Cr12钢的预处理工艺研究

本文研究了Ｃｒ１２钢经４种不同的预处理工艺处理后钢中碳化物的大小，数量，分布及钢的硬度，强度和韧性，试验结果表明，经调质处理，高温固溶淬火＋高温退火处理后，Ｃｒ１２钢中碳化物的大小，分布及其组织，性能均优于常规球化退火预处理的。通过扫描电镜对冲击断口的分析，初步探讨了新的预处理工艺提高韧性的原因。     

薄层反射波非零炮检距的属性特征

 本文从薄层顶、底界面反射波的走时入手，研究了薄层反射波在非零炮检距集上出现的干涉现象，导出了薄层反射波在出现干涉时的炮检距计算公式，说明薄层干涉出现的炮检距是多变量函数，即随着埋藏深度h、地层速度v、薄层厚度Δh以及地震波的主频f*的变化而改变。本文重点分析了地层厚度Δh和地震子波主频f*对反射波振幅特性和频率特性的影响。在充分分析薄层反射的振幅、频谱随炮检距变化关系的基础上，指出在应用叠前信息（如AVO分析）进行储层预测等方面的研究时，应充分考虑薄层反射波的干涉和调谐现象带来的振幅和频率特征的变化。     

不同灌溉条件下的水稻需水规律及水分生产率分析

稻田需水量包括植株蒸腾、棵间蒸发、田间渗漏3部分。研究表明，水稻在充分供水条件下所形成的蒸腾量中包含了一部分无效蒸腾，无效蒸腾量的减少不会影响作物的生长发育，反而会有不同程度的增产和优质效应。节水灌溉技术的推广产生了明显的经济与社会效益。结合当地实际情况采用3种常见的灌溉方式探讨了不同灌溉方式下水稻的需水规律、灌概定额和生产率的差异，为水稻节水高效栽培提供理论与技术依据。     

反向凝固法生产H90-钢-H90复合带

研究H90-钢-H90反向凝固复合过程中复合层厚度的变化规律以及复合带的组织和性能，探讨界面结合机理。结果表明：随着浸渍时间的增加，复合层的厚度变化经历了凝固生长、平衡相持和回熔3个阶段，钢带的预热温度越低，获得的最大复合层厚度越厚；H90复合层的组织为等轴晶粒，复合界面处Cu和Fe发生了扩散，而Zn未发生明显扩散，扩散层较薄，约为4μm；复合带的界面结合牢固；不同复合层厚度的复合带，其力学性能略有差异，但均达到GB5213——85所规定的F级深冲钢板的力学性能要求。     

柳海矿运输大巷返修工程深部软岩支护设计研究

通过现场调查、室内试验以及理论分析,柳海矿运输大巷支护现状进行分析研究,总结破坏原因。根据现场工程地质条件、岩石特性和破坏特点,确定软岩变形力学机制为高应力膨胀性软岩,并提出采用预留刚隙柔层支护技术进行支护。     

管网保温层热经济寿命的决策方法

利用保温裸露因数的概念来反映保温层保温性能的变化，提出采用统一原则来建立适用于单元系统和复合系统保温层热经济寿命的数学模型，并通过实例证明在热经济寿命终了时更新保温层，可使系统的运行具有最大的经济性。     

聚苯胺锂基润滑脂载流润滑下的摩擦学性能

制备了导电聚苯胺锂基润滑脂（简称PANI脂）和铜基银镀层材料（简称银层材料）。采用摩擦磨损试验机考察在无载流、载流及边界润滑条件下，铜基体材料（简称铜基材料）和银层材料的摩擦磨损性能。采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和电子能谱（EDS）对银层材料晶相及其表面磨斑形貌进行表征。结果表明，载流条件下，PANI脂润滑试验时的银层材料不仅具有良好的减摩抗磨性能，而且导电能力更强，其优异的减摩和抗磨性能归功于摩擦表面的保护膜和电流热效应引起的表面软化双重作用。     

挤扩支盘桩在福建省防震减灾中心大楼的应用

结合工程实例阐述挤扩支盘桩施工质量控制和技术措施,对施工过程出现的异常情况提出对策,为类似工程提供借鉴。     

常减压蒸馏装置阻垢剂进料管腐蚀与防护

通过对常减压蒸馏装置阻垢剂进料管的材质、性能、工作条件及腐蚀形貌、腐蚀产物的全面分析,找出了使进料管发生大面积腐蚀的腐蚀介质为环烷酸.并提出了减缓阻垢剂进料管环烷酸腐蚀的措施,主要包括选用更耐蚀的316或316 L材质以及改进三通结构等.     

Barrier layer effect of tantalum on the electromigration in sputtered copper films on hydrogen silsesguioxane and SiO2

As IC devices scale down to the submicron level, the resistance-capacitance (RC) time delays are the limitation to circuit speed. A solution is to use low dielectric constant materials and low resistivity materials. In this work, the influence of underlying barrier Ta on the electromigration (EM) of Cu on hydrogen silsesquioxane (HSQ) and SiO₂ substrates was investigated. The presence of a Ta barrier not only improves the adhesion between Cu and dielectrics, but also enhances the crystallinity of Cu film and improves the Cu electromigration resistance. The activation energy obtained suggests a grain boundary migration mechanism and the current exponent calculated indicates the Joule heating effect.