镁合金化学镀Ni-P研究现状

综述了镁合金化学镀Ni-P的研究进展情况;介绍了化学镀Ni-P二元镀层、三元镀层、多元镀层及纳米复合镀层等;分析对比了几种镀层的优缺点及适用范围;展望了镁合金化学镀今后的发展趋势.     

酸性镀锡液中铁杂质的影响及去除

采用赫尔槽试验,研究了在不同电流密度下,酸性镀锡液中加入三乙四胺六乙酸(TTHA)对去除Fe2 的效果和对镀层的影响;通过盐雾试验及塔菲尔曲线的测量,研究了镀层的耐蚀性能.研究结果表明:采用小电流密度和加入三乙四胺六乙酸均能有效去除酸性镀锡液中的铁杂质,消除铁杂质对镀层的影响,可获得银白色光亮镀层.本文还采用交流电桥测量微分电容曲线的方法,在滴汞电极上测定了三乙四胺六乙酸的微分电容曲线,并对三乙四胺六乙酸的作用机理进行了探讨.     

次磷酸钠和甲醛为还原剂的化学镀铜工艺对比

比较并评价了以甲醛和以次磷酸钠为还原剂的化学镀铜工艺。结果表明,次磷酸钠镀铜液的稳定性高于甲醛镀铜液,次磷酸钠镀液的沉积速率高于甲醛镀液。以甲醛为还原剂的镀层晶粒细小,而以次磷酸钠为还原剂的镀层呈团粒状。甲醛镀铜层铜的质量分数接近100%,次磷酸钠镀铜层中铜的质量分数为93.9%,镍的质量分数为6.1%,镀层为铜-镍合金。以甲醛为还原剂的化学镀铜层的电导率、抗拉强度、延伸率等物理性能均优于次磷酸钠化学镀铜层。     

水合肼和次磷酸钠为还原剂的化学镀Ni-P合金研究

铜上化学镀Ni-P合金通常需要用钯催化剂或其它无钯催化剂催化后才能施镀,研究了利用水合肼为引发剂,以水合肼和次磷酸钠为还原剂的化学镀Ni-P合金液,在铜箔上直接施镀,铜箔无须镀前催化。利用扫描电镜和X-射线衍射仪研究了镀层的表面形貌,利用能谱仪测定了镀层中P含量,同时研究了水合肼和次磷酸钠的浓度对镀速和P含量的影响,探讨了无催化铜箔化学镀Ni-P合金的反应机理。     

石墨粉化学镀铜工艺的研究

为解决受电弓滑板制造过程中的Cu/C界面问题,以硫酸铜为主盐,锌粉为还原剂,利用化学镀的方法在石墨粉表面镀覆铜层。研究了主盐、冰乙酸质量浓度、镀覆温度和时间等因素对化学镀铜的影响。实验结果表明,在硫酸铜质量浓度为60 g/L、锌粉24 g/L、冰乙酸14~18 mL/L、镀覆时间为40 min、温度为35℃的条件下得到的镀层均匀、致密且与石墨粉呈锯齿状紧密结合。     

钛合金化学镀Ni-P合金前处理工艺的研究

研究了浸蚀、浸锌等前处理过程对钛基体渗氢及化学镀Ni-P合金镀层与基体结合力的影响。结果表明,采用混酸浸蚀液,可以有效除去钛合金表面的钝化膜,控制基体中的渗氢量;二次浸锌得到的Ni-P合金镀层结合力较好,镀层均匀、紧密,镍晶粒尺寸较小。     

碳纤维布化学镀银工艺的优化

为制备新型无源干扰材料,采用化学镀方法在碳纤维布表面沉积金属银。研究了化学镀银液的配方组分及施镀温度、施镀时间等工艺参数对化学镀银碳纤维布增重率的影响,并研究了施镀时间与镀银碳纤维布导电性之间的关系。较理想的碳纤维布化学镀银工艺为10.5g/L硝酸银、100mL/L氨水、10g/L氢氧化钠、22.5g/L葡萄糖、50mL/L乙醇,施镀温度20°C,施镀时间10min。所得碳纤维布化学镀银镀覆均匀,光泽性好,镀层结合力强,导电性好。     

铝合金腔体镀银工艺

研究了二次浸锌与氰化镀锌相结合预处理的光亮镀银工艺。介绍了工艺流程及相关参数,讨论了浸锌溶液的配制、温度、时间等因素对镀层性能的影响。该工艺所获得的镀层细致,光亮度好,结合力强。     

电镀添加剂的不妥分类及其不良后果

论述了电镀添加剂的不妥分类及其后果:将电镀亮镍光亮剂分为光亮剂与柔软剂,既混淆了初、次级光亮剂的作用,又会误导用户根据名称加药;光亮酸铜液中光亮剂各组分之间及其与Cl-之间的协同效应十分重要,作用难以划分,对其不当分类不但起不到好效果,反而易造成使用中比例失调;某些助剂如酸性亮锡光亮剂和无氰碱铜浓缩液,则应详细分类,以利于大生产维护控制,降低成本及新技术的推广应用。     

Effect of heating on the residual stresses in TiN films investigated using synchrotron radiation

The structure and residual stresses of TiN films deposited by arc ion plating (AIP) on a steel substrate were investigated using a synchrotron radiation system that emits ultra-intense X-rays. In a previous study, the crystal structures of TiN films deposited by AIP were found to be strongly influenced by the bias voltage. When high bias voltages were used, TiN films that were approximately 200 nm thickness had a preferred orientation of {110}, whereas TiN films that were approximately 600 nm thickness has a multilayer film orientation of {111}/{110}. In this present study, the two-tilt method was used to evaluate the residual stresses in TiN films by measuring lattice strains in two directions determined by the crystal orientation. Residual stresses in 600-nm-thick as-deposited TiN films were found to be −10.0 GPa and −8.0 GPa for {111}- and {110}-textured layers, respectively, while they were −8.0 GPa for {110}-textured layers in 200-nm-thick as-deposited TiN films. Residual stresses of both films relaxed to thermal stress levels upon annealing.