材表面上需进行电镀。至今一直采用如下工艺 :晶片基材喷砂喷镍喷砂预镀镍镀镍浸锡切割组立上述表面处理工艺环节过多 ,成本较高 ,喷砂、喷镍中易引起晶片破裂。同时 ,因晶片表面受到高温、高压的冲击 ,影响制冷性能 ,导致半导体制冷器最高温差在△ 74°C ,低于国际先进水平的△ 76°C。据介绍 ,如果减少对晶体的热冲击 ,采用在半导体N型、P型晶片表面直接电镀 ,可以把温差提高 1.5～2 .0°C。但由于半导体制冷材料的特性 ,在这上面直接电镀镍层 ,镀层结合力不够稳定 ,平…     

利用脉冲和恒电流电镀满意微观表面的镀层

讨论了光滑或非均匀生长阴极表面的主要因素，这些因素包括溶液的电阻、金属离子到阴离子的扩散，其他组分到阴极的扩散，沉积表面的结构等。在恒电位和动电位条件下，利用低频和中频单极脉冲电流研究了镍在光滑和微观粗糙表面上的电沉积。     

射频辉光放电发射光谱在深度分析有效信息量方面的改进

评述了射频辉光放电发射光谱中的两种新的测量方法：调幅技术和偏置电流导电技术。这两种方法在分析薄膜试样时非常有效。应用调幅技术时，辉光放电电压以低频进行调制，在发射信号周期性变化的同时，溅射率降低。尽管随脉冲数的减少发射强度降低，但发射强度能用选频放大器选择性地进行检测，从而能获得较好的信噪比。在偏置电流导电技术中，直流偏置电流被导入由低通滤波器和负载电阻组成的辉光放电灯电路中，偏置电流将大量电子引入等离子体中，从而导致等离子体区域发射强度的增强，而同时由于偏置电流的减少而使得溅射率降低。这两种技术有利于改进辉光放电发射光谱的深度信息分析。     

Nd－Fe－B永磁材料镀镍EI

针对Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ永磁材料组成元素钕（Ｎｄ）的氧化还原电势较负（－２．４４Ｖ）的特点，通过探索性试验，详细研试了Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ合金产品除油、出光和浸镀工艺的效果和工艺参数。结果表明，按照确定的工艺规范进行施镀，显著地提高了镀镍层与基体之间的结合强度，改善了镀镍层的质量。     

用化学镀实现陶瓷微粒表面金属化

着重研究了预处理溶液的组成，工艺条件对ＳｉＣ陶瓷微粒表面状态的影响，探讨了化学镀镍工艺及条件条件对陶瓷粒向表面沉积过程的作用。成功地在陶瓷粒表面沉积了均匀的金属支，从而改善了复合材料的增强相和基体间的润浸性。