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41.
提出了一种测定废铟锡氧化物(ITO)靶材中大量铟的方法。方法包括用盐酸溶样、盐酸-氢溴酸混合酸加热除锡,阳离子交换树脂分离杂质元素,最后用EDTA作滴定剂在pH2.3~2.5溶液中滴定铟。与铟共存的铁、锰、镁、铬、钙、锆、铪、钪、钨、硅、铈,经离子交换树分离后对测定没有影响,大量锡经盐酸-氢溴酸混合酸加热后已除去,溶液中残留锡可用冰醋酸掩蔽。铋不能被离子交换分离,对测定有干扰。方法用于ITO靶材中铟的测定,相对标准偏差为0.15%,回收率在99.8%~100.2%之间。  相似文献   
42.
研究了用于射频溅射PTC-BaTiO_3薄膜的厚大靶材制备工艺,所制成的靶材的室温电阻率为800Ω·cm,PTC效应>105,平均粒径为1~3μm,讨论了配方中TiO_2品种的选择、施受主添加剂的搭配与掺量以及烧成中的升降温速率对于PTC效应的影响  相似文献   
43.
试验研究了水浸超声波C扫描检测系统增益和水距对绑定后的ITO靶材绑定缺陷扫描结果准确性的影响.试验表明为测得准确的ITO靶材绑定率,需要计算理论水距,将C-SCAN设备的探头焦点放置在缺陷位置并设定正确的增益值,从而达到准确判断缺陷位置.  相似文献   
44.
采用自悬浮定向流技术制备了金属Fe纳米微粒,对样品平均粒度进行TEM等测试分析,研究了主要制备工艺条件对微粒粒径的影响。结果表明,自悬浮定向流技术可用以制备出不同粒度的金属Fe纳米微粒,其平均粒径随熔球温度的降低和冷却气体流速的增大而减小;在1500℃左右时,微粒平均粒径随冷却惰性气体Ar压强的增大而减小,而在1600℃时,气体压强对微粒平均粒径的影响不再具有规律性。  相似文献   
45.
氧化物靶材是一种关键性镀膜基材,主要用于磁控溅射制备TFT薄膜,并将其应用于晶体管等器件中透明电极、半导体沟道层,同时也广泛应用于显示面板领域。为满足高性能器件对薄膜的要求,氧化物靶材逐渐向高致密、大尺寸、异形化方向发展。以显示行业中氧化物靶材作为重点,介绍了氧化物靶材制备流程,主要从素坯成型、烧结工艺两个角度对氧化物靶材进行总结,分析了烧结工艺对靶材参数与溅射薄膜电阻率、光学透射率及粗糙度等方面的影响,最后阐述了国内外氧化物靶材市场的现状及发展趋势。  相似文献   
46.
磁控溅射金基合金靶材的制备、应用及发展趋势   总被引:3,自引:1,他引:2  
磁控溅射金基合金镀膜材料以其特有的性能和特点,应用范围越来越广。作为源材料,金基合金靶材的质量对溅射工艺及镀膜性能起着至关重要的作用。主要介绍常用金基合金的种类;金基合金溅射靶材的制备方法及应用现状;高端金基合金溅射靶材制备的技术要求、存在的问题及未来的发展思路。  相似文献   
47.
采用通孔泡沫铝作基体的"包壳密封法"制备高含量NaI的Al-NaI放射性嬗变靶材。分别在20、50和80℃的蒸馏水中对未烧结和烧结过的Al-NaI放射性嬗变靶材进行水化学稳定性试验。用AAS-800原子吸收光谱仪对浸出时间分别为24、48、72和96 h的浸出溶液进行浓度测量,从而计算出不同条件下各种嬗变靶材在蒸馏水中的浸出率。结果表明,烧结后的靶材浸出率不会超过10%,远远低于未烧结的靶材,满足NaI嬗变率测量的实验要求。  相似文献   
48.
采用水洗、干燥工艺对普通钼粉进行后处理,以探究其对钼粉性能的影响。试验发现:钼粉经水洗干燥后,Fe、Ni等杂质元素含量变化不大,K元素含量明显降低;通过控制干燥时间,可将钼粉中的O含量控制到1 000×10-6以下;水洗后,钼粉中细颗粒和团聚体有所减少,粒度分布变窄,松装密度和费氏粒度出现了一定幅度的上升。钼粉经水洗之后某些性能指标满足靶材钼粉的要求,为靶材钼粉的制备提供了新的思路。  相似文献   
49.
《中国铅锌锡锑》2005,(4):52-52
经过长时间的精心准备,在株冶集团技术中心、科技发展部和ITO事业部等有关单位和领导的大力支持和协助下,株冶集团公司博士后工作站于近日完成了首次中型ITO靶材的热等静压实验,实验结果令人鼓舞。此次压出的ITO靶材是一个非常完整的圆柱体,其直径为200毫米,高150毫米。样品的平均实测密度达7.10克/每平方厘米,为理论密度的99%以上。  相似文献   
50.
W/Mo/石墨复合靶材的制备与研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
通过粉末冶金技术,采用真空高温热压烧结工艺,制备了W/Mo/石墨复合靶材,并对其显微组织、结合状态、密度和硬度等性能进行了测试,结果表明在1700℃,保温4 h,采用Zr,Ni,Tj混合粉作为粘结剂,热压条件下制备的W/Mo/石墨复合靶材,组织致密均匀,W,Mo层过渡平缓,结合界面良好,结合强度高.Mo层的硬度达到Hv250左右.  相似文献   
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