MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究

器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件限在一定的水平，本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器的优化设计，从而更大程度在提高电路与系统性能具有重要的指导意义。     

新一代高强韧性WDL系列钢综合性能及应用

本文着重介绍武汉钢铁公司近年来研制开发的第二代高强度低合金钢—高强韧性WDL系列钢的综合性能及应用情况。该钢具有优异的焊接性能和低温韧性,板厚≤50mm钢板焊前不预热或稍加预热而不产生焊接裂纹,是制造大型压力容器（特别是低温和常温球罐）、水电站压力钢管和水轮机蜗壳、高寒地区使用的大型工程机械、大跨度桥梁及海上采油平台等装备的理想用材。     

榆林气田低产低效井开发分析评价

榆林气田自1999年投入开发以来,产能建设大幅提高,生产规模成倍增长。随着气田开发规模的扩大,气井数量成倍增加,低产低效井的数量随之增加,对低产低效期间加强研究意义重大。以理论知识为指导,利用开发生产资料对榆林气田低产低效气井的地质特征,开发现状,管理制度,下步开发措施等方面予以分析与研究,提出具体建议或措施;寻找榆林气田低产低效井合理的开发方式及生产模式。     

低压铸造流动与传热耦合计算的研究

根据低压铸造充型流动的特点 ,利用计算机数值模拟技术 ,对低压铸造充型阶段的流动怀传热过程进行了耦合计算 ,从而保证了模拟结果的准确性和可靠性。在此基础上开发出了模拟软件 ,并对实际低压铸件进行了模拟分析 ,结果与实际生产情况吻合很好     

长庆上古生界气层CO2增能压裂工艺

长庆上古气藏物性差,压力系数低,水锁伤害大,采用常规水力压裂,入井液返排困难,气井产量低。在储层改造地质研究的基础上,通过对CO2泡沫压裂技术进行室内攻关,引进开发了CO2泡沫压裂酸性交联技术,优化了CO2泡沫方案设计及现场施工工艺,配套了CO2增能压裂工艺技术。经过现场应用,充分说明了CO2增能压裂是一项行之有效的工艺技术,对于提高单井产量和长庆气田整体开发水平都是有益的。     

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根据长庆气田陕242井天然气欠平衡钻井配套技术(低密度高强水泥浆固井技术)研究应用，进行了大量的室内试验研究。试验研究得出增强减轻外掺料、高温降失水剂及低密度高强水泥浆体系。现场试验结果表明，该体系固井质量良好，完全满足欠平衡钻井对固井水泥浆的要求。     

遮掩式低回波金属支架的设计

本文推出了一种具有固定遮掩屏的低ＲＣＳ金属支架系统；介绍了其主要特点及设计方法；计算了该支架了多种数学模型的散射截面分布；试验研究了优化支架模型的散射特性。本文的计算及试验结果对于设计制做产用回波金属目标支架具有重要的参照价值。     

低温硅双极晶体管基区优化设计

常规双极晶体管在７７Ｋ下电流增益和频率性能都严重退化。本文首先分析了低温双极晶体管基区Ｇｕｍｍｅｌ数，基区方块电阻，渡越时间和穿通电压等参数与温度及基区掺杂的关系，然后讨论了低温双极器件基区的优化设计问题。     

掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及性能的影响

本文探讨了多种金属氧化物对ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－ＴｉＯ＿２系材料的改性作用和对其微结构的影响，为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的实验依据。     

Formation of low-resistivity poly-Si and SiNx films by Cat-CVD for ULSI application

In this paper, bulk-Si metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are fabricated using the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method as an alternative technology to the conventional high-temperature thermal chemical vapor deposition. Particularly, formation of low-resistivity phosphorus (P)-doped poly-Si films is attempted by using Cat-CVD-deposited amorphous silicon (a-Si) films and successive rapid thermal annealing (RTA) of them. Even after RTA processes, neither peeling nor bubbling are observed, since hydrogen contents in Cat-CVD a-Si films can be as low as 1.1%. Both the crystallization and low resistivity of 0.004 Ω·cm are realized by RTA at 1000 °C for only 5 s. It is also revealed that Cat-CVD SiN_x films prepared at 250 °C show excellent oxidation resistance, when the thickness of films is larger than approximately 10 nm for wet O₂ oxidation at 1100 °C. It is found that the thickness required to stop oxygen penetration is equivalent to that for thermal CVD SiN_x prepared at 750 °C. Finally, complementary MOSFETs (CMOSs) of single-crystalline Si were fabricated by using Cat-CVD poly-Si for gate electrodes and SiN_x films for masks of local oxidation of silicon (LOCOS). At 3.3 V operation, less than 1.0 pA μm⁻¹ of OFF leakage current and ON/OFF ratio of 10⁷–10⁸ are realized, i.e. the devices can operate similarly to conventional thermal CVD process.