轧制始极片

本文介绍了轧制法生产始极片的工艺，比较了轧制法和传统的钛种板生产始极片的优缺点，讨论了采用轧制始极片的经济效益和应用前景。     

中国首例缓倾铋铜金矿脉--曙光(小西南岔)铜金矿床研究新进展

据现场深入研究，结合多年生产实践，首次系统地描述了小西南岔矿床北山矿段缓倾斜铋铜金支矿脉的地质产状、规模、铜和金品位、自然铋与自然金的交生关系。在此基础上，进一步阐述了缓倾铋铜金矿脉对理论、应用研究及矿山确保铜和金入选品位的重要意义。     

甲磺酸铜催化合成草酸二异戊酯

制备了甲磺酸铜催化剂,对其结构进行了IR和热重分析,并用于催化草酸和异戊醇的酯化反应。结果表明,甲磺酸铜具有催化活性高、稳定,易分离,重复使用性能优良,对环境友好的特点。最佳酯化工艺条件为:n(异戊醇):n(草酸)=2．8:1,w(甲磺酸铜)=0．3％,以过量的异戊醇为带水剂,回流反应2．0 h,酯化率可达到96．8％。     

Cu基络合物催化甲醇液相氧化羰化反应

针对甲醇液相氧化羰基化法合成碳酸二甲酯(DMC)工艺,开发了新型Cu基络合催化剂(CuB rnLm)。对CuB rnLm催化剂的活性及其稳定性进行了研究。实验结果表明,采用该催化剂,甲醇转化率和DMC选择性较高;元素价态和物质结构分析表明,CuB rnLm催化剂循环使用5次后仍保持较好的稳定性。采用正交设计和中心响应曲面法设计实验,并使用S tatistica软件进行统计分析,寻求出反应的主要影响因素,并得到优化的工艺条件:反应温度100~110℃、反应压力3.0~3.5M Pa、反应时间4~6h、CuB rnLm催化剂质量浓度(以甲醇的体积计)0.15~0.20g/mL。在此工艺条件下,甲醇转化率可达23%以上,DMC的选择性为96%~98%。     

流变仪在覆铜板工序中的应用

本文简要叙述利用流变仪对覆铜箔层压板生产工序中的胶液和半固化片参数进行控制,从而更好地保证胶液和 半固化片性状的一致性,以有利于控制板材流胶和品质。     

Simplification of the Plasma Load of Negative-Pulse-Bias Source Used in Arc Ion Plating

Based on the voltage and current fluctuating phenomenon in the arc plasma load under the negative-pulse-bias, usingthe plasma physics theory and analysis of computer simulation expatiates that the nature of plasma load in vacuumarc plasma is a capacitance     

陶瓷表面化学镀的前处理工艺新进展

综述了非金属表面化学镀前处理工艺的现状和发展，对陶瓷化学镀的粗化和活化工艺的新进展进行了评述，侧重讨论了离子型、胶体钯型、浆料型、分子自组装吸附钯型、贱金属型活化工艺特点和进展，并展望了今后发展方向。     

Cu-Mg/Al_2O_3催化乙醇和乙二胺合成N-乙基乙二胺

在固定床反应器内,乙醇和乙二胺经分子间催化胺化反应合成了N-乙基乙二胺(NEED),考察了一系列铜系催化剂的活性,并筛选出催化性能较好的Cu-Mg/A l2O3催化剂;通过X射线衍射和透射扫描电子显微镜方法表征了助剂Mg对Cu/A l2O3催化剂的改性作用;考察了助催化剂Mg含量、反应温度、反应压力、进料量和乙二胺含量等对Cu-Mg/A l2O3催化剂性能的影响。实验结果表明,Cu-Mg/A l2O3催化剂具有很好的活性和选择性;在200℃、3.0MPa、质量分数20%的乙二胺乙醇溶液、进料量1.0mL/m in的条件下,乙二胺的转化率为71.56%,产物NEED的选择性和收率分别为92.62%和69.86%;经过20 d的连续使用表明,Cu-Mg/A l2O3催化剂具有良好的稳定性。     

Characterization and optimization of copper chemical mechanical planarization

The feature scale planarization of the copper chemical mechanical planarization (CMP) process has been characterized for two copper processes using Hitachi 430-TU/Hitachi T605 and Cabot 5001/Arch Cu10K consumables. The first process is an example of an abrasive-free polish with a high-selectivity barrier slurry, while the second is an example of a conventional abrasive slurry with a low-selectivity barrier slurry. Copper fill planarization has been characterized for structures with conformal deposition as well as with bumps resulting from bottom-up fill. Dishing and erosion were characterized for several structures after clearing. The abrasive-free polish resulted in low sensitivity to overpolish and low saturation levels for dishing and erosion. Consequently, this demonstrated superior performance when compared to the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2000 roadmap targets for planarization. While the conventional slurry could achieve the 0.13-μm technology node requirements, the abrasive-free polish met the planarization requirements beyond the 0.10-μm technology node.     

铜线材酸性高速电镀致密光亮锡、锡铜合金

为了寻找低成本、低腐蚀、低污染高速电镀锡、锡铜合金工艺 ,在含光亮剂、柔软剂DL0 1、0 2、0 3的硫酸槽中在不同的电流密度、不同的搅拌速度下 ,在Φ0 .5mm的铜线上电镀Sn和Sn Cu合金镀层。DL0 1、0 2的主要成分是无芳香族的希夫碱 ,DL0 3的主要成分是醇醛缩合物。结果表明 ,在含有DL0 1、0 2、0 3和 35g/LSnSO4 ,137g/LH2 SO4 的镀液中 ,在Jc=10～ 90A/dm2 ,v=16 0～ 314m/min时 ,所得镀层致密、柔软、光亮。在含CuSO4 ·5H2 O 0 .5 ,3.5g/L的硫酸镀槽中 ,在Jc=9,18A/dm2 ,v=16 0m/min时获得了致密、柔软、光亮的Sn (0 .3%～ 0 .6 % )Cu合金镀层。