一种双靶磁控溅射制备的Mg掺杂的NiO薄膜

采用磁控溅射“共溅射”方法,将Ar气作为溅射气体,高纯NiO和MgO双陶瓷靶作为溅射靶材。当控制NiO和MgO靶的溅射功率分别为190 W和580 W,溅射真空度为2 Pa,衬底温度为300℃时,得到了Mg掺杂的NiO(Ni_0.61Mg_0.39O)薄膜。该薄膜是一种具有(200)择优取向的晶态薄膜。薄膜表面比较平整,晶粒分布致密,晶粒尺寸约46.9 nm。(200)衍射峰位置相对未掺杂的NiO薄膜向小角度偏移约0.2°。合金薄膜在可见光波段具有较大的透过率,而在300 nm附近透过率陡然下降,其光学带隙向高能方向移动到了3.95 eV。该研究为采用磁控溅射制备高质量的Mg掺杂的NiO薄膜提供了技术支撑。     

镀厚膜工艺技术研究

通过分析现有镀膜工艺设备的电子束加热原理、结构和热量损耗,并针对实际应用过程中镀膜存在的问题,提出了对现有设备的改进措施,开发出一种新的镀厚膜工艺,较好解决了芯片镀厚膜的工艺技术难题和存在的镀厚膜工艺质量问题,大大提高了镀厚膜工艺的工作效率,极大地改善了特高压超大功率电力电子器件的电性能参数,收到了良好的效果.     

透镜球差对拉盖尔-高斯涡旋光束聚焦特性的影响及改善方法

涡旋光场调控对涡旋光在激光通信、生物操控等领域的应用研究具有重要意义。为了揭示透镜球差对拉盖尔-高斯(Laguerre-Gaussian,LG)涡旋光束传输特性的影响,本文基于菲涅尔衍射理论,模拟研究了不同透镜球差系数下的LG光束聚焦场的强度、相位以及螺旋谱分布。结果表明:光学系统初级球差系数的增大恶化了LG光束聚焦场的强度分布和螺旋相位,弥散了轨道角动量(orbital angular momentum,OAM) 。由此,本文提出了一种光阑补偿方案,通过在透镜前添加大小合适的圆孔光阑,以消除透镜像差。光阑补偿后的LG光束聚焦场由星芒状空心分布恢复为空心圆环分布,OAM态保持单一稳定。本研究工作为改善透镜像差对涡旋光的传输影响提供了解决方案。     

耐候钢异型坯连铸保护渣的工业试验

为控制耐候钢粘结漏钢及其裂纹等质量问题,针对耐候钢异型坯连铸的特殊性专门设计了保护渣,主要从提高原有保护渣的碱度R或F-含量等来实现控热,增强保护渣润滑性能,同时进行了工业性试验。通过优化保护渣性能,漏钢发生率由使用前的约7%减少到〈0.1%,保证了8炉以上连浇,基本解决了耐候钢粘结漏钢问题。     

莱钢异型坯连铸机控制系统的研究与应用

介绍了莱钢异型坯连铸机的控制系统,并对一级、二级控制系统以及硬件、软件进行了较详细的论述。     

一种锥束CT中平板探测器输出图像校正方法

为了消除平板探测器缺陷在锥束CT重建切片中引起的伪影,提出一种投影图像校正方法.通过对投影图像进行暗场和增益不一致校正,推导了像元增益系数公式;对增益系数以及像元输出的期望和方差进行直方图分析以识别坏像素,根据坏像素分布特征设计相应的插补方案;通过局部屏蔽区域数据统计暗场波动幅度并逐行修正.实验结果表明,该方法使投影图像灰度分布均匀,像元输出波动和切片伪影得到有效抑制.     

超声电机定子的简化复合梁模型裂纹扩展分析与实验

超声电机工作环境非常复杂,压电陶瓷极易发生断裂失效。为了分析研究电场、预压力及裂纹位置对压电陶瓷断裂失效的影响,将超声电机的定子沿周向简化为弹性复合梁模型,并在压电陶瓷上预制贯穿裂纹。首先用Ansys有限元软件对简化模型进行仿真,分析得到增大电场、预压力能增加裂纹尖端应力值,裂纹更加容易扩展。然后通过实验验证得到增大电场强度裂纹更加容易扩展。     

Ta/Ta2O5/Cu结构制备及应用性能研究

介绍了以Ta/Ta₂O₅/Cu为结构的平板MIM电容器的制备方法和性能测试,探究金属Cu直接作为钽电解电容器阴极层的可行性。通过阳极氧化法在钽箔表面制备非晶态的Ta₂O₅薄膜,以化学镀铜、磁控溅射镀铜两种镀铜工艺制备Ta/Ta₂O₅/Cu结构,并对所得结构进行结构表征和性能测试。实验结果表明：不同镀铜方式制备的Ta/Ta₂O₅/Cu结构在电学性能测试过程中都没有表现出电容特性,正负极之间的电阻仅有0.7Ω;以金属Cu直接作为钽电容器的阴极层会导致金属铜在测试过程中被氧化成铜离子从而进入Ta₂O₅介质层中,进而导致Ta₂O₅的击穿,因此金属铜不适合直接作为钽电容的阴极层。     

超热中子束慢化材料的特性分析

用一维离散坐标程序ＡＮＩＳＮ计算了多元素的三群群截面,筛选出可用于组成超热中子束慢化材料的１１种元素;分析了上述１１种元素所构成的单质、化合物和混合物的慢化特性,从中优选出可实现超热中子束的三种慢化材料。     

无内屏蔽彩管的地磁兼容性研究

地球存在着地磁场,地磁场对彩色显像管(CPT)的色纯度影响很大.为了减小地磁场对CPT色纯度的影响,通常在CPT内部装有磁屏蔽组件(简称为内屏蔽).本文介绍一种无内屏蔽组件的CPT,它既降低了CPT的成本,又不影响CPT的品位,还能满足全球地磁场的兼容性.