窄带,高矩形度声表面波滤波器的研制

声表面波滤波器因其在电子系统中的使用和使用环境的不同，具有不同的指标要求。文章介绍了一种窄带，高矩形度声表面波滤波器的设计过程，制作出了中心频率为１４０．９～１４５．１ＭＨｚ四路器件，其相对带宽０．３９％；矩形系数小于２．５，并成功应用于整机系统。     

声表面波脉冲编码调制振荡器

论述了一种直接式声表面波脉冲编码调制振荡器的工作原理及设计方法。实际制作了工作频率为３９４ＭＨｚ、调制频偏大于２００ｋＨｚ、调制信号码速率大于４００ｋｂｉｔ／ｓ、输出功率大于５０ｍＷ、温度稳定性优于±５０×１０－６（－２０°Ｃ～＋６０°Ｃ）的性能优良的声表面波脉冲编码调制振荡器     

不锈钢管子管板自动钨极氩弧焊的试验研究

本文介绍了不锈钢管子管板焊的工艺试验情况,包括试验的内容和为保证焊接质量所采用的工艺参数和操作要点.     

基于格林函数声表面波换能器的分析

以准静态近似为前提,采用格林函数法对声表面波换能器进行分析。推导了声表面波换能器激励电压与表面电荷之间的关系,计算了加载单位激励电压时换能器上的静态电荷分布并与有限元法计算结果进行比较。格林函数法的换能器的分析可用来为声表面波器件设计优化进行参数计算,及为其建模提供精确的数据。     

一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术

总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指换能器(IDT)质量负载的情况下同时具备吸声的功能,改善器件的带外抑制能力,增强了产品的一致性和可靠性。本技术在SAW器件的封装方面有广阔的应用前景。     

声表面波滤波器的匹配电路设计

介绍了通过测试仪器采集的声表面波（SAW）滤波器的Sij(i,j=1,2）参数来优化匹配电路的方法。首先将采集的Sij(i,j=1,2）参数转换为SAW滤波器Yij(i,j=1,2）参数，然后建立新的S12（或S21）参数与匹配电路的依赖关系，通过优化匹配电路元件值，而使滤波器的插入损耗和通带波动满足目标值，该方法的主要优点是考虑整个通带特性，而不是考虑通带内的某一点（如中心频率）。     

基于Welch算法的SAW传感器测量系统

声表面波(SAW)传感器性能卓越,能满足恶劣环境的测量需求。针对测量过程中干扰源淹没回波信号的问题,研究了Welch算法在复杂环境下对提升回波信号检测精度的估计方法,设计了基于SAW温度传感器的温度测量系统,验证了算法在功率谱估计中的性能。测量系统包括发射及接收链路,实现了激励源的发射、回波信号的接收与处理及温度解算等功能。搭建温升实验平台,在20℃~110℃的温度范围通过该系统对高精度数显加热台进行温度测试。测试结果表明,相较于加热台设定温度,实际温度测量误差控制在2.4%以下,系统可靠性高且具有较好的测量效果。     

SAW器件封装技术概述

小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。文章回顾了SAW器件封装的发展历史,介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点,详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装(Chip Sized SAW Package,CSSP)技术,将通用芯片倒装技术(Flip Chip Bonding,FCB)和SAW封装的特点结合,使封装尺寸减小到极限。然后对今后的复合封装进行了展望。     

射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜

研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz。     

ZnO单晶声表面波谐振器传播特性的研究

基于有限元压电材料中表面波传播的有限元分析原理,利用有限元分析软件COMSOL对基于ZnO单晶材料的声表面波器件进行多物理域耦合建模与仿真,提取出了符合声表面波振型的对称模态变形图和反对称模态变形图。通过谐振频率分析,计算出了ZnO单晶的相速度和机电耦合系数;通过频率响应分析,得出谐振器输入导纳、阻抗与频率之间的关系图;最后讨论了叉指换能器的结构对谐振频率、反谐振频率的影响,得出输入、输出叉指换能器(IDT)的叉指电极对数越大,插入损耗值越大,信号衰减越小。