Geochemical Characteristics of Rare Earth Elements of Guidong Granitic Complex and Relationship with Uranium Mineralization

Guidong granitic complex is constituted by Luxi intrusion, Xiazhuang intrusion, Maofeng intrusion, Sundong intrusion, Aizi intrusion and Siqian intrusion, which emplaced in Indosinian and early Yanshanian Periods. These intrusions varied from each other not only in major element content, aluminium saturation index, but also in values of ΣREE, δEu, and LREE/HREE, (La/Yb)N, (La/Sm)N and (Gd/Yb)N. The Maofeng intrusion, which has the closest relationship with uranium mineralization, belongs to strong peraluminous granites. Having undergone much intense fluid-rock interaction, it is characterized by typical M-type tetrad effects and lowest values of ΣREE, δEu, LREE/HREE, (La/Yb)N, (La/Sm)N and (Gd/Yb)N ratios than other studied intrusions.     

电化学方法制备单一稀土金属钆薄膜

研究室温下在熔盐体系中用电沉积方法于铜基体上沉积单一金属钆,分析了沉积液中主盐的含量、电流密度、电沉积时间及沉积液的pH值选择等工艺参数对沉积薄膜的形貌和金属Gd含量的影响.经X射线能谱仪(EDS)测定,其中Gd的质量分数为93.56%;经扫描电子显微镜(SEM)观察所得沉积薄膜为均匀、光滑、致密的银白色沉积膜;经X射线衍射仪(XRD)分析,所得沉积薄膜的晶体结构为立方晶;通过X射线光电子能谱仪(XPS)对沉积薄膜表面价态分析,证明所得沉积薄膜为单一稀土金属钆.用聚乙烯醇保护膜涂覆可以使稀土沉积薄膜免于氧化.     

卫星地球站网络管理技术发展

描述了卫星地球站站控与网管系统的作用和现状。以计算机控制技术促进地球站远程监控和网络管理技术等方面发展,详细论述了设计与研发规范化建设的思路,并提出建设模式。自主研发与生产的网管系统将会得到大力发展。     

Pr, Mn多元渗对 BaTiO3陶瓷结构与电性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了纯BaTiO3、Pr,Mn液相掺杂及气相多元扩渗改性的BaTiO3陶瓷.研究结果表明,Pr掺杂能使纯BaTiO3陶瓷的室温电阻率下降为1.01×10^5Ω·m;而Mn掺杂使室温电阻率升高为1.50×10^13Ω·m.但Pr和Mn的气相扩渗都能降低BaTiO3陶瓷的室温电阻率至1.08×10^3Ω·m和1.29×10^5Ω·m.Pr-Mn共渗BaTiO3陶瓷出现了典型的NTC效应.XRD分析表明,Pr或Mn掺杂并不能改变BaTiOa陶瓷的物相结构,但经Pr-Mn共渗后,出现了新化合物BaMn0.12Al1.88O4和Al8Mn4Pr的特征峰.XPS分析表明,气相多元渗使Pr,Mn,C元素都扩渗到陶瓷体内,并使各化学元素之间的结合更加牢固.SEM测试结果表明,Pr,Mn气相扩渗使陶瓷表面明显改观,晶粒生长完整,粒度分布均匀,气孔率下降.     

绝缘电阻与接地电阻测试系统的设计

本文介绍了绝缘电阻和接地电阻测试的基本原理,设计了符合IEC6101标准的绝缘电阻、接地电阻测试系统,系统由程控电源、接地电阻测试回路、绝缘电阻测试回路、信号采样、调理电路和控制器系统等部分组成.实验表明,系统性能稳定,重复性好,能实现测量、控制、显示一体化.     

退火超磁致伸缩合金中富稀土相析出物研究

对退火后超磁致伸缩合金中富稀土相析出物进行了研究，采用扫描电镜．能谱分析、X射线衍射和电阻应变片技术，着重研究了析出物的析出根源、相组成、相结构以及磁致伸缩性能．结果表明：过量稀土Ho的存在，是析出物析出的根本原因；析出物中富含稀土，主要包括立方结构DyFe2、HoFe2，六方结构Dy5Si3、Tb5Si3及立方结构Dy2O3、Ho2O3等物相；在磁场强度为400kA/m时，析出物的磁致伸缩系数约为100×10^-6，此时，已经饱和且远小于基体棒的磁致伸缩量（＞500×1010^-6）．配方中适当过量稀土，并采取适当的热处理工艺，可望制备高性能的稀土超磁致伸缩材料．     

低磁场条件下Gd5（Si1-xGex）4（x=0，0.2，0.3）合金磁热效应研究

用高频真空悬浮炉在氩气保护下制备了Gd5（Si1-xGex）4（x=0，0.2，0.3）系列样品，用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场H=1.3T）条件下样品的磁热效应曲线（△Tad-T）．结果表明，用元素Ge分别替代Gd5Si4合金中的Si原子，不能增强合金的磁热效应，但可在333～300K范围改变材料的居里温度，且磁热效应峰值范围变宽．     

Preparation and characterization of lanthanum borate nanowires

Lanthanum borate nanowires had been fabricated by reacting lanthanum oxide and boron with carbon nanotubes at 1100 °C. Electron microscopy studies show that the nanowires have a single-crystal structure with uniform diameters of ∼ 15 nm and lengths up to several micrometers. The growth mechanism of LaBO₃ nanowires could be basically attributed to a CNTs template-confined reaction process; carbon nanotubes confine the reaction in a local space during the reaction. The morphology of lanthanum borate nanowires depends on the shape of the carbon nanotubes at high reaction temperatures.     

氧化铟-稀土氧化物共掺CeO2基导电电解质材料的制备与表征

设计了以氧化铟与稀土氧化物（La2O3或Nd2O3）为共同掺杂元素的新型掺杂技术，并利用以聚乙烯醇为聚合剂的化学合成方法制备了CeO2基氧离子导电电解质材料。X射线衍射分析表明，本实验采用的湿化学合成方法容易获得具有纳米结构的高纯氟化钙型结构的CeO2基导电材料．材料导电性的交流阻抗测试分析说明，适当比例的氧化铟与稀土氧化物共掺能有效提高CeO2的导电性；其导电性比相同合成方法制备的Sm2O3掺杂CeO2的导电性更好。利用有效离子半径和相关结合焓理论分析了不同掺杂氧化物对CeO2基材料离子导电性影响。