全文获取类型
收费全文 | 44526篇 |
免费 | 2671篇 |
国内免费 | 2638篇 |
专业分类
电工技术 | 2261篇 |
综合类 | 2422篇 |
化学工业 | 9422篇 |
金属工艺 | 6301篇 |
机械仪表 | 3377篇 |
建筑科学 | 856篇 |
矿业工程 | 469篇 |
能源动力 | 3798篇 |
轻工业 | 2455篇 |
水利工程 | 305篇 |
石油天然气 | 619篇 |
武器工业 | 250篇 |
无线电 | 4789篇 |
一般工业技术 | 8075篇 |
冶金工业 | 1941篇 |
原子能技术 | 1021篇 |
自动化技术 | 1474篇 |
出版年
2024年 | 162篇 |
2023年 | 560篇 |
2022年 | 982篇 |
2021年 | 1152篇 |
2020年 | 1243篇 |
2019年 | 1025篇 |
2018年 | 1022篇 |
2017年 | 1391篇 |
2016年 | 1279篇 |
2015年 | 1255篇 |
2014年 | 2046篇 |
2013年 | 2635篇 |
2012年 | 2709篇 |
2011年 | 3590篇 |
2010年 | 2640篇 |
2009年 | 2773篇 |
2008年 | 2497篇 |
2007年 | 2988篇 |
2006年 | 2742篇 |
2005年 | 2254篇 |
2004年 | 1930篇 |
2003年 | 1723篇 |
2002年 | 1433篇 |
2001年 | 1272篇 |
2000年 | 1142篇 |
1999年 | 964篇 |
1998年 | 796篇 |
1997年 | 701篇 |
1996年 | 560篇 |
1995年 | 527篇 |
1994年 | 433篇 |
1993年 | 356篇 |
1992年 | 266篇 |
1991年 | 189篇 |
1990年 | 128篇 |
1989年 | 140篇 |
1988年 | 88篇 |
1987年 | 58篇 |
1986年 | 38篇 |
1985年 | 27篇 |
1984年 | 21篇 |
1983年 | 17篇 |
1982年 | 12篇 |
1981年 | 11篇 |
1980年 | 7篇 |
1979年 | 7篇 |
1975年 | 5篇 |
1974年 | 6篇 |
1959年 | 11篇 |
1951年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
Toshiharu Makino Hiromitsu Kato Sung-Gi Ri Yigang Chen Hideyo Okushi 《Diamond and Related Materials》2005,14(11-12):1995
Electrical properties of homoepitaxial diamond p–n+ junction of boron (B)-doped p-type layer and phosphorus-doped n-type layer on Ib (111) diamond single crystal have been characterized. Current–voltage characteristics show a clear rectifying property with rectification ratio of over 105 at ± 10 V. From capacitance–voltage characteristics, it is found that a spatial distribution of space-charge density Ni of the p–n+ junction is not uniform and Ni at a middle region of the space-charge layer formed at zero bias voltage is higher than that of other region of the space-charge layer. This peculiar characteristic can be explained by superposition of two effects; one is the deep dopant effect due to B atoms in the p-type layer, which makes to reduce Ni at around the edge of the space-charge layer formed at zero bias voltage. The other is the compensation of B acceptors by impurity atoms diffusing during the p–n+ interface and incorporating during the growth of p-type layer, which makes to reduce Ni at the vicinity of the p–n+ interface. 相似文献
102.
本文综术了集成电路工艺的Cu布线中Cu薄膜化学气相沉积(CVD)的研究背景,详细介绍了CVD生长Cu金属薄膜的国内外研究进展及CVD对前趋物的要求,并对前趋物的一些物理、化学性质进行了总结,最后,对薄膜沉积的计算机摸拟作了简要介绍。 相似文献
103.
Titanium Dioxide, TiO2, is a photocatalyst with a unique characteristic. A surface coated with TiO2 exhibits an extremely high affinity for water when exposed to UV light and the contact angle decreases nearly to zero. Inversely, the contact angle increases when the surface is shielded from UV. This superhydrophilic nature gives a self-cleaning effect to the coated surface and has already been applied to some construction materials, car coatings and so on. We applied this property to the enhancement of boiling heat transfer. An experiment involving the pool boiling of pure water has been performed to make clear the effect of high wettability on heat transfer characteristics. The heat transfer surface is a vertical copper cylinder of 17 mm in diameter and the measurement has been done at saturated temperature and in a steady state. Both TiO2-coated and non-coated surfaces were used for comparison. In the case of the TiO2-coated surface, it is exposed to UV light for a few hours before experiment and it is found that the maximum heat flux (CHF) is about two times larger than that of the uncoated surface. The temperature at minimum heat flux (MHF) for the superhydrophilic surface is higher by 100 K than that for the normal one. The superhydrophilic surface can be an ideal heat transfer surface. Copyright © 2002 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
104.
In this paper, we examine, both experimentally and theoretically, the kinetics of formation and microstructure of product
phases in thin film reactions, using the Nb/Al and Ti/Al systems as our prototypes. The results of calorimetry and microscopy
studies are interpreted using simple kinetic and morphology models. In particular, the kinetic models employed here focus
on the nucleation and growth components of the phase formation process and the morphology models provide a starting point
for the classification of product grain structures.
An erratum to this article is available at . 相似文献
105.
提出了溅射-气体-聚集共沉积制备金属/金属(介质)复合团簇镶嵌薄膜的新方法,并利用该方法成功地在方华膜衬底上制备了系列Fe/Ag及CaF2复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜分析结果表明,样品中Fe(Cu)团簇都较好地镶嵌于Ag(CaF2)基质中,其结构为两种材料的多晶共存形态。进一步分析发现,与块材相比,Fe/Ag样品中Fe团簇晶格常数呈现出不同程度的收缩,而Cu/CaF2样品中Cu团簇晶格常数则呈现出不同程度的膨胀。运用附加压力的模型对该现象进行了解释。 相似文献
106.
107.
108.
薄膜干涉型光学全通滤波器的设计与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
设计并分析了用于多信道色谱补偿的薄膜Gires-Tournois干涉仪(GTI)型光学全通滤波(OAPF),讨论了反射镜的膜层结构对器件 的群延迟谱和反射谱的影响,。以及大角度入射引起的偏分离现象和幅度畸变现象,给出了单级和多级串拉OAPF的初步设计结果。 相似文献
109.
A mathematical model of evaporation process from a laminar falling liquid film on a vertical plate of constant temperature is presented. The model is developed with and without interfacial shear stress due to the vapor flow at the liquid film surface. The vapor pressure drop, vapor exit velocity and cooling rate are calculated for different liquid mass flow values. It is shown that lower liquid mass flow produces higher cooling rate. The results also show that the interfacial shear stress has a considerable negative effect on the cooling rate. It is proved that there exists an optimum distance between the plates, which gives the maximum volumetric cooling rate. 相似文献
110.
薄膜生长的计算机模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
薄膜技术在现代科技领域中有着广泛的应用。人们对薄膜的生长过程通过理论和实验进行了深入的研究,其中计算机模拟是重要的方法,本文概述了对薄膜生长过程的实验观察结果及其理论分析,主要讨论了薄膜生长的计算机模拟中经常采用的方法-蒙特卡罗法和分子动力学方法、描述衬底上成膜粒子运动的一些模型以及在计算机模拟中需注意的一些问题,其中主要包括粒子间的相互作用,入射粒子的能量和粒子上的衬底上的扩散运动。 相似文献