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71.
肖黎 《世界电信》2002,15(9):47-50
首先从不同角度分析了通信服务商目前面临的环境,包括通信服务业的投资趋势、业务发展趋势、服务提供商的业务收入情况以及用户的需求;接着介绍了朗讯的智能化多业务网络的整体架构和解决方案;其中重点描述了智能化多业务网络在网络传输层、业务控制层和应用层上的智能化以及包括核心网络、城域网络在内的六大解决方案。  相似文献   
72.
只读式超分辨光盘的膜层设计和分析   总被引:4,自引:3,他引:1  
李进延  阮昊  干福熹 《中国激光》2002,29(4):366-370
超分辨技术是一种无需减小记录波长或增大数值孔径而提高存储密度的方法。Ge Sb Te是一种良好的相变光存储材料 ,在超分辨光盘中可作为掩膜。利用多层膜反射率的矩阵法计算了掩膜为Ge2 Sb2 Te5薄膜的超分辨只读式光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系 ,最后得到了较为理想的膜层厚度匹配。采用磁控溅射法制备了只读式超分辨光盘 ,测量了光盘的光学性质。  相似文献   
73.
浅析中央空调系统替代制冷剂的选择   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据大气臭氧层耗损和温室气体对全球气候变化的影响,分析了中央空调系统几种替代制冷剂的特性,探讨了在实际使用中如何进行替代制冷剂的选择。  相似文献   
74.
金属PTC陶瓷复合材料结构及其导电机理   总被引:2,自引:0,他引:2  
杨海  余鸿飞 《压电与声光》1997,19(3):196-200
研究了金属PTC陶瓷复合材料的电学性能和其材料组分。结果表明,掺入金属的PTC陶瓷材料经氮气中烧结,然后在空气中进行热处理,材料表面形成高势垒层,金属PTC陶瓷复合材料的室温电阻较PTC的陶瓷高。样品之中存在大量不同类型的极化,在低温时样品电阻较高,温度增加后,大量各种类型离子极化出现,在变价金属铁的变价导电作用下,削弱表面势垒,使金属PTC陶瓷复合材料电阻降低,表现出NTC现象。在电场作用下,正负电荷、晶粒畸变和空位缺陷等产生空间电荷极化使金属PTC陶瓷复合材料有较高介电常数。介电损耗(tgδ)频谱和介电δ温度谱上都出现一个介电峰,其主要原因是跃迁极化,金属阳离子由一个位置跃迁到另一个位置,在介电损耗所对应的频率和温度时出现跃迁极化率最大  相似文献   
75.
脉冲激光LGA法钛表面氮化及其XRD和SEM微观分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
宋宙模  吴嘉达 《激光杂志》1994,15(4):151-157
用调Q-YAG和XeCl脉冲激光在钛表面以激光气体合金化方法生成氮化钛层,用X射线衍射仪分析了不同激光能量、不同N2气压不同作用脉冲数等条件下TiN的结晶取向、结晶形态、氮化程度,用扫描电镜观察了它们的微观结构,对脉冲激光的LGA法机理进行了探讨,也发现了用LGA法对Mo的氮化生成Mo2N.  相似文献   
76.
应用分层取样法测试了滤以的截污量。通过滤柱实验,2能够更好地分析研究石英砂均质滤料层截留浊质物的变化规律。  相似文献   
77.
高分辨率电阻率测井仪在薄层评价中的应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
传统的测井仪器无法克服纵向分辨率和径向探测深度这一矛盾,高分辨率电阻率测井仪(HDRT)测量精度好、探测深度大且垂向分辨率高,能够准确识别薄互层、评价薄油气层,准确记录油层厚度,可为精细描述油气田地下地质状态提供更多依据。  相似文献   
78.
缓冲层对氮化镓二维生长的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN)。通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核,准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。  相似文献   
79.
~~Growth of CeO_2, Y_2O_3 Buffer Layers for YBCO Coated Conductor  相似文献   
80.
封装工业正在推动着印制线路板技术水平朝着半导体要求的方向发展。高密度印制线路板正广泛用于网络路由器、自动测试设备和服务器领域。高密度要求(>150 IO/cm~2)正成为客户的普通需求。为满足现有的高密度封装要求,由于线宽、线距和通孔孔径正接近传统制作极限,普遍的方法就是不断增加印制线路板的层数。这些特征正驱动着印制线路板在基材、图像转移、蚀刻、电镀、阻焊、测试流程和对位系统的变化。此文主要讲述了印制线路板特性的变化趋势和利用对位模式和雷利分布去预测满足高级对位要求的能力以及印制线路板各流程中有关对准度的控制要点。  相似文献   
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