凝汽器管板和水室的防腐

根据凝汽器水室和管板的腐蚀机理,提出用环氧煤沥青做防腐涂层。本文介绍了环氧煤沥青的主要成分、性能以及凝汽器用环氧煤沥青防腐的施工工艺及涂层质量的检测方法等。     

河南艺术中心标志塔工程施工技术研究与应用

针对河南艺术中心工程标志塔结构特点及施工难点,探讨了标志塔钢结构及玻璃幕墙结构的施工工艺,并充分应用施工图深化优化设计技术、计算机放样下料技术、大型管材相贯线多维数控切割技术、激光(全站仪)测量技术及单机吊装处理技术等,编制科学合理的施工方案,从最优化施工方案本身提高安装精度和加快施工进度。     

华能玉环电厂1000MW超超临界2号机组凝汽器组合安装施工技术方案

凝汽器是发电厂重要设备之一,凝汽器的安装速度和质量直接影响着整个工程施工进度网络节点的顺利实现和今后整机的运行水平。华能玉环电厂2号机凝汽器安装施工过程中,克服了多种不利因素,制定科学便捷的施工工序和施工方案,以最短的时间完成了凝汽器的整体安装任务,为后续的酸洗和吹管,以至整套启动赢得了宝贵的时间。     

T5F28W直管荧光灯制灯工艺浅谈

从上世纪中叶以来,随着社会各个领域对节能光源产品需求的日益增长,高效、节能的直管荧光灯得到了广泛应用。制灯工艺直接影响着灯的质量和产量,本文以T5F28W为例简要叙述了制作工艺的严格执行和改进对制灯的重要性。     

fmax为30.8GHz的超薄Al2O3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为+3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.     

浅谈防静电包装管的生产技术要求

着重介绍了防静电包装管的生产工艺流程。对挤出模具结构及独创的专用辅机也做了简要介绍。     

金属管材激光弯曲成形的扫描路径规划

基于几何曲率方法,针对AIS1304L不锈钢金属直管的激光平面弯曲成形和三维空间弯曲成形进行了路径规划的研究.对平面内弯曲成形,根据目标管形的极值点和拐点将管材分段,取极值点作为路径规划的初始位置,对各分段采用不同的扫描间距以确定加热扫描路径.对三维空间弯曲成形,采用投影分解的方法,把三维成形曲面投影分解为两个二维曲面,分别获取扫描路径和工艺参数,然后组合与简化,获取三维弯曲成形的扫描路径.实验采用Nd:YAG固体激光器,以平面内正弦曲面弯曲和空间螺旋管弯曲两种形式为例,作为目标形状进行扫描路径规划与实验验证,扫描弯曲结果证明了扫描路径规划方法的有效性.     

热耦合同轴型双级高频脉管制冷机实验研究

空间探测技术对小型低温制冷机提 出了在不同温区同时供冷的要求,而双级高频脉管制冷机则 是一种极具潜力的解决方案。介绍了一种热耦合双级高频 脉管制冷机,其两级冷指均采用同轴型结构以提升制冷机 结构的紧凑性。在室温惯性管调相的方式下,获得了22.03 K的 最低无负载温度;当总的输入电功为413 W时,两级可同时获 得8 W@80 K和1 W@30 K的制冷量。针对不同预冷温度下的性能特 性开展了实验研究,得到了低温级冷指效率的变化规律。     

Effect of annealing temperature on Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts on undoped AlN films

The Ti/Al/Ni/Au metals were deposited on undoped AlN films by electron beam evaporation. The influence of annealing temperature on the properties of contacts was investigated. When the annealing temperatures were between 800 and 950℃, the AlN-Ti/Al/Ni/Au contacts became ohmic contacts and the resistance decreased with the increase of annealing temperature. A lowest specific contacts resistance of 0.379 Ω·cm² was obtained for the sample annealed at 950℃. In this work, we confirmed that the formation mechanism of ohmic contacts on AlN was due to the formation of Al-Au, Au-Ti and Al-Ni alloys, and reduction of the specific contacts resistance could originate from the formation of Au₂Ti and AlAu₂ alloys. This result provided a possibility for the preparation of AlN-based high-frequency, high-power devices and deep ultraviolet devices.