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91.
掺杂Pb^2+,Mn^2+的SrB6O10发光材料的探讨   总被引:3,自引:2,他引:1  
  相似文献   
92.
竺逸年 《光通信研究》1998,(1):38-40,60
用2W爽线输出功率的氩离子激光器照射Sm^+2/Sm^+3掺杂铝硅基玻璃光纤能产生0.0051%的永久性折射率变化,通过测量LP11模截止波长偏移能检测该光纤的光敏特性,同时在可见光区域能观察到宽消感应吸收带,钐掺杂光纤光敏特征是由多光子增强的Sm^+2离子消感应吸收过程所致。  相似文献   
93.
本文我们首次建立了δ掺杂AlGaAs/GaAs高电子迁移串晶体管(HEMT)的二维量子模型,这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性,根据这个模型,我们应用二维数值模拟方法和自治求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二维电子浓度,同时也得到了器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度.模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结GaAs一侧量子附中.详细讨论了不同栅压和不同漏压下HEMT沟道中的二维电子浓度的分布及变化.  相似文献   
94.
本文介绍了25伏-15000微法·伏/克钽粉的性能和用途,对前掺杂、低温包覆、钠还原、脱氧、酸洗、分级、调配工艺进行了实验和论述。  相似文献   
95.
96.
97.
掺杂对γ—Fe2O3气敏元件灵敏度及其它特性的影响   总被引:8,自引:1,他引:7  
刘冠威  苏世漳 《功能材料》1994,25(3):243-250
  相似文献   
98.
徐至中 《半导体学报》1996,17(5):321-327
在有效质量近似基础上,采用非均匀网格有限差分法,通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解,得到了生长在Ge0.3Si0.7(001)衬底上的势垒区8掺杂量子阶Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布.讨论了量子阶的几何结构参数——阱宽及δ掺杂位置和δ掺杂密度对势阱内电子密度分布的影响.  相似文献   
99.
翡翠收藏     
万君 《中国宝石》1996,5(3):16-18
  相似文献   
100.
评术字制备纳米级掺杂结超晶格材料的MBE技术,给出了材料性能和器件研制结果,从微结构设计出发,研究了平面掺杂GaAs/Al(Ga)As超晶格结构二维电子气有关性质,实验研究取得了重要的进展。  相似文献   
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