高压偏移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ＾６０－γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明：；击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外，γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用。     

驱动压电陶瓷的高压放大器

概述了高压放大器的基本组成，以及采用高压稳压电源措施，提高高压放大器的性能，并简述了高压放大器输出级的工作原理，给出了过渡保护方法。     

大柳塔热电厂Ⅱ期主厂房的地基处理

本文通过对电厂主厂房地基处理方案的比较，主要介绍了高压加筋旋喷桩在该地质条件下的适用性及通过工程桩检测对所选方案的评价。     

用于高压电容器的SrTiO3基陶瓷

报道ＳｒＴｉＯ３基陶瓷的制备方法和介电性质，给出了用此种陶瓷制成的高压电容器的试验结果，并对它位进行了讨论。     

煤矿6KV电网对地绝缘参数测量装置的研究

根据我国煤矿６ＫＶ电网对地绝缘电阻的测量现状，在理论分析和实验室试验基础上提出采用附加直流电 不需要制造电网人为故障状态。     

高压喷射灌浆防渗墙三维有限元应力应变分析

本文采用邓肯非线性弹性数力模型,对广州珠江水下隧道黄沙段基坑开挖截渗工程高喷防渗帷幕板墙的应力应变进行三维有限元分析,计算中采用了中点增量法。分析中考虑了高喷防渗帷幕板墙不同墙体弹模、板墙夹角及厚度的多个方案。本文为寻求安全可靠、经济合理的高压喷射灌浆防渗墙体系,提供了一条微机科学计算分析的有效途径与方法。