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31.
InP单晶材料现状与展望 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。 相似文献
32.
MeasuringtheObjectDeformationbyRealTimeHolographicInterferometrywithAutomaticalyCalculatingHologram①WANGWensheng,XUBin(Changc... 相似文献
33.
水晶报表是具有强大的报表设计功能的专业报表设计工具,能帮助设计人员快速创建具有专业外观的报表。通过研究推模式的工作原理,提出以数据集作为报表数据源,再采用推模式将数据注入数据集的方法,实现了在水晶报表中插入图片的功能。数据注入过程利用数据集支持BLOB字段的特点,从介质中获取图片内容,以字节数组形式存入数据集。这种插入图片的方法减小了水晶报表和数据源的耦合程度,适用于数据来源分散、复杂的场合,或数据获取后需要做进一步处理的场合。 相似文献
34.
本文介绍了TAB器件及其制造工艺,通过讲述ACF特性,细致地阐述了TABOLB的工艺原理及参数设定方法,并对工艺中容易出现的不良现象进行了分析。 相似文献
35.
As an obvious candidate for a p-type dopant in ZnO, nitrogen remains elusive in this role. Nitrogen containing precursors are a potential means to incorporate nitrogen during MOCVD growth. One class of nitrogen-containing precursors are zinc acetate amines, yet, they have received little attention. The synthesis and single crystal X-ray structure of [Zn(acetate)2(en)], and the synthesis of [Zn(acetate)2(en)2], [Zn(acetate)2(benzylamine)2], [Zn(acetate)2(butylamine)2], [Zn(acetate)2(NH3)2], and [Zn(acetate)2(tris)2], where en=ethylenediamine and tris=(tris[hydroxymethyl]aminomethane) are reported. The compounds were characterized by thermogravimetric analysis and pyrolyzed in air and inert gas to yield ZnO. These compounds are useful single source precursors to ZnO bulk powders by alkali precipitation and ZnO thin films by spray pyrolysis. The amine bound to the zinc influences the ZnO crystal size and shape and acts as a nitrogen donor for preparing nitrogen-doped ZnO during alkali precipitation. Thin films of ZnO prepared by spray pyrolysis using the precursors had a (100) preferred orientation and measured n-type to intrinsic conductivity. 相似文献
36.
L.‐W. Yin M.‐S. Li Y. Bando D. Golberg X. L. Yuan T. Sekiguchi 《Advanced functional materials》2007,17(2):270-276
Heterostructures of epitaxially grown biaxial ZnO/Ge, and coaxial ZnO/Ge/ZnO and Ge/ZnO/Ge heterostructured nanowires with ideal epitaxial interfaces between the semiconductor ZnO sublayer and the Ge sublayer have been fabricated via a two‐stage chemical vapor–solid process. Structural characterization by high‐resolution transmission electron microscopy and electron diffraction indicates that both the ZnO and Ge sublayers in the heterostructures are single crystalline. A good epitaxial relationship of (100)ZnO∥(2 0)Ge exists at the interface between ZnO and Ge in the ZnO/Ge biaxial heterostructure. There is also an epitaxial relationship of (0 0)ZnO∥(020)Ge at the interface between the ZnO and Ge substructures in the coaxial ZnO/Ge/ZnO heterostructures, and a good epitaxial relationship of (0 0)ZnO∥(0 0)Ge at the interface between ZnO and Ge in the Ge/ZnO/Ge coaxial heterostructure. Structural models for the crystallographic relationship between the wurtzite‐ZnO and diamond‐like cubic‐Ge subcomponents in the heterostructures are given. The optical properties for the synthesized heterostructures are studied by spatially resolved cathodoluminescence spectra at low temperature (20 K). Excitingly, the unique biaxial and coaxial heterostructures display unique new luminescence properties. It is concluded that the ideal epitaxial interface between ZnO and Ge in the prepared heterostructures induces new optical properties. The group II–VI Ge‐based nanometer‐scale heterostructures and their interesting optical properties may inspire great interest in exploring related epitaxial heterostructures and their potential applications in lasers, gas sensors, solar energy conversion, and nanodevices in the future. 相似文献
37.
38.
研究了直拉头尾料P型硅单晶片在360~1 300℃范围热处理前后氧碳含量、电阻率和少子扩散长度的变化规律及其对所制成太阳电池性能的影响。已证实在最佳的热处理条件下样品含氧量减少,少子扩散长度和电池效率达到最大,比未作热处理的单晶电池效率提高0.5~2倍,为利用这类单晶提供了有效方法。对此现象用热施主与深中心相互作用的模型作了初步解释。 相似文献
39.
铁电液晶红外探测研究 总被引:2,自引:0,他引:2
某些碟状近晶相液晶具有铁电和热电性质。本文综述了铁电液晶的性质和介电、热电及脉冲响应特性;报道了我们对复合固体铁电液晶薄膜探测器的最新研究成果。 相似文献
40.
液晶非线性光学和应用 总被引:2,自引:1,他引:2
描述了液晶非线性光学原理,介绍了液晶非线性光学元件的结构和制作方法,报道了我们的最新实验结果,提出了液晶非线性光学的研究方向和应用领域。 相似文献