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991.
We report a study of the effects of polymer optoelectronic properties on the performance of photovoltaic devices consisting of nanocrystalline TiO2 and a conjugated polymer. Three different poly(2‐methoxy‐5‐(2′‐ethylhexoxy)‐1,4‐phenylenevinylene) (MEH‐PPV)‐based polymers and a fluorene–bithiophene copolymer are compared. We use photoluminescence quenching, time‐of‐flight mobility measurements, and optical spectroscopy to characterize the exciton‐transport, charge‐transport, and light‐harvesting properties, respectively, of the polymers, and correlate these material properties with photovoltaic‐device performance. We find that photocurrent is primarily limited by the photogeneration rate and by the quality of the interfaces, rather than by hole transport in the polymer. We have also studied the photovoltaic performance of these TiO2/polymer devices as a function of the fabrication route and device design. Including a dip‐coating step before spin‐coating the polymer leads to excellent polymer penetration into highly structured TiO2 networks, as was confirmed through transient optical measurements of the photoinduced charge‐transfer yield and recombination kinetics. Device performance is further improved for all material combinations studied, by introducing a layer of poly(ethylene dioxythiophene) (PEDOT) doped with poly(styrene sulfonic acid) (PSS) under the top contact. Optimized devices incorporating the additional dip‐coated and PEDOT:PSS layers produced a short‐circuit current density of about 1 mA cm–2, a fill factor of 0.50, and an open‐circuit voltage of 0.86 V under simulated AM 1.5 illumination (100 mW cm–2, 1 sun). The corresponding power conversion efficiency under 1 sun was ≥ 0.4 %.  相似文献   
992.
Cis-1,4-polybutadiene (PB) in a 0.5% solution of a solvent mixture of dichloromethane and 1,2-dibromoethane or tetrahydrofuran was quantitatively brominated with elemental bromine at 0°C under careful exclusion of oxygen to head-to-head poly(vinyl bromide). Partially brominated PB has a structure of random or block sequences of butadiene units in the polymer depending on the bromination solvent but shows no stereospecificity in the CHBrCHBr-dyads. Partially brominated PB with block structure showed a microphase-separated morphology over a wide range of composition. Microphase separation is less pronounced for the more random structure of butadiene units. I.r and 13C n.m.r. spectroscopy of the partially brominated PB was used to follow the progress of the bromination.  相似文献   
993.
荣莹 《信息技术》2002,(10):85-87
介绍了图像增强技术中,空间域处理方法中的邻域平均法的原理、算法,及该原理在windows平台上以C++ Builder为开发工具的具体程序实现。  相似文献   
994.
The melting and crystallization behaviour of an elastoplastic semi-crystalline poly(etherester) has been studied by differential scanning calorimetry. The shape of the melting endotherm is strongly dependent on heating rate and annealing time and results from the sum of simultaneous melting and crystallization phenomena. Samples prepared by different techniques, i.e. by solvent evaporation or by melt extrusion, behave very differently owing to specific crystal morphologies. By applying the Hoffman-Weeks plot, the equilibrium melting temperature has been extrapolated. The Avrami treatment allows the calculation of the index n and of the rate constant K from the isothermal kinetic data.  相似文献   
995.
改进的用于半导体器件综合系统的遗传算法   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文对应用于器件综合系统的遗传算法GENOCOP进行了改进.将实数设计空间根据参数的工艺精度影响转换为整型空间,并加入适应性复合算子利用已经得到的点来扩展和开发准可行空间.使其保持有效搜索到可行解的特性的同时,在同等的算法设置下,提高了对可行空间的覆盖率(约2.87倍),可以帮助设计人员更有效的设计可工作的器件.  相似文献   
996.
从模式I2C总线接口电路设计及其VLSI实现   总被引:3,自引:0,他引:3  
陈安  唐长文  闵昊 《微电子学》2002,32(3):185-188
提出了一种从模式的I^2C总线接口电路,该接口电路实现了对可变参数ASIC芯片的配置。该电路的设计使得可配置的ASIC芯片中参数配置所需要的芯片管脚大大减少。该方案已通过行为仿真和综合后门级时序仿真,并且用无锡上华0.6μmCMOS工艺实现。  相似文献   
997.
HAT循环构成热电冷三联产总能系统的可行性分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
对国内外在提高能源利用率方面的研究现状和发展趋势进行了综述,在前人研究的基础上提出以湿空气透平湿空气透平(HAT)循环构成热、电、冷三联产总能系统的能量利用形式,详细分析了构成该系统的相关技术、可行性及需要加以解决的几个问题。  相似文献   
998.
A single loop electrochemical potentiokinetic reactivation test method has been developed for alloy 600 that produces good passivation on all the surfaces, good etching during the reactivation scan and no appreciable pitting. It is able to quantify and discriminate between samples with a wide range of degree of sensitization. The Pa value correlates well with the minimum level of chromium in the depletion regions at the grain boundaries. It has been shown that the width of the attacked regions is much larger than the width of chromium depletion regions and it does not show any direct correlation with either depth or width or with a volume parameter of chromium depletion regions. It has been shown that the chromium carbides are not attacked during the test and that the intragranular regions attacked during the test are the sites of chromium carbides in the grain matrix. A modified Pa parameter is shown to be sensitive down to 7.5 wt% chromium in the depletion regions and indicates that the intragranular carbides have shallower depletion profiles than those at grain boundaries. Comparison of the results of the single loop and the double loop tests showed a good correlation.  相似文献   
999.
平纹织物复合材料的弹性模量预测   总被引:7,自引:3,他引:4       下载免费PDF全文
利用细观力学的代表体积元(RVE)法,预测了平纹织物复合材料的弹性模量。建立了表征RVE形态的数学模型,分析了细观结构与宏观性能之间的关系,编制了从组分材料的弹性性能推测复合材料的弹性性能的预测程序。对理论预测进行了实验验证,理论值与实测值在一定误差范围内能较好吻合,说明此预测方法具有一定的可靠性。  相似文献   
1000.
B4C涂层作为等离子体面对材料的一些性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了利用等离子喷涂设备,B4C/Cu梯度功能涂层及非梯度涂层的制备技术,在模拟实验装置中测量了在高能粒子(3 keV,D+)的作用下,B4C涂层的化学溅射产额、热解吸性能、热冲击性能及热导率.结果表明B4C是一种有希望为未来聚变装置中等离子体面对的材料.  相似文献   
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