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晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状 总被引:2,自引:0,他引:2
晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同,晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展,最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况,指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。 相似文献
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聚氨酯-聚丙烯酸酯共聚乳液的成膜和性能 总被引:4,自引:0,他引:4
通过XPS和接触角测试研究了聚氨酯-聚丙烯酸酯共聚乳液在不同基材上的成膜情况,并对共聚胶膜的耐水性和附着力进行了考察.由于该共聚乳液同时存在着亲水组分和疏水组分,所以它在不同的基材上成膜可导致其膜表面的组成成分不同,因而导致其耐水性和附着力也随基材而异。结果表明,亲水性的聚氨酯组分均富集于胶膜内部,但胶膜底层聚氨酯组分的含量却随基材的不同而不同。在憎水且表面张力较高的基材上,共聚胶膜的耐水性良好;共聚胶膜的附着力在表面张力较高的基材上也良好。 相似文献
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立方氮化硼(cBN)是一种具有广泛应用价值的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,其优异性质可与金刚石相比拟或胜之.立方氮化硼的制备与性能研究是近二十年来材料领域关注的焦点之一.我们用热丝辅助ECR CVD方法制备了cBN薄膜,并初步探讨了热丝对cBN形成的作用.偏压并不是cBN形成的唯一主要条件,活性粒子也有非常关键的作用. 相似文献
55.
H. Konishi 《Electrochimica acta》2003,48(5):563-568
Electrochemical implantation was performed at Ni electrodes to form DyNi2 films at 0.55 V (vs. Li+/Li), 0.62 V, and 0.70 V for 0.5-5.0 h in a molten LiCl-KCl-DyCl3 (0.50 mol%) system at 700 K. It was found that the DyNi2 films grew linearly with time with coulomb efficiency of about 100%. The obtained growth rates were higher at more negative potentials, i.e., 0.47 μm min−1 at 0.55 V, 0.32 μm min−1 at 0.62 V, and 0.14 μm min−1 at 0.70 V. On the analogy of the metal oxide growth, the observed rapid and linear growth of DyNi2 films may be explained by the existence of the outer and inner DyNi2 layers. 相似文献
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Kenji Nomura Hiromichi OhtaKazushige Ueda Toshio Kamiya Masahiro HiranoHideo Hosono 《Thin solid films》2003,445(2):322-326
We have investigated the characteristics of transparent metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) fabricated using InGaO3(ZnO)m (m=integer) single-crystalline thin films as n-channel layers and amorphous alumina as gate insulator films. The MISFETs exhibit good characteristics such as insensitivity to visible light illumination, off-current as low as ∼1 nA with a positive threshold voltage of ∼3 V and on/off current ratio of 105. The field-effect mobility increased from ∼1 to ∼10 cm2 (V s)−1 as the m-value increased. Room temperature Hall mobility also increased. However, unexpectedly these values were lower than the field-effect mobility. It is explained by existence of shallow localized state in the homologous compounds. 相似文献
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