二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式

二氧化锡薄膜应用广泛。本文讨论掺锑和掺氟的二氧化锡透明导电薄膜的最佳掺杂含量问题,建立模型并给出理论表达式,得出的最佳掺杂含量值和实验数据相符。     

溅射功率对Au与CdZnTe晶体接触结构和性能的影响

采用直流磁控溅射工艺,以Au为靶材在高阻半导体CdZnTe上制备导电薄膜.系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜结构、组织形貌及接触性能的影响.结果表明,随溅射功率的增加沉积速率增大.I-V测试表明在高阻CdZnTe上溅射Au薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性能,溅射功率为100 W时的接触性能好于功率为40 W和70 W时的接触性能.     

Electrical and optical properties of deep ultraviolet transparent conductive Ga2O3/ITO films by magnetron sputtering

Ga2O3/ITO films were prepared by magnetron sputtering on quartz glass substrates. The transmittance and sheet resistance of ITO films and Ga2O3/ITO films were measured by using a double beam spectrophotometer and four point probes. The effect of the ITO layer and Ga2O3 layer thickness on the electrical and optical properties of Ga2O3/ITO bi-layer films were investigated in detail. Ga2O3 (50 nm)/ITO (23 nm) films exhibited a low sheet resistance of 323 Ω/□ and high deep ultraviolet transmittance of 77.6% at a wavelength of 280 nm. The ITO layer controls the ultraviolet transmittance and sheet resistance of Ga2O3/ITO films. The Ga2O3 layer thickness has a marked effect on the transmission spectral shape of Ga2O3/ITO films in the violet spectral region.     

镀银空心玻璃球填充的导电有机硅密封剂的研究

以镀银玻璃球为导电填料制备室温硫化高导电有机硅密封剂,研究了密封剂的导电性能与形变的关系:在一定的导电填料加入量范围内,密封剂的导电性能随着拉伸形变而提高。     

单分散复合导电微球制备研究进展

对电子封装中的热点技术——各向异性导电胶的关键成分导电微球的制备进展进行系统阐述,并对微球表面镀镍过程中的影响因素进行分析讨论,综述了导电微球制备的最新进展及应用前景。     

磁性导电聚合物微波吸收材料的研究

报道了以导电高分子材料为壳,纳米Fe3O4微粒为核的壳核结构的纳米磁性导电聚合物微波吸收材料的合成、结构、介电性能、磁导率和微波吸收性能。     

一种防止声表面波器件静电烧伤的方法

为了防止声表面波器件被自身的热释电静电烧伤,提出了一种新的静电防护方法.该方法采用导电介质来实现对声表面波器件引脚的良好接触,并建立了静电传导途径,实现了热释电静电的释放,解决了困扰声表面波器件的静电敏感问题.试验结果表明,该方法能有效预防静电烧伤,具有很好的实用性.     

RF磁控溅射制备AZO透明导电薄膜及其性能

室温下采用RF磁控溅射技术在石英衬底E制备了多晶ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,通过XRD,AFM,AES,Hall效应及透射光谱等测试研究了RF溅射功率、氩气压强对薄膜的结构、电学和光学性能的影响.分析表明:在最优条件下(溅射功率为250W,氩气压强为1.2Pa时),180nm AZO薄膜的电阻率为2.68×10-3 Ω·cm,可见光区平均透射率为90%,适合作为发光二极管和太阳能电池的透明电极.所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,晶粒问界中的O原子吸附是限制薄膜电学性能的主要因素.