紫坪铺1号泄洪洞导泄结合段抗蚀耐磨处理的环氧砂浆施工与质量控制

采用改性NE-II型环氧砂浆,对紫坪铺1号泄洪洞导泄结合段(原1号导流洞)进行抗冲耐磨补强处理。其材料性能、施工方法及工艺流程、质量控制与质量检测等,满足设计和技术规程要求,同时提出了在环氧砂浆施工及质量控制中应注意的问题及体会,可供类似高流速水工建筑物过流面抗冲磨补强处理借鉴、参考。     

正确使用DV磁带

DV摄像带种类不多,现在家用DV主要使用微型DV带,也就是常说的MiniDV带,它的尺寸只有66 mm×48 mm×12.2 mm,一般DV盒带上有4个金属电极,有些DV带还装入4 kB的半导体存储器,它们的功能是用来判别盒带的种类型号、磁带厚度、出厂情况以及用来存储或引导索引数据,可以记录拍摄时的重要数据,MiniDV带的制造工艺是在带基上进行金属蒸镀,具有较高耐磨强度和较强磁性能.     

制备条件对硅基介孔分子筛孔结构的影响

采用溶剂热法制备了硅基介孔分子筛材料,较系统地考察了晶化温度、晶化时间及焙烧温度等因素对其结构的影响,并利用N2吸附手段进行了表征.结果表明,晶化温度和晶化时间能明显影响硅基介孔材料的结构,而过高的焙烧温度易导致介孔结构的塌陷.     

介孔-大孔结构无定形硅-铝催化剂的核磁共振研究

合成了具有介孔-大孔双模型分级结构的无定形硅-铝催化剂,利用硅和铝核的固体魔角核磁共振谱,考察了合成样品中硅和铝结构上的原子特征.     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.