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161.
分别以94%品位高钛渣和90%品位高钛渣为原料,采用沸腾氯化工艺制备粗TiCl4,分析了两种品位高钛渣对沸腾氯化工艺的影响。结果表明:94%品位高钛渣由于其活性低而对沸腾氯化工艺的影响较大。  相似文献   
162.
163.
针对矿车铸件的生产工艺,大胆引进消失模工艺,通过实践及对生产过程的经验总结,为进一步完善提高生产技术和改进措施,扩大消失模工艺在其他产品的应用提出了意见。  相似文献   
164.
在冶金热力学和动力学及反应工程学原理的基础上,建立了模拟复吹转炉冶炼过程的数学模型.在用梅钢150t复吹转炉工业试验的结果对模型加以验证之后,利用模型对具有中高磷铁水特点的梅钢转炉吹炼工艺进行了分析讨论.  相似文献   
165.
介绍了宝鸡民营钛工业在新材料、新技术、新设备、新应用方面的进展,提供了市场需求与发展前景方面的相关信息,并对中小型钛加工企业的发展提出建议。  相似文献   
166.
The infrastructure renewal program at MIT consists of a large number of projects with an estimated budget that could approach $1 billion. Infrastructure renewal at the Massachusetts Institute of Technology (MIT) is the process of evaluating and investing in the maintenance of facility systems and basic structure to preserve existing campus buildings. The selection and prioritization of projects must be addressed with a systematic method for the optimal allocation of funds and other resources. This paper presents a case study of a prioritization method utilizing multi-attribute utility theory. This method was developed at MIT's Department of Nuclear Engineering and was deployed by the Department of Facilities after appropriate modifications were implemented to address the idiosyncrasies of infrastructure renewal projects and the competing criteria and constraints that influence the judgment of the decision-makers. Such criteria include minimization of risk, optimization of economic impact, and coordination with academic policies, programs, and operations of the Institute. A brief overview of the method is presented, as well as the results of its application to the prioritization of infrastructure renewal projects. Results of workshops held at MIT with the participation of stakeholders demonstrate the feasibility of the prioritization method and the usefulness of this approach.  相似文献   
167.
相移掩模的制作   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文阐述相移掩模技术研究中,常用的几种主要相移掩模制作方法,重点介绍了无络PSM、Levenson交替型PSM、边级PSM、亚分辨辅助PSM以及激光直写制作PSM的方法。  相似文献   
168.
根据啮合型同向旋转双螺杆挤出非充满熔融的理论模型,对描述非充满熔融过程的主要物理量:固相高度变化函数、熔融速率及熔融区总长等进行了计算分析,并对有关影响因素进行了讨论。  相似文献   
169.
分析了α-Si∶H薄膜的质量和厚度对α-Si∶HTFT关键性指标的影响,深入、详细地讨论了其PECVD淀积工艺,并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数,从而获得了高性能的75mm372×276像素α-Si∶HTFT有源矩阵  相似文献   
170.
吴正立  严利人 《微电子学》1996,26(5):339-341
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。  相似文献   
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