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101.
三电平高压变频器对IGBT驱动电路有特殊的要求,比如:高低压侧的隔离问题、绝缘等级、动态驱动能力以及快速保护功能都有严格的要求。采用美国Unitrode公司生产的UC3726/3727驱动IGBT芯片对,两芯片可组合使用,从而可以达到理想的驱动效果。测试结果表明了该方法的可行性。 相似文献
102.
针对电厂运行中经常出现设备需要带压堵漏的情况,介绍了带压焊接堵漏的工艺措施。根据安全生产的实际需要和工作实践,给出带压焊接堵漏的注意点。该技术使设备尽快恢复正常工作,节省了资金和时间。 相似文献
103.
104.
Yinshun WANG Xiang ZHAO Junjie HAN Huidong LI Yin GUAN Qing BAO Xi XU Shaotao DAI Naihao SONG Fengyuan ZHANG Liangzhen LIN Liye XIAO 《Frontiers of Electrical and Electronic Engineering in China》2009,4(1):104-113
Abstract A 630-kVA 10.5 kV/0.4 kV three-phase high temperature superconducting (HTS) power transformer was successfully developed
and tested in a live grid. The windings were wound by hermetic stainless steel-reinforced multi-filamentary Bi2223/Ag tapes.
The structures of primary windings are solenoid with insulation and cooling path among layers, and those of secondary windings
consist of double-pancakes connected in parallel. Toroidal cryostat is made from electrical insulating glass fiber reinforced
plastics (GFRP) materials with room temperature bore for commercial amorphous alloy core with five limbs. Windings are laid
in the toroidal cryostat so that the amorphous core operates at room temperature. An insulation technology of double-half
wrapping up the Bi2223/Ag tape with Kapton film is used by a winding machine developed by the authors. Fundamental characteristics
of the transformer are obtained by standard short-circuit and no-load tests, and it is shown that the transformer meets operating
requirements in a live grid.
__________
Translated from Proceedings of the CSEE, 2007, 27(27): 24–31 [译自:中国电机工程学报] 相似文献
105.
106.
Thermodynamic modeling of the Au-In-Sb ternary system 总被引:1,自引:0,他引:1
The phase diagram of the Au-In-Sb ternary system is of importance in predicting the interface reaction between In-based solders
and the Au substrate. Using the calculated phase diagram method and based on experimental data of thermodynamic properties
and phase boundaries, the Au-Sb binary system was assessed, and the In-Sb binary system was revised. On the basis of the constituent
binary systems, Au-Sb, In-Sb, and Au-In, the Au-In-Sb ternary system was modeled. Several isothermal and vertical sections
were calculated, among which the one at 500 K reproduces the experimental diagram well. 相似文献
107.
90nm工艺及其相关技术 总被引:4,自引:4,他引:4
ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。 相似文献
108.
109.
110.
介绍了IDT70261的结构特点和基本功能,详细阐述了IDT70261的忙仲裁逻辑、双边中断逻辑和标识器逻辑,给出了一种基于IDT70261的TMS320LF240X和TMS320C54X之间高速实时通信接口设计以及软件实现方案。 相似文献