高压电机绝缘自动检测装置

介绍一种单片机控制的高压电机绝缘自动检测装置的检测原理、系统组成及软硬件设计。并介绍了该装置在处于“热备用”的设备中的应用。     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

电源技术

优化型DirectFET MOSFET 国际整流器公司(IR)在其DirectFET MOSFET系列中新增三款20V N沟道器件.该器件经过全面优化,适用于VRM10功率系统及新一代Intel和AMD处理器中的高频、大电流直流-直流转换器,应用范围包括高端台式计算机和服务器,及先进的电信和数据系统.     

喷灌结合法在构筑福州解放大桥北端防洪堤防渗体系中的应用

该文介绍将高压旋喷注浆法和静压灌浆法两种施工工艺结合起来，应用于福州市解放大桥北桥头防渗体系加固工程中，总结出在复杂地层中构筑防渗墙的施工经验。通过该工程的应用提高了高压旋喷注浆和静压灌浆的技术水平和应用范围。     

精梳毛纺细纱机磁性回转导纱器

介绍了国外，重点是国内spinmaster（磁性回转导纱器）的有关情况和样机技改纺纱实践初步分析。     

洼60-H26水平井套铣打捞技术

洼60-H26井是一口中曲率水平井,设计井深1 922 m,由于地面条件的限制,设计采用三维井眼轨道。该井水平段在钻至井深1 801 m时,发生卡钻事故。在卡钻事故处理过程中,采用测卡、爆炸松扣技术取出上部钻具后,应用了不同规格的套铣管对被卡钻具进行套铣,采用间歇式套铣方式实现了大斜度井段(45°-90°)的安全套铣,采用短套铣管完成了时水平井段内φ215．0 mm稳定器的套铣,采用φ228．6 mm套铣管成功套铣水平井段被卡LWD仪器,最后通过震击器震击成功解卡。详细介绍了洼60-H26水平井卡钻事故的处理过程,分析了在水平段处理卡钻事故的难点。该井处理卡钻事故的经验,对以后水平井施工中处理井下事故、打捞贵重仪器具有借鉴价值。     

高压合成Nb1-xB2（0〈x〈0．7）超导体的结构转变、电子结构和超导电性研究

自从MgB2（Tc=39K）超导体发现以来，AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近，我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2（0〈x〈0．7）化合物，得到了单相AlB2结构的样品。当0．2≤x〈0．5时，样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明，随着Nb含量的减少，晶格参数在x≈0．2处发生突变，在a-b面内收缩，沿c轴方向拉长。为了深入理解Nb1-xB2中超导特性与结构转变和电子结构的关系，我们对一系列Nb1-xB2样品进行了电子能量损失谱的测量；并且利用第一原理计算分析了材料的电子结构随成分变化的关系，得到了与实验一致的理论结果。