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71.
研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。 相似文献
72.
针对一款塑料外壳的网络机顶盒受到ESD干扰时易死机的具体问题进行了理论分析,并通过调整PCB叠层和布局,提高了系统可靠性,最终使该产品通过了静电测试。 相似文献
73.
74.
The thermal characteristics of high voltage gg-LDMOS under ESD stress conditions are investigated in detail based on the Sentaurus process and device simulators.The total heat and lattice temperature distributions along the Si–SiO2 interface under different stress conditions are presented and the physical mechanisms are discussed in detail.The influence of structure parameters on peak lattice temperature is also discussed,which is useful for designers to optimize the parameters of LDMSO for better ESD performance. 相似文献
75.
Yan Yu Lin Gu Abirami Dhanabalan Chun-Hua Chen Chunlei Wang 《Electrochimica acta》2009,54(28):7227-7230
Three-dimensional (3D) porous amorphous SnO2 thin films were deposited on Ni foam substrates by Electrostatic Spray Deposition (ESD) technique as anodes for Li-ion batteries. These films display good capacity retention of 94.8% after 100 cycles at 0.5 C and rate capability of 362 mAh/g at 10 C. The improved performance originates from the fact that the 3D porous structure offers a “buffer zone” to accommodate the large volume change during cycling, and the foam-like substrate maximizes the contact area between electrode and electrolyte. The facile ESD method can be potentially extended to prepare other 3D porous functional materials. 相似文献
76.
77.
The International Electrotechnical Commission (IEC) has prescribed an immunity test (IEC61000‐4‐2) of electronic equipment against electrostatic discharges (ESDs), in which a discharge current to be injected onto equipment under test is specified. As for the waveform, however, not the whole waveform but only the rise time, the first peak, and the current amplitudes at 30 and 60 ns are given in the time domain together with their uncertainties, which are required to check on the condition that an ESD generator (ESD‐gun) shall be arranged vertically to an IEC‐recommended calibration target and its earth return wire is kept away as far as possible from a vertical ground plane (IEC standard arrangement). In this study, to clarify how arrangements of an ESD‐gun and its earth return wire affect discharge currents, we measured discharge current waveforms for contact discharges of an ESD‐gun onto an IEC calibration target with respect to various inclinations of the ESD‐gun and arrangements of its earth return wire, and also calculated their current power spectra normalized to that of the discharge current for the IEC standard arrangement. As a result, we found that inclinations of the ESD gun affect the first peak current, which increases current power spectra by 14 dB at frequencies over 300 MHz, and that arrangements of the return wire influence the current waveforms between the first and second peaks, which provides variations in power spectra by ±12 dB in the frequency range from 10 MHz to 200 MHz. This finding suggests that arrangements of an ESD‐gun and its earth return wire are likely to cause different immunity test results. It was also found that in comparison with measured discharge currents for the standard arrangement, the calculated waveform of a discharge current from a formula, which has been included in the recent standard, has a more gentle falling waveform, and produces power spectra of +15 dB in the frequency range from 10 MHz to 200 MHz and –12 dB at frequencies over 300 MHz. © 2012 Wiley Periodicals, Inc. Electr Eng Jpn, 180(1): 9–14, 2012; Published online in Wiley Online Library ( wileyonlinelibrary.com ). DOI 10.1002/eej.21270 相似文献
78.
为探索静电放电对可编程逻辑器件的静电损伤(ESD)效应及其防护方法,选用人体模型,并利用ESS-606AESD模拟器对CycloneⅡFPGA芯片EP2C5Q208进行了ESD注入损伤效应试验。在此基础上,以演化硬件(EHW)技术为核心构建了一个具有自修复特性的强容错电子系统,并对其进行了故障注入试验。结果表明:ESD对FPGA不造成芯片损毁,只对放电管脚及其相关逻辑单元造成损伤,未放电管脚及芯片内部绝大部分逻辑单元功能完好。同时发现,系统演化修复能力与系统故障状况间具有较为明显的规律:(1)随着系统故障量的增大,影响系统演化修复能力的主要因素从演化算法的效率逐步转变为演化修复过程中的故障"避让"概率;(2)系统的演化修复能力与故障数量符合指数衰减规律。 相似文献
79.
静电放电小空间测试装置性能分析与验证实验 总被引:1,自引:0,他引:1
为了满足核辐射条件下静电放电(ESD)瞬态脉冲场小空间测试的需要,基于有源电光调制法研制了一种经济实用的传感器,并利用该传感器搭建了光纤传输式瞬态电场测试装置。在介绍传感器设计与研制过程的基础上,对测试装置的电性能进行了实验研究。通过频域信号注入实验、方波脉冲注入实验及方波脉冲辐照实验,对测试装置的响应时间以及线性度等指标进行了性能分析;通过ESD脉冲辐照实验,对测试装置性能进行了综合验证。实验结果表明,该测试装置的响应时间〈1ns,可用于ns级辐射场测试;其线性度良好,通过调整天线负载电容的取值可以调节测试灵敏度。该测试装置可用于静电放电辐射场的时域测试,能够在小空间测试静电放电瞬态脉冲场。 相似文献
80.
CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计 总被引:4,自引:1,他引:3
讨论了3种常用的CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用Hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在ESD脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证。结论证明:在ESD脉冲下,该保护电路的导通时间为380ns;在正常工作时。该保护电路不会导通.因此这种利用晶体管延时的保护电路完全可以作为CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路。 相似文献