分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究

用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。     

锰铁合金中硅含量对锰铁合金氧化脱磷的影响

介绍了在1300℃下，以BaCO_3－BaF_2－MnCO_3系熔剂对Si含量不同的锰铁合金进行氧化脱磷的实验情况。结果表明，在该实验条件下，当脱磷剂用量分别为100g／kg合金和130－150g／kg合金时，合金中初始硅含量分别对应限制到［％Si］_i≤0.15％和［％Si］≤0.28％，可得到脱磷率η_p＞40％、锰氧化损失△［％Mn］＜0．5％。通过测定脱磷剂中SiO_2含量对相应渣系的磷酸盐容量C_p的影响关系：lgC_p＝26．996－0169（％SiO_2）估算得到．对应上述硅含量［％Si］的限制值，相应渣系磷酸盐容量的限制范围为lgC_p≥26．32或（％SiO_2）≤4％。     

阻燃剂胶体五氧化二锑

介绍了胶体五氧化二锑的物化性质、合成方法及国内外生产、应用现状。结合国内资源状况，讨论了胶体五氧化二锑的发展趋势及前景。     

ZrF4和原子态H的氧化还原反应

在ＺｒＦ４原料的制备和ＺＢＬＡＮ氟化物玻璃的熔制过程中，有黑色物质出现，本文通过化合物显色原理推断，只能是来自于ＺｒＦ４的被还原，而从反应自由能判断，ＮＨ４ＨＦ２和ＮＨ４Ｆ能因热分解而释放出原子态Ｈ，Ｐｔ也可以把ＮＨ３和Ｈ２催化分解而释放出原子态Ｈ。因为ＺｒＦ４和原子态Ｈ可以发生氧化还原反应，而得到ＺｒＦ３、ＺｒＦ２，而ＺｒＦ３和ＺｒＦ２正是黑色的，这就是黑色物质出现的原因。     

含砷难处理金矿石的生物氧化

为了确定加工过程中砷的最终结果，评价生物予处理对金提取的影响，研究了难处理合砷金矿石的生物氧化。试验是在半－间歇搅拌生物反应器、连续流搅拌生物反应器和巨柱式生物浸出系统中，使用铁和硫化物联合氧化细菌进行的。监测了生物氧化过程中硫化物的氧化和砷的溶解作用，并将其结果与随后进行的氰化试验过程中的贵金属的提取联系起来。另外，采用阴离子高效液相色谱／原子吸收光谱技术监测了存在于溶液中的亚砷酸盐［Ａｓ（Ⅲ）］和砷酸盐［Ａｓ（Ｖ）］浓度随时间的变化；还评价了最终尾矿和中和生物氧化溶液所得到的含砷矿泥的稳定性。浸出结果表明，使用生物氧化工艺从这种矿石中可获得９５％以上硫化物氧化率和４７％的砷提取率。在生物予处理后的氰化过程中金的提取率由４９％增加到约８０％。溶液中砷的总浓度高达１７ｇ／Ｌ对细菌数目并无明显的不利影响。在所有情况下，砷最初以Ａｓ（Ⅲ）形式溶解。典型的浸出液里Ａｓ（Ⅲ）的含量是Ａｓ（Ⅴ）的１８倍。由于Ａｓ（Ⅲ）化合物比Ａｓ（Ⅴ）化合物稳定性差且毒性大得多，因此矿泥物料在环境中的长期稳定性是至关重要的。本文将对矿泥毒性浸出过程稳定性试验结果加以论述。     

某含砷有色多金属矿的选矿研究

通过对生金皋含砷有色多金属矿的试验研究，选择合理的工艺流程及工艺条件，使该矿的目的元素铅、锌、银的品位、含杂及回收率指标均较理想。     

InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应

本文利用光电流谱方法研究了10—300K温度范围内In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应,在室温及低温下均观察到明显的吸收边场致“蓝移”现象,并对Stark-ladder激子跃迁的能量位置及振子强度随电场的变化给予详细讨论。实验结果表明,利用In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层超晶格的Wannier-Stark效应可以制作0.98μm波长范围的电光调制器和自电光双稳器件。     

Ti／RuO2＋SnO2＋Sb2O3／MnOx阳极的性能研究

本文制备了一种Ｔｉ／ＲｕＯ２（少量）＋display structuredisplay structure     

关于冷封闭槽液的工艺控制

通过一系列试验讲述了冷封闭槽液质量的工艺控制对封孔质量的影响情况,除了其中的主要阳离子,阴离子,干扰离子、pH值、温度、时间等因素对封孔质量有影响外,铝型材本身的膜厚数值对封孔质量也有很大的影响,这一点对铝型材大规模生产的质量控制是至关重要的。