纳米Ti-Si-N薄膜的高温热稳定性

用直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)方法在不锈钢基体上制备了Ti-Si-N硬质纳米复合薄膜,研究了Si含量对薄膜硬度的影响及高温退火对薄膜晶粒尺寸及其硬度的影响.结果表明:薄膜的硬度随着Si含量的增加有先增大后减小的趋势,最大硬度可达70 GPa以上.薄膜表现出了较高的热稳定性能,对于晶粒尺寸在4 nm以下的薄膜,Ti-Si-N薄膜的纳米结构和硬度可以维持在1000℃以上.沉积态薄膜的晶粒尺寸是影响薄膜再结晶温度的主要因素.薄膜的高热稳定性是由于沉积过程中发生的自发调幅分解形成了纳米复合结构,偏析使得纳米晶晶界具有强的热力学稳定性.     

等离子体气相沉积硬质膜工艺技术进展

等离子体化学气相沉积 (PCVD)硬质膜是目前材料表面强化领域的研究热点。介绍了近年来 PCVD硬质膜工艺技术及薄膜性能评价方面的研究现状、存在问题及发展趋势     

铝型材挤压模具等离子体化学气相沉积TiN工艺的试验研究

用ＨＬＤ－５００型镀膜机对４Ｃｒ５ＭｏＶＩＳｉ钢制的铝型材挤压模具进行了等离子体化学气相沉积工敢的试验研究，结果表明，窄缝工作带获得了理想的ＴｉＮ涂层，显著提高了模具的表面硬度，耐磨性，抗粘着性和耐腐蚀性，可使模具寿命有较大幅度地提高。     

Boron-doped diamond-like amorphous carbon as photovoltaic films in solar cell

In this paper, the photovoltaic feature of metal-boron carbide-silicon (MCS) solar cell was reported. The boron-doped diamond-like carbon thin film on n-silicon substrate has been prepared using arc-discharge plasma chemical vapor deposition (PCVD) technique. The conductivity and the resistivity of the film were measured by Bio-Rad Hall5500PC system to be p-type semiconductor and 3–12 Ω cm/□, respectively. The boron content in the films was about 0.8–1.2%, obtained from Auger electron spectroscopy (AES), and some microcrystalline diamond grains (0.5–1.0 μm) embedded in the mainly amorphous network were revealed through scanning electron microscope (SEM) and Raman spectrum. The performance of Au/C(B)/n-Si heterojunction solar cells has been given under dark I–V rectifying curve and I–V working curve (with 100 mW cm⁻² illumination). A measurement of open-circuit voltage V_oc=580 mV and short-circuit current density J_sc=32.5 mA cm⁻² was obtained. Accordingly, the energy conversion efficiency of the device was tentatively determined to be about 7.9% in AM 1.5, 100 mW/cm² illuminated.     

PCVD-TiC膜的工艺及其应用研究

通过正交试验对ＰＣＶＤ－ＴｉＣ膜的镀膜工艺参数进行了优化，得到了制备高硬度、高结合牢度和高沉积速率ＴｉＣ膜的工艺参数。试验表明，在用ＰＣＶＤ法沉积ＴｉＣ膜的过程中，ＴｉＣｌ４和ＣＨ４的流量是重要的控制参数。过多的ＴｉＣｌ４和ＣＨ４都会给ＴｉＣ膜带来不利的影响。氩气虽然可以提高ＴｉＣ膜的沉积速率，但同时也降低了膜与基之间的结合牢度。在冷挤压模具上应用的结果表明，镀有优化后的ＰＣＶＤ－ＴｉＣ膜的模具比镀ＴｉＮ膜的模具可提高寿命２～４倍。与不镀膜的模具相比，可提高寿命１０倍以上。     

混合气体比例对脉冲直流PCVD制备TiN/TiSiN涂层的影响

采用工业用直流脉冲等离子体增强化学气相沉积PCVD技术在硅烷、氢气和氮气的混合气氛下成功制备了Ti Si N涂层,重点讨论了混合气体比例对薄膜性能的影响。结果表明:当混合气体中H2∶N2为4∶1、硅烷流量为2sccm时,Ti N/Ti Si N涂层中硅含量为8.01at%,此时,获得此工艺薄膜的最高硬度为28GPa。     

碳化钛膜的制备和应用研究

通过正交试验对ＰＣＶＤ－ＴｉＣ膜的镀膜工艺参数进行了优化,得到了可制备高硬度、高结合牢度和高沉积速率ＴｉＣ膜泊工艺参数。试验表明,在用ＰＣＶＤ法沉积ＴｉＣ膜的过程中,ＴｉＣｌ４和ＣＨ４流量的重要控制参数。过多的ＴｉＣ４和ＣＨ４都会给ＴｉＣ膜带来不利的影响。氩气虽然可以提高ＴｉＣ膜的沉积速率,但同时也降低了膜－基之间的结合牢度。在冷挤压模具上应用的结果表明,镀有优化后ＰＣＶＤ－ＴｉＣ膜的模具比镀Ｔｉ     

离子氮化-PECVD复合处理沉积TiCN薄膜的性能研究

采用离子氮化及等离子体增强化学气相沉积复合处理方法在高速钢W18Cr4V基体上沉积TiCN涂层,即在沉积之前先对试样进行氮化处理。以金属有机物钛酸丙酯[化学式(C3H7O)4Ti]作为钛源沉积TiCN薄膜,并对最佳工艺条件下制备的薄膜进行了组织与物相观察、截面显微硬度测验、氧化试验以及耐磨试验。结果显示:经过复合处理的试样具有较平缓的截面硬度梯度、高的抗氧化性能(涂层在600℃以下具有良好的抗氧化性)和较好的耐磨性。     

降低多模光纤衰减的技术途径

文章从多模光纤的应用需求出发,从多方面探讨了影响多模光纤衰减的因素和降低多模光纤衰减的思路,得出了许多有益的结论．     

脉冲直流PCVD制备Ti-Si-N薄膜的电化学腐蚀行为

用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备，在550℃的高速钢基材表面沉积由纳米晶TiN，纳米非晶Si3N4以及纳米或非晶TiSi2组成的复相薄膜。通过改变氯化物混合比例调节薄膜的成分。薄膜中的Si含量在0at％～35at％范围内变化。结果表明，当加入少量Si元素后，由于非晶相的产生，TiN薄膜的耐腐蚀性能显著提高，并在一定Si含量的薄膜中发生了负腐蚀现象。但由T-Si的低导电性能，致使高硅含量薄膜颗粒粗大，因此更高Si含量薄膜的耐腐蚀性能又有所下降。