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本文综术了集成电路工艺的Cu布线中Cu薄膜化学气相沉积(CVD)的研究背景,详细介绍了CVD生长Cu金属薄膜的国内外研究进展及CVD对前趋物的要求,并对前趋物的一些物理、化学性质进行了总结,最后,对薄膜沉积的计算机摸拟作了简要介绍。 相似文献
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近年来,由于FPD(平板显示器)市场增长迅速,曾担心透明导电薄膜用rrO(氧化铟锡)靶材原料——铟供应不足。但由于新的铟生产商的加入及回收利用率的提高,使铟的供应大量增加。此外,还正在开发ITO的替代材料。因此,业内人士预测未来5年铟原料供应不会短缺。 相似文献
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如果效率和成本这两个“目标”能够达到,薄膜晶体Si太阳电池有可能替代目前在光伏市场上占主导的多晶Si太阳电池。[第一段] 相似文献
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研究了用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土掺杂纳米ZnO薄膜结构、导电性及光透射性能。结果显示 ,在 5 0 0℃氧化、热处理稀土元素Nd掺杂后能够明显改善纳米ZnO薄膜的结构特性 ,薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小。掺Nd使ZnO薄膜的电性能有所改善但使纳米ZnO薄膜的光透射性有所降低。 相似文献
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本文从应用出发,选择光学石英为衬底,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1—x薄膜,对样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态,表面形貌随时间变化,最终为胞状;紫外—可见光光谱结果显示BPxN1—x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动。因此,该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整。另外,BPxN1—x薄膜与液晶层能较好匹配等特性更使其适用于紫外空间光调制器。 相似文献