纳米硫化镉的制备、表征及其光催化性能研究

以CdCl2和Na2S为主要原料，制备了纳米CdS颗粒，通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）分析其晶型和粒径，通过紫外-可见漫反射的表征，计算其带隙能，并用BET法测定其比表面积．通过对CdS固体的红外光谱的分析，研究颗粒的表面状况。将制备的纳米CdS颗粒用于亚甲基蓝的光催化降解反应，通过空白实验和暗反应实验的对比证明，自制的纳米CdS颗粒具有良好的光催化性能．最后还通过多次实验证明了自制Cds具有持久的光催化寿命．     

Effects of CdCl2 treatment on the properties of CdS films prepared by r.f. magnetron sputtering

Effects of the thickness of CdCl₂ layer and the annealing on structural and optical properties of sputter-deposited CdS films were investigated. The annealing process of evaporated CdCl₂ was carried out by heating the sample in air at 350-500 °C for 20 min. As the thickness of the CdCl₂ increases, the (002) peak of CdS becomes weak and the other peaks of CdS increases. Especially, for 200 nm CdCl₂, the preferential orientation of the (002) plane disappears and the c-axis of the CdS film tends to orient parallel to the substrate. As the CdCl₂ layer is thicker, the grains are enlarged significantly. The improvement of optical properties of CdS films with thicker CdCl₂ layer might be successfully employed in achieving better conversion efficiencies in solar cells.     

硫化镉纳米膜的电化学制备方法

采用电沉积方法在表面活性剂和电解液的界面制备了硫化镉纳米膜.通过对不同电解液体系和表面活性剂体系中纳米硫化镉膜沉积情况进行比较发现,相同条件下采用硫代乙酰胺体系为电解液,蓖麻油类为表面活性剂可以在液/液界面制备硫化镉纳米膜.考察了表面活性剂种类、电解液浓度和温度及溶液的pH值对制备硫化镉纳米膜的影响,确立了制备纳米膜的最佳工艺条件:氯化镉浓度为4 mmol·L-1,硫代乙酰胺浓度为12 mmol·L-1,槽压5 V,pH值为4.8,蓖麻油/十六醇的用量为0.06 ml·cm-2.实验表明,最佳工艺条件下制备的硫化镉纳米膜晶粒粒径均匀、平均粒径在30 nm左右,近似球形,将在非线性光学材料领域有特殊的应用前景.     

界面聚合法制备管状聚苯胺/聚苯胺包覆镍纳米复合材料及其电磁特性

采用工艺简单的界面聚合法制备了管状聚苯胺(PANi)及管状聚苯胺/聚苯胺包覆镍纳米粒子(PANi/PANi(Ni))复合材料。上层油相采用正己烷,下层水相采用稀盐酸溶液,将两相混合并添加镍纳米颗粒,在两相的界面处发生化学复合反应。通过FT-IR、XRD、TEM分析表征表明,生成了管状聚苯胺,形状均一,直径大约在100nm,并且存在着部分的结晶。聚苯胺很好地包覆了纳米镍粉,实现了管状聚苯胺及聚苯胺包覆纳米镍粉的多种物质及形态的复合,对其制备工艺及微波频段的电磁特性进行了研究。     

CdS/石墨烯纳米复合材料研究进展

CdS/石墨烯纳米复合材料是一种重要的半导体光催化剂,在可见光下具有很好的催化活性。本文重点介绍了CdS/石墨烯纳米复合材料的制备方法及性能影响因素,并分析了几种常用制备方法的特点及运用效果。本文还介绍了CdS/石墨烯纳米复合材料近年来的应用研究,并对其应用的发展趋势做出了展望。     

化学沉积法制备CdS薄膜及性质研究

利用化学沉积(CBD)的方法制备立方相的CdS薄膜。实验表明，在无搅拌、柠檬酸钠作为络合剂的条件下，在溶液的配方为0．02mol/L的CdCl2、0．02mol/L的柠檬酸钠、0．05mol/L的CS(NH2)2的体系中，当pH值为11．5，溶液温度为80℃时，在ITO玻璃上沉积得到CdS薄膜的前驱体，再把所得的前驱体在350℃，N2保护下热处理两个小时经x射线衍射(xRD)和扫描电镜分析，表面薄膜是结晶良好、立方相、表面均匀光滑的CdS薄膜。随着热处理温度的提高，CdS薄膜的晶化程度有很大的提高，晶粒有明显的长大，其光学性能也有很大的改善。     

Pt/CdS Schottky势垒紫外探测器的研制

介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器.测试了探测器的Ⅰ-Ⅴ特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应.观察了器件的反偏响应情况.获得的探测器在λ=440am处加两伏反偏时的响应率为0.17A/W,内量子效率最大可达64%.     

XPS analysis of CdS/CuInSe2 heterojunctions

CdS/CuInSe₂ (CIS) heterojunctions were investigated by XPS analysis. An In-excess layer which may form an ordered vacancy compound (OVC) was present at the as-deposited CIS surface and it remained after chemical bath deposition of a CdS layer. The In-excess layer was removed by preferential etching with NH₃ aqueous solution. This result implies that the surface of the as-deposited CIS film was converted from the OVC with n-type conductivity into the CIS with p-type by NH₃ treatment. The conduction band offsets at the CdS/p-CIS and CdS/n-OVC were determined to be 1.0 and 0.3 eV, respectively. The CIS solar cells fabricated with n-OVC surface layer exhibited higher cell efficiencies than those fabricated with p-CIS surface layer.     

CdS量子点/CdTe纳米棒光电极制备及其光电性能研究

本文利用化学沉积法和射频溅射法成功实现了CdS量子点/CdTe纳米棒复合光电极的制备。通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)和电化学工作站分别对获得的光电极进行了结构、形貌和光电性能的表征;结果表明,所获得的光电极由CdS量子点和CdTe一维纳米棒组成,其中CdTe纳米棒沿着(111)择优方向定向生长。在不同CdS量子点厚度的光电极的电化学表征结果中,我们发现了由CdS的压电效应引起的新颖的热释电现象,并在25 cycle CdS QDs的光电极测试中获得了最好的结果,开路电压为0.49 V,短路电流为71.09 μA,其I-t曲线的开光比为6。我们在研究过程中还发现了热释电引起的电流反向现象,这一特性对于未来提高光电器件的性能具有重要的意义。     

一种高活性的CdS纳米颗粒的制备及其光催化活性研究

在室温下,以正丁胺为模板剂,通过简单的化学方法合成了直径约为10nm的CdS纳米颗粒,并研究了光催化剂用量,H2O2用量,试液的pH值,紫外光照时间与甲基橙色率的关系。实验结果表明,在最佳光催化剂用量为0.3g,最佳H2O2用量为0.4mL,最佳pH值为1时,紫外光照仅需30s,太阳光照射也只要1min,脱色率可达99%以上。与前人研究的结果比较,无论是在研究紫外光,还是研究太阳光光催化方面都有了进步。甲基橙脱色率很好,有些用于工业化用途。