无纵向电场分量离子波纹激光的小信号增益

在离子波纹摆动器中，改变电子束的入射方向，保证了离子波纹场的纵向分量为零，从而消除了纵向电场对离子波纹激光的不利影响。给出了束电子的运动轨迹，运用Madey定理计算了小振幅条件下该离子波纹激光的小信号增益。     

高压合成Nb1-xB2（0〈x〈0．7）超导体的结构转变、电子结构和超导电性研究

自从MgB2（Tc=39K）超导体发现以来，AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近，我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2（0〈x〈0．7）化合物，得到了单相AlB2结构的样品。当0．2≤x〈0．5时，样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明，随着Nb含量的减少，晶格参数在x≈0．2处发生突变，在a-b面内收缩，沿c轴方向拉长。为了深入理解Nb1-xB2中超导特性与结构转变和电子结构的关系，我们对一系列Nb1-xB2样品进行了电子能量损失谱的测量；并且利用第一原理计算分析了材料的电子结构随成分变化的关系，得到了与实验一致的理论结果。     

校园网宿舍网络管理模式的探讨

讨论了高校学生宿舍区网络的特点，结合天津商学院校园网的实践，讨论了校园网宿舍网络管理的模式。     

聚丙烯酰胺/氧化石墨纳米复合材料的研究

氧化石墨具有良好的层状结构，其层间具有丰富的官能团，能与有机聚合物形成插层纳米复合材料进而改善材料的性能．采用层离吸收-原位聚合法制备了聚丙烯酰胺／氧化石墨纳米复合材料，并采用XRD、HREM及DSC等对其结构和性能进行了表征。结果表明，聚丙烯酰胺与氧化石墨两者之间存在着较强的相互作用，材料的玻璃化转变温度得到提高，层离吸收-原位聚合法是获得聚丙烯酰胺／氧化石墨层纳米复合材料的有效途径，聚丙烯酰胺在氧化石墨中存在着多种排列方式，不同层间距(1．6nm和2．8nm)的聚丙烯酰胺／氧化石墨纳米复合结构同时存在。     

主板行情

在ATi的上一代芯片组中，Radeon Xpress 2000所集成的X300显卡显然令ATi扬眉吐气，甚至盖过了nVIDIA C51的锋芒。然而面对新一代3D游戏以及竞争对手的强大压力，ATi也必须推出新产品。AMD平台的RS690和Intel平台的BS600芯片组都将集成X700图形核心．ATi显然也意识到提高集成显卡性能的重要性。     

PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。