放电等离子烧结技术制备Tb-Fe-Co/Ti复合梯度磁光靶材

采用放电等离子烧结技术制备了Tb—Fe-Co／Ti复合梯度磁光靶材。利用扫描电子显微镜和电子能谱对材料的显微组织形貌及化学成分进行了观察和分析。结果表明，这种Tb—Fe-Co／Ti复合梯度靶材具有宏观组织不均匀性和微观组织连续性的特征。各梯度层之间的原子扩散现象不明显。层间界面结合良好，不存在微裂纹，从而具有较好的力学性能。     

ITO废靶材回收制备代汞缓蚀剂用氢氧化铟的研制

介绍了用ITO废靶材通过湿法技术再生回收制备代汞缓蚀剂用氢氧化铟的工艺和氢氧化铟粉体的物理化学性能。制备的氢氧化铟粉末纯度高、粒度分布均匀,符合无汞碱性电池代汞缓蚀剂要求,过程达到了有色冶金节能、环保和循环经济的目的。     

高频滤波器件中AlSc材料的应用及研究进展

伴随5G高频移动通信、物联网时代到来,微机电系统（micro-electro-mechanical system, MEMS）器件在国防安全、工业智能和智能生活等领域拥有巨大应用市场,基于压电效应的射频滤波器、传感器、换能器等是重点发展的关键半导体器件。为满足器件的高频、大带宽、小型化、集成化需求,具有高机电耦合系数并且与当前集成电路工艺高度兼容的AlScN薄膜是新一代压电MEMS器件的核心。AlSc二元合金靶材作为磁控溅射工艺制备AlScN薄膜的关键材料,其品质的好坏直接决定薄膜性能的优良。本文以AlScN压电薄膜在高频滤波器中的应用为背景,介绍了Sc掺杂AlN薄膜的研究进展,阐述了AlSc二元合金溅射靶材在磁控溅射制备AlScN薄膜中的优势,论述了AlSc二元合金靶材的制备方法和关键性能表征,分析了国内外在此领域的研究成果及未来的研究方向。深入开展AlSc二元合金溅射靶材的制备及应用研究,有助于推进新一代信息技术用高纯稀土靶材的研发进程,具有显著的现实意义。     

ITO靶材热等静压致密化工艺研究

用化学共沉淀法制备的ITO复合粉末经冷等静压成形后进行热等静压致密化,热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层,实验研究了热等静压主要工艺参数对ITO陶瓷靶材致密化的影响,实验结果表明:靶材的相对密度在大约1000℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当延长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低,分析了ITO在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用,还解释了ITO复合粉末部分脱氧使ITO陶瓷半导化的机理。     

辉光放电磁控溅射靶材利用率和刻蚀均匀性方法研究与进展

磁控溅射靶表面磁场的非均匀分布使靶的溅射性能受到了靶材利用率低和刻蚀均匀性差的制约,因此寻求一种较高靶材利用率且在靶材表面的大面积范围内均匀溅射的方法成为研究的热点.简要介绍了辉光放电磁控溅射技术基本原理,综述了近20年来国内外研究机构和学者提高靶材利用率及刻蚀均匀性的主要方法.对已报道的优化磁极结构、辅助磁场、动态磁...     

大型旋转圆柱形磁控溅射器

提出并研制成功了一种新型旋转圆柱形磁控溅射器。由于该溅射器采用静止的电磁场及匀速旋转圆简形靶材的新型结构，因此它具有靶材利用率高、使用周期长、换靶时间短等优点。可广泛适用于建筑物的幕墙玻璃等大型薄膜生产设备中。     

杆式弹对金属靶侵彻的实验研究

本文分别用两种不同的杆式弹撞击钢，铝、铜，钛，铅，钨六种金属靶材。通过实验的方法，研究杆式弹对不同金属靶材的侵彻关系，结果表明，杆式弹对金属的侵彻深度与成正比。     

霍尼韦尔电子材料部深耕中国半导体市场

3月23日,在SEMICON China2006霍尼韦尔展台前向本刊记者详细介绍了其公司电子材料部的有关情况并回答了部分记者的系列问题."霍尼韦尔特殊材料集团电子材料部,在全球有17个设施,分布于美国、中国、加拿大、德国、日本、韩国、新加坡、台湾和泰国等,员工总数为1,300人.对半导体行业来说,最重要的就是社会责任心与安全."郭泰隆说,"而我们整个业务的益处就是实现环保与安全的最佳值,还对满足未来和今后行业要求的进行材料研究.我们将独特的方法与关键的实力结合起来以解决复杂的问题,主要有化学,包括电介质、电子化学品;冶金,包括溅射靶材、封装和燃烧室管理."     

电浆电弧气凝合成法制备氧化钨纳米棒

以电浆电弧为加热源蒸发钨靶材,外加一套吹气装置,通过气凝合成机制制备氧化钨纳米棒,分别探讨腔体压力与纳米棒平均直径及产率的关系.研究结果显示,W5O14纳米棒的平均直径和产率都随着腔体压力增加.当腔体压力从26.7增至101.3 kPa时,粉末产率由0.383增至0.729 g/h,平均直径从13.2增加到28.4 nm.由透射电子显微镜的观察可知氧化钨纳米棒为单晶结构,晶格平均间距(d-spacing)为0.38 nm,晶面以[010]方向来成长,成长机制可透过气-固相(Vapor-Solid,VS)模型来作解释.