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31.
本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1~ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度  相似文献   
32.
BOOTSTRAP CONTROL CHARTS   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
33.
介绍了自行研制的高密度封装外壳设计软件、阐述了其工作原理和功能。应用该软件设计并制作出目前国内最多针脚数的外壳PGA257。  相似文献   
34.
多传感器数据融合技术已在军事领域受到广泛重视,并逐步走向实际应用,本文简要介绍它的一般组成、特点以及在军事C^3I系统应用中的主要功效。  相似文献   
35.
方平 《钢管》1994,(1):18-20
定量描述了实际生产过程中三辊斜轧穿孔所产生的钢管壁厚极差和波浪形内螺纹,初步探讨了三辊轧管机对钢管壁厚极差和波浪形内螺纹的影响。  相似文献   
36.
采用高精度数字温度传感器LM74和数字语音芯片ISD25120厦无线电收发模块设计了一种带语音功能的可遥控测温仪。文中介绍了测量记录仪的设计与应用,包括高精度数字温度传感器LM74的特点及其与单片机的接口技术,介绍了软件设计流程,并给出了部分参考程序。  相似文献   
37.
从模式I2C总线接口电路设计及其VLSI实现   总被引:3,自引:0,他引:3  
陈安  唐长文  闵昊 《微电子学》2002,32(3):185-188
提出了一种从模式的I^2C总线接口电路,该接口电路实现了对可变参数ASIC芯片的配置。该电路的设计使得可配置的ASIC芯片中参数配置所需要的芯片管脚大大减少。该方案已通过行为仿真和综合后门级时序仿真,并且用无锡上华0.6μmCMOS工艺实现。  相似文献   
38.
空气中^131I的取样和测量方法的研究   总被引:5,自引:2,他引:3  
哈继录  张超 《辐射防护》1992,12(4):260-265
本文介绍一种气态和气载~(131)I 取样器。着重介绍了一种指数分布源的效率刻度方法,讨论了与取样有关的一些问题。  相似文献   
39.
介绍了用CPLD辅助设计方法在嵌入式系统中进行MPU复杂逻辑功能设计的总体方案。给出了通过对XC5144中复用控制寄存器进行配置以实现MPU复位逻辑和CPM协议切换的实现方案和设计要点。  相似文献   
40.
钱宏伟  许荣 《辐射防护》1992,12(4):285-289
本文选用 ICR 雄性小鼠,经腹腔分别注射不同剂量的~(125)I 及~(131)I,观察并比较它们对小鼠精子畸形发生率的影响及染毒后睾丸中放射性活度的变化。实验结果表明:(1)~(125)I 染毒后4—5周,0、185、370和555 kBq 各组精子畸形发生率分别为9.00‰、9.57‰、11.6‰及13.9‰;~(131)I 染毒后4—5周,上述各组精子畸形发生率分别为8.50‰、12.5‰、14.7‰和15.5‰;在相同注入量下,~(125)I 与~(131)I 诱发小鼠精子畸形发生率的差异各组均不显著(X~2检验,p>0.05)。(2)~(125)I、~(131)I 染毒后2h 至7天内,两者在睾丸中的放射性活度及变化规律相似,即在染毒后2h 达最高值,每克睾丸中~(125)I 和~(131)I 的放射性活度分别占初始注入量(370 kBq)的0.72%和0.50%,然后迅速下降,至一周时,仅分别占初始注入量的0.035%和0.011%。  相似文献   
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