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31.
本文叙述用PCVD法制备的耐瞬态核辐照光纤。光纤包层为F掺杂,纯SiO2纤芯,低OH-根含量,经核辐照后的实验结果表明,光纤瞬态峰值感应损耗最低为3.4dB/m·krad。文中还讨论了制备中的几个问题。 相似文献
32.
直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜 总被引:15,自引:6,他引:9
建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃~ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜 ,其厚膜直径为 4 0mm~ 5 0mm ,膜厚为~ 4 .2mm ,生长速率最高达到 2 5 μm/h左右 ,在 5 μm/h~ 10 μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜 ,热导率一般在 10W/K·cm~12W /K·cm。高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板 ,明显地改善了它们的性能 相似文献
33.
34.
35.
36.
高硅钢的PCVD制造工艺及其电磁性能 总被引:5,自引:0,他引:5
采用正交试验法对PCVD等离子体增强化学气相沉积渗硅的工艺进行了优化。在40%SinH2n+2+60%Ar(质量分数)渗硅源中,电工钢于480℃PCVD处理40min,其表面可形成厚20μm富硅层,再经1100℃扩散1h,电工钢铁损下降49.5%B2500提高65%,电磁性能得到极大的改善。 相似文献
37.
38.
微波PCVD法大尺寸透明自支撑金刚石膜的制备及红外透过率 总被引:4,自引:0,他引:4
采用微波PCVD方法制备出直径50mm膜厚300um的大尺寸透明自支撑金刚石膜.在甲烷体积分数2%的条件下制备的透明自支撑金刚石膜经过两面抛光后在500cm-1-4000cm-1红外波段范同内红外透过率达到70%,但是其生长速率只有1um/h-2um/h.在体积分数4%甲烷浓度下制备的自支撑透明金刚石膜,其生长速率达到7um/h~8um/h,经过两面抛光之后膜厚为260um的金刚石膜的在500cm-1~4000cm-1红外波段范围内红外透过率达到60%左右,而且膜中心和边缘区的红外透过率基本相同.这些结果为大尺寸金刚石厚膜在红外窗口上的实际应用奠定了基础. 相似文献
39.
应用PCVD技术,以金属有机物TPT作钛源在H13模具钢表面沉积Ti(CN)涂层,研究了不同工艺参数对涂层组织和性能的影响,并对涂层的抗氧化性进行了实验.结果表明,采用适当的沉积温度、压力及氮气流量,可以在H13钢表面得到以Ti(CN)为主的致密涂层,在沉积温度500℃时达到最高硬度HV1760,涂层在600℃以下具有良好的抗氧化性. 相似文献
40.
PCVD复合渗镀刀具表面强化 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了PCVD复合渗镀高速钢刀具表面强化方法。复合渗镀层由(Ti,Si)N镀层和离子渗氮层组成。研究了Ti/Si对(Ti,Si)N系镀层的硬度、组织形貌、抗氧化性能和结合力的影响。切削试验结果表明,复合渗镀处理可显著改善高钢刀具切削性能,提高刀具寿命。 相似文献