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81.
判断金属/薄层半导体欧姆接触质量的一个新方法 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一个判断金属/薄层半导体欧姆接触质量的新方法--环内圆形传输线模型外的支,样品制备简单,无需台面绝缘,测试局域在很小的圆环内无需考虑圆环外的任何边界影响,由于结构的对称性,消除了侧向电流聚集效应,通过测试值的直线拟合消除了部分偶然误差,提高了精度。 相似文献
82.
广义Hamming重量和维数/长度轮廓是编码领域中最近出现的两个重要概念。本文首先了广义Hamming重量和维数/长度轮廓的基本概念和基本性能,然后全面地综述了它们的应用情况,并给出了一些有意义的研究结果。 相似文献
83.
《Mechatronics》2022
This paper presents an approach to modify CAD/CAM generated motion profiles for wire bending machines, in order to damp wire oscillations without decreasing machine throughput. Two different methodologies are presented, both leveraging on a simple and easily identifiable model of wire oscillations, the first one based on a filtering approach, the second one on an optimisation approach. The two methodologies are both characterised by a low computational complexity, allowing them to be integrated directly in the bending machine user interface, and can rely on a standard camera to identify wire oscillation parameters. A thorough experimental validation of the approaches is also presented, showing promising results in damping oscillations with wires of different materials. 相似文献
84.
大气折射率结构常数C2n高度分布统计特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
大气折射率结构常数C2n是表示大气光学湍流强度的一个重要参数,利用温度脉动探空仪对合肥地区大气折射率结构常数进行了长期连续的实地探空测量,对大量探空实验数据的统计分析得出合肥地区(0~25 km)折射率结构常数随高度的分布廓线,并对其进行统计矩和概率分布的分析,研究表明合肥地区大气湍流随高度分布基本符合对数正态分布,昼... 相似文献
85.
86.
87.
88.
本文讨论了理想匹配层的吸收性能 ,给出了一种有效截断理想匹配层的边界条件 ,分析了不同导率剖面和边界条件对理想匹配层吸收性能的影响 ,给出了最小反射意义下的优化理想匹配层。 相似文献
89.
90.
Double-axis x-ray rocking curve measurements have been used to nondestructively characterize the composition profile of HgCdTe
heterojunction photodiode structures grown by liquid phase epitaxy (LPE). In particular, the thickness and composition profile
of the thin graded-composition cap layer are determined through an empirical correlation between rocking curve parameters
and composition profiles measured by SIMS. Spatial maps of cap layer thickness and composition are generated from automated
measurements of x-ray rocking curves across a wafer. X-ray mapping has been instrumental in improving the spatial uniformity
of cap layers and in maintaining control of the growth process in Hg-rich LPE dipping reactors. 相似文献