36%渗乐乳油

３６％渗乐乳油田ＨＰ－１增效剂与乐果及其他助剂调配而成。五年田间小区和大田药效试验证明：３６％渗乐乳油高效，安全，用量少，对各类蚜虫防效优异。     

ZG31Mn2Si履带板的铸造工艺

采用ＺＧ３１Ｍｎ２Ｓｉ替代ＺＧＭｎ１３生产拖拉机和推土机履带板．改进铸造工艺，可以生产出合格的铸件；经淬火、低温退火处理，其基体组织为马氏体，属强韧性钢种，能够切削加工．     

液相颗粒包裹法制备PbNb2O6微粉的研究

本文介绍了一种采用液相颗粒包裹技术制备功能陶瓷微粉的新方法.这种方法有如下特点:(1)方法简便,不需要特殊的设备,便于扩大应用于工业生产;(2)粉体颗粒尺寸小而均匀;(3)粉体化学组成偏离小、且均匀;(4)适应性强,从双组分至十多组分的材料微粉制备均可采用;(5)特别适用于一些含有难溶组分、用液相法无法制备的材料.本工作采用这一方法,成功地制备出 PbNb_2O_6微粉,其平均腰粒尺寸<0.5μm,分散性及化学均匀性好,烧结活性高,烧结温度可以降低近100℃,瓷坯密度可达理论密度的96%以上.     

1，4－丁二醇的生产及市场需求

介绍了１，４－丁二醇的生产工艺、生产能力、产量和市场需求。     

LD钢超塑性压缩变形参数与金相组织

通过对ＬＤ（７Ｃｒ７Ｍｏ３Ｖ２Ｓｉ）模具钢起塑性压缩变形后的金相组织观察研究，分析了变形参数、原始组织对变形后金相组织的影响。     

涡轮钻具在高陡构造的应用及展望

介绍了涡轮钻具在秋参1井的应用情况,详细叙述了涡轮钻具在山前高陡构造快速钻进及防斜打直方面的优点,与常规钻井相比,机械钻速明显提高,钻井周期明显缩短,钻井成本明显下降,经济效益显著。     

减粘裂化分馏塔顶系统的腐蚀及防护

辽河石化分公司减粘裂化装置改炼辽河超稠油的减压渣油后 ,分馏塔顶系统由HCl -H2 S -HCN -有机酸 -H2 O引起的电化学腐蚀严重 ,其中油水分离器局部腐蚀速率达 3.1mm/a ,12AlMoV管束的空冷器运行不足两个月即发生泄漏。塔顶系统采用BZH - 1中和缓蚀剂、无机氨BZH - 913油溶性缓蚀剂综合注剂方案 ,使腐蚀得到控制     

7-羟基全氢化噁唑并噁嗪鞣剂的合成及其鞣性研究

报导了新型鞣剂 7-羟基全氢化唑并嗪 (以下简称 OX- Z)的合成方法。试验确定合成的最佳条件为 :在氮气保护下 ,将等摩尔量的二乙醇胺在 10℃水浴中缓慢滴入乙二醛中 ,滴加时间 0 .5 h,在 2 0℃水浴中继续反应 1.5 h,产率为 6 2 .9%。 OX- Z对浸酸绵羊皮单独鞣制 ,可使收缩温度升高到 87℃。最佳鞣制条件为 :p H10 .0 ,OX- Z用量 5 % ,鞣制时间 8h。在对 OX- Z与皮胶原的结合类型的研究中证明它们之间是以化学键结合的。     

IPv6与欧洲

在推进IPv6的问题上,亚洲表现的最为积极,这是因为亚洲各国承受着巨大的IP地址方面的压力。欧洲虽然在这方面没有这样大的压力,但在互联网方面一直落后于美国,这是欧洲所不甘心的。因此,欧洲在推进IPv6方面也做了许多工作。欧洲推进IPv6的基本策略是先移动,后固定,并实施了一系列的行动计划和项目。欧洲面临的挑战主要是已经部署了数量巨大的网元、操作系统与软件应用必须予以更新、互通或取代,需要仔细规划和大量投资。     

Electrical and growth characteristics of Au/Al0.15Ga0.85N:Si structures with various Si incorporations

We have investigated the growth characteristics of n-Al_0.15Ga_0.85N:Si/GaN and the electronic properties of Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si diode structures grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with various Si incorporations. The Al_0.15Ga_0.85N:Si layers were grown on undoped GaN/sapphire (0001) epitaxial layers in a horizontal MOCVD reactor at the reduced pressure of 300 torr. The mirrorlike surface, free of defects, such as cracks or hillocks, can be seen in the undoped Al_0.15Ga_0.85N epilayer, which was grown without any intentional flow of SiH₄. However, many cracks are observed in the n-Al_0.15Ga_0.85N:Si, which was grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min. While Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si diodes having low incorporation of Si showed retively good rectifying behavior, the samples having high Si incorporation exhibited leaky current-voltage (I-V) behavior. Particularly, the Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si structure grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min cannot be used for electrical rectification. Both added tunneling components and thermionic emission influence the current transport at the Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si barrier when Si incorporation becomes higher.