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991.
992.
End-Hall与APS离子源辅助沉积制备的薄膜特性 总被引:1,自引:1,他引:1
利用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了单层HfO2薄膜,离子源分别为End-Hall与APS离子源。采用Lambda900分光光度计、可变角光谱椭圆偏振仪(V-VASE)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、ZYGO干涉仪和激光量热计测试了薄膜的透射光谱、光学常数、晶体结构、表面形貌和吸收(1064nm)。实验结果表明,薄膜特性与辅助离子源及起始膜料有着密切的关系。End-Hall离子源辅助沉积制备的薄膜出现轻微的折射率不均匀性。两种离子源辅助沉积制备的薄膜折射率均较高,吸收损耗小,薄膜均为单斜晶相。不同离子源辅助沉积条件下,利用金属Hf为起始膜料制备的薄膜表面平整度较好,其均方根粗糙度和总积分散射均相对较小。与End-Hall离子源相比,APS离子源辅助沉积制备的薄膜吸收相对较小。 相似文献
993.
为了提高Ti_3Al C_2陶瓷的力学性能,本研究以Ti C粉、Ti粉、Al粉和V2O5粉为起始反应原料,采用原位热压技术在1350°C下反应烧结合成出了(Ti,V)_3AlC_2/Al_2O_3复合材料。利用X-射线衍射和扫描电子显微技术对合成产物的物相和微观结构进行了表征,并分析了复合材料的合成机制。最后,对(Ti,V)_3AlC_2/Al_2O_3复合材料的力学性能进行了研究。测试结果表明:(Ti_(0.92),V_(0.08))_3Al C_2/10wt%Al_2O_3复合材料具有最佳的力学性能,其硬度、断裂韧性及抗弯强度分别为5.56 GPa、12.93 MPa·m~(1/2)和435 MPa,相比于单相Ti_3Al C_2材料分别提升了60%、108%和31%。 相似文献
994.
用X射线衍射(XRD)和透射电镜术(TEM)观察Si和Ge基板上PbTe、CdTe及PbGeTe单层薄膜及其与ZnS组合的多层薄膜的显微结构,给出了薄膜附着牢固度与薄膜显微结构的关系 相似文献
995.
996.
用长脉冲激光(脉冲宽度150μs,波长1.06μm)辐照高温烧结的YBa_2Cu_3O_(7-x)靶,在6Pa的氧气压强下,巳在(100)YSZ单晶衬底上原位生成YBa_2Cu_(?)O_(7-x)超导膜。衬底置于750℃的加热器上,衬底与靶之间的距离5cm,用该法制得的薄膜光亮坚实,正常态呈金属性,零电阻温度为84.7K。用XRD和SEM对薄膜进行了分析研究。 相似文献
997.
ZnO薄膜的激光光声效应 总被引:1,自引:0,他引:1
本文分析了ZnO薄膜的光声效应,推导了在一维条件下光声信号与压电系数、介电系数、热导、比热、调制频率之间的关系。实验表明光声信号的幅度和调制频率、入射光功率之间的理论分析吻合较好。同时还计算了ZnO薄膜的压电系数e_(33)=0.817e/m~2,e_(31)=-0.43e/m~2。 相似文献
998.
La-modified lead titanate (PLT) thin films were prepared by hot-wall type low pressure-metalorganic chemical vapor deposition
method. Pb(dpm)2, La(dpm)3, and titanium tetraisopropoxide were used as source materials. The films were deposited at 500°C under the low pressure of
1000 mTorr and then annealed at 650°C for 10 min in oxygen ambient. Sputter-deposited platinum electrodes and 180 nm thick
PLT thin films were employed to form MIM capacitors with the best combination of high charge storage density (26.7 μC/cm2 at 3V) and low leakage current density (1.5 × 10-7 A/cm2 at 3V). The measured dielectric constant and dielectric loss were 1000∼1200 and 0.06∼0.07 at zero bias and 100 kHz, respectively. 相似文献
999.
金属-绝缘体-金属(MIM)电容量影响GaAs微波单元集成电路(MMIC)成品率的主要原因之一,PECVD氮化硅膜又是影响MIM电容质量和成品率的主要因素。本文通过实验和分析,提出了提高氮化硅膜质量和减少薄膜针孔的方法,结果大大提高了MIM电容GaAsMMIC的成品率,降低了GaAs MMIC的成本。 相似文献