不同界面层对HfTaON栅介质MOS特性的影响

采用磁控溅射方法,在Si衬底上制备HfTaON高k栅介质,研究了AlON、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明,HfTaON/AlON叠层栅介质结构由于在AlON界面层附近形成一种Hf-Al-O"熵稳定"的亚稳态结构,且AlON具有较高的结晶温度、与Si接触有好的界面特性等,使制备的MOS器件表现出优良的电性能:低的界面态密度、低的栅极漏电、高的可靠性以及高的等效k值(21.2)。此外,N元素的加入可以抑制Hf和Ta的扩散,有效抑制界面态的产生,并使器件具有优良的抵抗高场应力的能力。     

国外InP HEMT和InP HBT的发展现状及应用

在毫米波段,InP基器件由于其具有高频、高功率、低噪声及抗辐射等特点,成为人们的首选,尤其适用于空间应用.InP HEMT和InP HBT已在卫星、雷达等军事应用中表现出了优异的性能.分别介绍了InP HEMT和InP HBT器件及电路的发展现状,现在能达到的最高性能及主要生产公司等,其中InP HEMT又分别按低噪声和功率进行了详细介绍.介绍了它们在军事上的主要应用,以具体的应用实例介绍了在卫星相控阵雷达系统天线中的T/R模块中、航天器和地面站的接收机中、以及雷达和通信系统中的应用情况、达到的性能及可靠性等.并根据国外InP器件和电路的发展现状总结了其未来发展趋势.     

Ka波段AlGaN/GaN HEMT栅结构仿真研究

为了研究适合Ka波段AlGaN/GaN HEMT的栅结构尺寸,借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas,在完善仿真模型的基础上研究了Γ型栅各部分对AlGaN/GaN HEMT特性的影响,包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响,以及栅金属厚度对fmax,栅场板对fT、fmax和内部电场的影响。根据典型器件结构和材料参数的仿真表明,为了提高频率并减轻短沟道效应,栅长应取0.15～0.25μm;减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应,但会明显降低器件的饱和漏电流,综合考虑栅调制能力、饱和漏电流、短沟道效应三个方面,栅与沟道距离应取10～20nm;为了提高fmax,栅金属厚度应大于0.4μm;缩小栅场板长度可有效提高器件的频率,兼顾Ka波段应用和提高击穿电压,栅场板长度应在0.3～0.4μm左右。仿真得出的器件性能随结构参数的变化趋势以及尺寸数据对于Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研究具有参考意义。     

宽带数字中频设计

在3G直放站中,基于软件无线电的数字中频技术得到广泛应用。提出一种针对高中频信号的宽带数字中频设计,优点是减少模拟环节,降低信号失真,减小噪声,简化电路,实现数字中频带宽、频带可调。分析了方案设计、硬件结构、FPGA实现,提出了自动增益控制一种新的设计思路。测试结果表明了方案的可行性。     

强光辐照下白宝石高反镜尺寸对热变形的影响

为了进一步减小白宝石（Al2O3）高反镜在强光辐照下的热变形,提高光束质量,研究了白宝石高反镜厚度、直径尺寸对热变形的影响。采用以极坐标表示的热传导方程和热变形公式来描述白宝石高反镜的温度场分布和位移场分布;在有限元分析软件中建立数值计算模型,并计算了不同厚度、直径尺寸下的温度场和位移场,得到了热变形随厚度尺寸和直径尺寸变化的规律。结果表明,影响白宝石高反镜反射面峰谷值变化的主要因素是温度,而尺寸变化对温度和刚度均有影响;选择合适的高反镜直径和厚度尺寸,可以有效降低镜面温升,同时得到合适的轴向结构刚度,从而减小反射镜镜面热变形。该研究结果对强光辐照下白宝石高反镜尺寸设计和选择具有一定的参考价值。     

多台阶相幅型菲涅耳波带片的矢量衍射

用矢量Rayleigh-Sommerfeld(VRS)衍射理论分析计算了高数值孔径多台阶相幅型菲涅耳波带片(M-SHFZP)的聚焦场分布。当线性偏振光垂直入射到M-SHFZP,结果显示:1)由于薄膜透射率随着刻蚀台阶深度发生变化,致使实际的M-SHFZP的聚焦强度小于多台阶纯相位型菲涅耳波带片(M-SPFZP)的聚焦强度,但是M-SHFZP的聚焦光斑大小基本上与M-SPFZP的相同;2)聚焦光的强度随着台阶数的增加而增加,但聚焦光斑的大小不随台阶数变化;3)对于低数值孔径的M-SHFZP,光轴上的强度呈现一个多焦点分布,但是对于高数值孔径的M-SHFZP,高级焦点的强度被大大抑制。台阶数愈多,数值孔径愈大,抑制高级次焦点的能力愈强。VRS矢量衍射理论的计算结果与时域有限差分法(FDTD)模拟结果基本一致。     

HINOC2.0系统中高速LDPC译码器结构设计

介绍了在第二代同轴电缆宽带接入技术HINOC2.0中信道编码LDPC码译码器的设计难点,针对方案中高吞吐量的难点,提出了几种译码器的硬件结构,并且给出每一种结构在满足吞吐量要求时的资源消耗。为译码器的硬件实现提供参考,并给出了硬件资源分析和仿真结果作为理论依据。     

保偏光纤耦合器新型封装材料的稳定性研究

分析了以往保偏光纤耦合器封装工艺存在的一些技术缺陷,以及在试验过程中这些缺陷对保偏光纤耦合器造成的不良影响.针对存在的问题,提出了一种新的高稳定性的材料——低温玻璃封装用于耦合器的封装,经过一系列实验(工作温度,高温寿命,交变湿热,温度冲击),并对实验结果分析,新的封装基本达到预期目标.     

华为信息（二）

华为与沙特Mobily合作发展智能网络：近日,华为与沙特阿拉伯的Mobily签署了一份合同,以在该国推出一张“智能网络”。基于本协议华为将与沙特移动运营商在未来5年中就一系列业务和市场研究项目进行合作,包括探索Mobily最大限度发挥其现有基础设施价值的方式。在以高带宽需求和随时随地接入为标志的时代,Mobily与华为最新的“智能网络倡议”将非常有助于Mobily网络的未来演进,以及更高效、更快速地向沙特公众提供未来的数字化服务。     

高土壤电阻率地区变电站接地设计研究

变电站接地是维护变电站安全可靠运行、保障运行人员和电力设备安全的重要措施。特别是高土壤电阻率地区变电站接地系统设计是非常重要的,本文通过对变电站接地系统的设计流程、接地电阻的计算方法、降低接地电阻的措施以及接地材料的使用等问题进行论述,可作为高土壤电阻率地区变电站接地设计参考。