浸没式膜生物反应器技术用于废水的现场深度处理及回用

人们愈加认识到废水随意排放的后果和对新鲜水短缺应负的责任。因此，将废水处理到可回用的水质已成为水处理的最关键问题之一。虽然在许多地区浸没式膜生物反应器（IMBR）技术在废水深度处理使之达到回用标准中的应用仍属于一种较新的方法，然而在整个北美和欧洲却广泛应用了十多年。     

双子星——MSI S260C/S425

作为12.1英寸超轻薄笔记本，微星260C的“身子板”可不脆弱，镁铝合金底壳将轻便与防震融为一体，同时外观还相当讨巧，仅重1.78kg的它可以轻松放置在商务白领，女士的手提包里，让商务旅行，移动办公都变得轻松自如。     

新志 OLYMPUS E-330奥林巴斯E-330数码单反相机

在去年还被人们认为是孤芳自党员的4/3系统阵营，伴随着越来越多的厂商加入其中，如今蓬勃的活力足以让每个关注它的人为之振奋。奥林巴斯（OLYMPUS）作为4/3系统的倡导者，它第一个推出4/3系统的DSLR-E-300，并以其新颖的反光板侧移设计让人印象深刻，而现在，E-300的升级版本——E-330，给我们带来的是比其前作更大的惊喜。[编者按]     

数字电视信号故障分析及排除方法

1数字电视信号指标与模拟电视信号指标之间的联系与区别数字电视信号采用数字技术进行传输,误码率是衡量数字信号质量好坏的主要标准,而不在使用C/N、CTB、CSO等指标对数字电视信号质量进行衡量,对数字电视信号而言,系统的C/N、CTB、CSO等指标都反映到误码率上。数字电视用户要求误码率<10-6,模拟信号用户端要求C/N≥43 dB,二者之间虽然不同,但又有联系,64QAM调制方式用户端C/N≥27 dB时,能够满足BER≤10-6,因此64QAM数字电视信号电平在系统中可以比模拟信号电平低8~10 dB。2数字电视信号故障分析与排除方法数字电视信号故障表…     

LM2717型双降压直流/直流变换器的原理及其应用设计

LM2717是美国国家半导体公司推出的一款全新的高性能变换器,内含两个脉宽调制(PWM)直流/直流转换器,功能强大.介绍了该器件的主要参数、工作原理和引脚功能,讨论利用LM2717进行应用设计时选择外部器件的原则及设计中应注意的问题.     

Design and Manufacture of GeSi/Si Superlattice Nanocrystalline Photodetector

According to Maxwell＇s theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is 340 nm, the single mode lightwave can be transmitted only at periodic number M≥15.5. In addition, at the direction of transmission, when the transmission distance is larger than 500 μm, the lightwave intensity is decreased greatly. Based on the above parameters, the design and manufacture of GeSi/Si superlattice nanocrystalline photodetector are carried out.     

AC/DC转换器AD736的原理及其应用

随着集成电路的迅速发展,近年来出现了各种真有效值 AC/DC 转换器。美国 AD 公司的 AD736是其中非常典型的一种。它具有准确性高、灵敏度好、测量速率快、频率特性好、输入阻抗高、输出阻抗低、电源范围宽以及功耗低等特点。文章介绍了 AD736的工作原理及使用要点,给出了以该芯片为核心构成的 RMS 仪表设计电路。     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。